项目编号:2203-*-04-01-*
项目名称:江西华芯晶源电子公司第三代半导体材料氮化镓单晶衬底生产项目
建设项目所属区域:江西省, (略) , (略)
建设规模及内容: (略) 5#标准生产厂房*平方米用于研发、生产、办公，拟建5条HVPE 氢化物气相沉积法生产线和3条功能晶体生产线，5条半导体封装测试生产线。主要设备包括：氢化物气相沉积生长设备、功能晶体生长设备、清洗机、研磨抛光机、晶片研磨机、精密研磨抛光机、固晶设备、焊线设备、模压成型设备、测试设备等；工艺流程：蓝宝石衬底片清洁→氮化（用蓝宝石Sapphire衬底片）→氮化镓生长→卸载→激光玻璃→磨边→研磨→抛光→清洗→成品包装→固晶→焊线→模压→成型→测试→包装；项目建成后可达到年产4英寸氮化镓GaN单晶衬底*片及封装测试60亿只二三极管 (略) IC的规模。|&|&|项目备案后，项目单位须办理用地、节能、环保、安全生产等相关手续后方可开工建设。
项目总投资(万元):*

项目编号:2203-*-04-01-*
项目名称:江西华芯晶源电子公司第三代半导体材料氮化镓单晶衬底生产项目
建设项目所属区域:江西省, (略) , (略)
建设规模及内容: (略) 5#标准生产厂房*平方米用于研发、生产、办公，拟建5条HVPE 氢化物气相沉积法生产线和3条功能晶体生产线，5条半导体封装测试生产线。主要设备包括：氢化物气相沉积生长设备、功能晶体生长设备、清洗机、研磨抛光机、晶片研磨机、精密研磨抛光机、固晶设备、焊线设备、模压成型设备、测试设备等；工艺流程：蓝宝石衬底片清洁→氮化（用蓝宝石Sapphire衬底片）→氮化镓生长→卸载→激光玻璃→磨边→研磨→抛光→清洗→成品包装→固晶→焊线→模压→成型→测试→包装；项目建成后可达到年产4英寸氮化镓GaN单晶衬底*片及封装测试60亿只二三极管 (略) IC的规模。|&|&|项目备案后，项目单位须办理用地、节能、环保、安全生产等相关手续后方可开工建设。
项目总投资(万元):*