项目名称

元创（广东清远） (略) 半导体设备和零部件建设项目

建设地点

(略) 高新技术产 (略) (略) 12号

建设单位

元创（广东清远） (略)

项目概况

　　项 (略) 高新技术产 (略) (略) 12号，占地面积(略).16平方米，建筑面积(略).39平方米，中心地理坐标：东经113°2"53.(略)″，北纬23°37"13.(略)″。项目主要建设MFC翻新（(略)个/年）、静电卡盘（400块/年）、陶瓷基板（(略)片/年）、覆铜基板（(略)片/年）、电源（200个/年）等半导体设备和零部件生产线及研发试验线（研发能力为13t/a陶瓷粉体研发线、研发实验室、切割试验）。

环评机构

(略) 共创 (略)

主要环境影响及预防或减轻不良环境影响的对策和措施

（一）废气污染防治措施

（1）质量流量控制器MFC翻新：组装焊接工序产生的颗粒物通过设备自带“除尘设施”（TA001）处理，初级清洗、清洗工序产生的TVOC（(略)醇），配粉、陶瓷清洗、整体清洗、质检清洗工序废气通过一级旋流板塔洗涤+两级活性炭吸附”（TA002）处理后通过一根40m高排气筒（DA001）排放。

　 （2）静电卡盘：配粉、陶瓷清洗、整体清洗、质检清洗工序废气通过“一级旋流板塔洗涤+两级活性炭吸附”（TA002）处理后经40m高排气筒（DA001）排放；烘干1、烘干2、胶水熟化、涂胶、粘合、烘干工序通过“三级干式过滤+CO催化燃烧”（TA003）处理后经40m高排气筒（DA001）排放；脱脂1、脱脂2工序废气通过“设备自带环保燃烧设备-净化炉”（TA004）处理后经40m高排气筒（DA001）排放；喷砂工序产生的颗粒物在车间内无组织排放。

　 （3）陶瓷基板：陶瓷基板1切片检查、敷粉陈放、分片除粉划线；陶瓷基板2切片贴框检查、冲孔1、冲孔2、切割工序产生的粉尘在车间内无组织排放；项目陶瓷基板1和陶瓷基板2配粉称重、清洗工序产生的粉尘、有机废气经“一级旋流板塔洗涤+两级活性炭吸附”（TA002）处理后经40m高排气筒（DA001）排放；项目陶瓷基板1、陶瓷基板2脱泡流延工序产生有机废气经“三级干式过滤+CO催化燃烧”（TA003）处理后经40m高排气筒（DA001）排放；项目陶瓷基板1、陶瓷基板2排胶工序产生有机废气通过“设备自带环保燃烧设备-净化炉”（TA005）处理后经40m高排气筒（DA001）排放；陶瓷基板2填空烘干、刮浆烘干工序产生有机废气通过“三级干式过滤+CO催化燃烧”（TA003）处理后经40m高排气筒（DA001）排放。项目陶瓷基板1、陶瓷基板2抛光工序产生的氨气经“一级酸性喷淋+静电除油”（TA009）处理后通过40m高排气筒（DA003）排放；

　 （4）覆铜基板：覆铜基板焊料排胶工序产生的有机废气通过“三级干式过滤+ CO催化燃烧”（TA003）处理后经40m高排气筒（DA001）排放；焊料刻蚀、刻蚀、铜箔氧化等工序产生氮氧化物、氯化氢通过“一级碱性喷淋塔”（TA006）处理后经40m高排气筒（DA002）排放；激光切割工序会产生颗粒物，颗粒物通过“设备自带除尘设施”（TA007、TA008）处理后经40m高排气筒（DA002）排放。

　 （5）研发试验：研发试验中陶瓷粉体的配料、煅烧、破碎、研磨产生的颗粒物经“一级碱性喷淋塔”（TA006）处理后经40m高排气筒（DA002）排放；研发线中切割试验的切割生产的有机废气经“一级酸性喷淋+静电除油”（TA009）处理后通过40m高排气筒（DA003）排放。

