(略) (略) 闵行经济技术开 (略) 3879 号 21 号厂房，地

(略) 闵行经济技术开发区，租赁面积 9348.3m2，主要进行硅基及化合物半导体加工

设备的组装生产并采用自厂生产的设备开展刻蚀、去胶、沉积、氮化及清洗活化等工艺

研发实验。现有项目产能为年产硅基及化合物半导体加工设备产能 350 台/年，现有研发

内容为年进行刻蚀工艺研发实验 300 批次、去胶工艺研发试验 200 批次、沉积工艺研发试

验 300 批次、氮化工艺研发实验 200 批次、清洗活化工艺研发实验 200 批次。

因电子气体种类对产品的性能、成品率、集成度等方面均具有重要影响，为寻找刻

蚀、沉积、氮化等参数的最优解，项目拟新增刻蚀、沉积、氮化气体种类，从而进行刻

蚀工艺、沉积工艺、氮化工艺研发。本次新增刻蚀工艺研发实验 300 批次/年、沉积工艺

研发试验 300 批次/年、氮化工艺研发实验 200 批次/年。项目为小试研发实验室项目，行

业类别为 M7320 工程和技术研究和试验发展。

项目总投资 2000 万元，环保投资 100 万元

(略) (略) 闵行经济技术开 (略) 3879 号 21 号厂房，地

(略) 闵行经济技术开发区，租赁面积 9348.3m2，主要进行硅基及化合物半导体加工

设备的组装生产并采用自厂生产的设备开展刻蚀、去胶、沉积、氮化及清洗活化等工艺

研发实验。现有项目产能为年产硅基及化合物半导体加工设备产能 350 台/年，现有研发

内容为年进行刻蚀工艺研发实验 300 批次、去胶工艺研发试验 200 批次、沉积工艺研发试

验 300 批次、氮化工艺研发实验 200 批次、清洗活化工艺研发实验 200 批次。

因电子气体种类对产品的性能、成品率、集成度等方面均具有重要影响，为寻找刻

蚀、沉积、氮化等参数的最优解，项目拟新增刻蚀、沉积、氮化气体种类，从而进行刻

蚀工艺、沉积工艺、氮化工艺研发。本次新增刻蚀工艺研发实验 300 批次/年、沉积工艺

研发试验 300 批次/年、氮化工艺研发实验 200 批次/年。项目为小试研发实验室项目，行

业类别为 M7320 工程和技术研究和试验发展。

项目总投资 2000 万元，环保投资 100 万元