关于拓普半导体射频芯片稀土靶向材料总部及研发生产项目规划核实的批后公告

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关于拓普半导体射频芯片稀土靶向材料总部及研发生产项目规划核实的批后公告

  公告时间:2024年12月20日

  公告载体:网上公告

  建设单位: (略) (略)

  项目名称:拓普半导体射频芯片稀土靶向材料总部及研发生产项目

  地块位置:惠州仲 (略) 潼湖镇ZKD-002-43-02号地块

  公告内容:建设工程规划核实批后公告

  规划核实内容:厂房层数为地下1层,建筑面积4294.52平方米(停车位83个);地上4层,首层建筑面积(略).00平方米;总建筑面积(略).07平方米,计容建筑面积(略).62平方米(门厅建筑高度超8米按2倍计容),不计容建筑面积5707.90平方米。门卫室层数为地上1层,首层建筑面积78.68平方米,计容建筑面积78.68平方米。



   (略) (略) 仲恺高新技术产 (略) 分局

  2024年12月20日

  公告时间:2024年12月20日

  公告载体:网上公告

  建设单位: (略) (略)

  项目名称:拓普半导体射频芯片稀土靶向材料总部及研发生产项目

  地块位置:惠州仲 (略) 潼湖镇ZKD-002-43-02号地块

  公告内容:建设工程规划核实批后公告

  规划核实内容:厂房层数为地下1层,建筑面积4294.52平方米(停车位83个);地上4层,首层建筑面积(略).00平方米;总建筑面积(略).07平方米,计容建筑面积(略).62平方米(门厅建筑高度超8米按2倍计容),不计容建筑面积5707.90平方米。门卫室层数为地上1层,首层建筑面积78.68平方米,计容建筑面积78.68平方米。



   (略) (略) 仲恺高新技术产 (略) 分局

  2024年12月20日

    
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