(略) 位 (略) 文德街80号的拓荆科技高端半导体设备产业化基地建设项目，规划用地性质为一类工业用地，面积为#.93平方米。建设单位现已委托设计单位按照相关技术标准和规范完成建设工程规划设计方案，现予以公示并公开征求意见。

1、公示及收集意见日期：2024年12月20日-2024年12月30日（7个工作日）

2、利害关系人可在公示有效期内通过以下途径咨询或提出意见:

①咨询电话:

审批部门: (略) (略) ，024-#；

建设单位: (略) ，#；

设计单位:天津大学建筑设计 (略) ，#；

②)信函请邮寄至: (略) (略) (略) 109号(创新天地H座9楼) (略) (略) (略) 审批科(以邮截日期为准)

③电子邮箱:*@*ttp://**

3、反馈意见请注明联系人真实姓名、电话、地址等信息:如因信息不完整或不真实导致无法核对相关情况的，视为无效意见。

4、本案涉及的重大利害关系人依法享有陈述、申辩以及申请听证等权利，逾期未申请视为放弃上述权利。

(略)

(略) (略)

2024年12月20日

拓荆科技股份有限公司位于浑南区文德街80号的拓荆科技高端半导体设备产业化基地建设项目规划许可批前公示.pdf

(略) 位 (略) 文德街80号的拓荆科技高端半导体设备产业化基地建设项目，规划用地性质为一类工业用地，面积为#.93平方米。建设单位现已委托设计单位按照相关技术标准和规范完成建设工程规划设计方案，现予以公示并公开征求意见。

1、公示及收集意见日期：2024年12月20日-2024年12月30日（7个工作日）

2、利害关系人可在公示有效期内通过以下途径咨询或提出意见:

①咨询电话:

审批部门: (略) (略) ，024-#；

建设单位: (略) ，#；

设计单位:天津大学建筑设计 (略) ，#；

②)信函请邮寄至: (略) (略) (略) 109号(创新天地H座9楼) (略) (略) (略) 审批科(以邮截日期为准)

③电子邮箱:*@*ttp://**

3、反馈意见请注明联系人真实姓名、电话、地址等信息:如因信息不完整或不真实导致无法核对相关情况的，视为无效意见。

4、本案涉及的重大利害关系人依法享有陈述、申辩以及申请听证等权利，逾期未申请视为放弃上述权利。

(略)

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2024年12月20日

拓荆科技股份有限公司位于浑南区文德街80号的拓荆科技高端半导体设备产业化基地建设项目规划许可批前公示.pdf