建设地点： (略) 大兴新城东 (略) 0605-022C地块
公示时间：2024-09-30至2024-10-21
受理时间：2024-09-30
项目概况：北京天科合 (略) 第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项 (略) (略) 大兴新城 (略) 0605-022C地块，厂址中心坐标为东经116°20′49.6104″（116.(略)），北纬39°40′29.5752″（39.(略)），为现有工程东侧空地；项目总占地面积(略).032m2，总建筑面积(略).29m2，包括生产厂房、化学品库、危废库、一般固废库、综合楼、门卫等。拟购置长晶及附属、晶体加工、晶片加工等工艺设备，新建6-8英寸碳化硅衬底生产线及研发中心，以及相关配套设施。 (略) 碳化硅晶体与晶片产能，同时建设研发中心以对生产工艺和参数持续进行优化和完善，投产后将实现年产约37.(略)片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.(略)片，8英寸导电型碳化硅衬底13.(略)片。
行政相对人名称：北京天科合 (略)
联系人：周少良
联系电话：(略)
审批部门： (略) (略)
邮政编码：(略)
邮寄地址： (略) (略) (略) 2号楼
传真电话：010-(略)
设定依据：1、《中华人民共和国环境保护法》第十九条、第四十一条、第六十一条、第六十三条。2、《中华人民共和国环境影响评价法》第二十二条、第二十三条、第二十四条、第二十五条。3、《中华人民共和国大气污染防治法》第十八条、第二十二条。4、《中华人民共和国水污染防治法》第十九条。5、《中华人民共和国环境噪声污染防治法》第十三条。6、《中华人民共和国固体废物污染环境防治法》第十三条、第十四条。7、《中华人民共和国放射性污染防治法》第二十九条。8、《建设项目环境保护管理条例》第六条。

建设地点： (略) 大兴新城东 (略) 0605-022C地块
公示时间：2024-09-30至2024-10-21
受理时间：2024-09-30
项目概况：北京天科合 (略) 第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项 (略) (略) 大兴新城 (略) 0605-022C地块，厂址中心坐标为东经116°20′49.6104″（116.(略)），北纬39°40′29.5752″（39.(略)），为现有工程东侧空地；项目总占地面积(略).032m2，总建筑面积(略).29m2，包括生产厂房、化学品库、危废库、一般固废库、综合楼、门卫等。拟购置长晶及附属、晶体加工、晶片加工等工艺设备，新建6-8英寸碳化硅衬底生产线及研发中心，以及相关配套设施。 (略) 碳化硅晶体与晶片产能，同时建设研发中心以对生产工艺和参数持续进行优化和完善，投产后将实现年产约37.(略)片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.(略)片，8英寸导电型碳化硅衬底13.(略)片。
行政相对人名称：北京天科合 (略)
联系人：周少良
联系电话：(略)
审批部门： (略) (略)
邮政编码：(略)
邮寄地址： (略) (略) (略) 2号楼
传真电话：010-(略)
设定依据：1、《中华人民共和国环境保护法》第十九条、第四十一条、第六十一条、第六十三条。2、《中华人民共和国环境影响评价法》第二十二条、第二十三条、第二十四条、第二十五条。3、《中华人民共和国大气污染防治法》第十八条、第二十二条。4、《中华人民共和国水污染防治法》第十九条。5、《中华人民共和国环境噪声污染防治法》第十三条。6、《中华人民共和国固体废物污染环境防治法》第十三条、第十四条。7、《中华人民共和国放射性污染防治法》第二十九条。8、《建设项目环境保护管理条例》第六条。