SiC功率半导体器件研发条件建设项目陕西省西安市高新技术产业开发区锦业路125号半导体产业园109厂房
SiC功率半导体器件研发条件建设项目陕西省西安市高新技术产业开发区锦业路125号半导体产业园109厂房
填表日期:2024-10-15
SiC功率半导体器件研发条件建设项目 | |||
(略) 高新技术产 (略) (略) 125号半导体产业园109厂房 | # | ||
(略) | 周建国 | ||
# | 30 | ||
2026-09-30 | |||
改建 | |||
项目通过新增中束流高温离子注入机、擦片机、划片机等关键工艺设备,适应性改造厂房并完成相应水电气等动力配套设施,形成集SiC芯片制造、封装于一体的SiC功率器件的研制能力。 | |||
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填表日期:2024-10-15
SiC功率半导体器件研发条件建设项目 | |||
(略) 高新技术产 (略) (略) 125号半导体产业园109厂房 | (平方米) | # | |
(略) | 周建国 | ||
# | 30 | ||
2026-09-30 | |||
改建 | |||
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项目通过新增中束流高温离子注入机、擦片机、划片机等关键工艺设备,适应性改造厂房并完成相应水电气等动力配套设施,形成集SiC芯片制造、封装于一体的SiC功率器件的研制能力。 | |||
环保措施: 1.设置警示标识;2.设备自带屏蔽防护装置 | |||
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