（二）废水污染防治措施

　 项目生产废水（一般清洗废水、酸洗废水、喷淋废水）和冷却系统排水经“化学沉淀+两级袋式过滤”预处理后，通过管道输送至先 (略) 理 (略) 理系 (略) 理，处理后的废水排入龙 (略) 理厂；纯水制备产生的浓水直接排入龙 (略) 理厂；生活污水通过三级化 (略) (略) (略) 进入龙 (略) 理厂。

　（三）噪声污染防治措施

　 项目 (略) 布局，选用低噪声设备，并采取墙体隔声、基础减振等降噪措施，确保厂界噪声达标排放。

　（四）固体废物污染防治措施

　 项目员工生活垃圾统一收集后交由环卫部 (略) 理；废零部件、边角料、不合格品、废石墨纸、废砂料废PET模， (略) 回收；项熔融工序产生的熔融底渣料收集后回用于生产；废切削液、废渣、废有机溶液、废显影液、废刻蚀液、废退膜液、废过滤芯、废无尘纸、废包装材料、废活性炭、废材料纤维、废布袋、废催化剂、废机油、废抹布、 (略) 理污泥等属于危险废物，设置危险废物间暂存，定期交由有危 (略) 理资质 (略) 置。

公众参与情况

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项目名称

元创（广东清远） (略) 半导体设备和零部件建设项目

建设地点

(略) 高新技术产 (略) (略) 12号

建设单位

元创（广东清远） (略)

项目概况

　　项 (略) 高新技术产 (略) (略) 12号，占地面积(略).16平方米，建筑面积(略).39平方米，中心地理坐标：东经113°2"53.(略)″，北纬23°37"13.(略)″。项目主要建设MFC翻新（(略)个/年）、静电卡盘（400块/年）、陶瓷基板（(略)片/年）、覆铜基板（(略)片/年）、电源（200个/年）等半导体设备和零部件生产线及研发试验线（研发能力为13t/a陶瓷粉体研发线、研发实验室、切割试验）。

环评机构

(略) 共创 (略)

主要环境影响及预防或减轻不良环境影响的对策和措施

（一）废气污染防治措施

（1）质量流量控制器MFC翻新：组装焊接工序产生的颗粒物通过设备自带“除尘设施”（TA001）处理，初级清洗、清洗工序产生的TVOC（(略)醇），配粉、陶瓷清洗、整体清洗、质检清洗工序废气通过一级旋流板塔洗涤+两级活性炭吸附”（TA002）处理后通过一根40m高排气筒（DA001）排放。

　 （2）静电卡盘：配粉、陶瓷清洗、整体清洗、质检清洗工序废气通过“一级旋流板塔洗涤+两级活性炭吸附”（TA002）处理后经40m高排气筒（DA001）排放；烘干1、烘干2、胶水熟化、涂胶、粘合、烘干工序通过“三级干式过滤+CO催化燃烧”（TA003）处理后经40m高排气筒（DA001）排放；脱脂1、脱脂2工序废气通过“设备自带环保燃烧设备-净化炉”（TA004）处理后经40m高排气筒（DA001）排放；喷砂工序产生的颗粒物在车间内无组织排放。

　 （3）陶瓷基板：陶瓷基板1切片检查、敷粉陈放、分片除粉划线；陶瓷基板2切片贴框检查、冲孔1、冲孔2、切割工序产生的粉尘在车间内无组织排放；项目陶瓷基板1和陶瓷基板2配粉称重、清洗工序产生的粉尘、有机废气经“一级旋流板塔洗涤+两级活性炭吸附”（TA002）处理后经40m高排气筒（DA001）排放；项目陶瓷基板1、陶瓷基板2脱泡流延工序产生有机废气经“三级干式过滤+CO催化燃烧”（TA003）处理后经40m高排气筒（DA001）排放；项目陶瓷基板1、陶瓷基板2排胶工序产生有机废气通过“设备自带环保燃烧设备-净化炉”（TA005）处理后经40m高排气筒（DA001）排放；陶瓷基板2填空烘干、刮浆烘干工序产生有机废气通过“三级干式过滤+CO催化燃烧”（TA003）处理后经40m高排气筒（DA001）排放。项目陶瓷基板1、陶瓷基板2抛光工序产生的氨气经“一级酸性喷淋+静电除油”（TA009）处理后通过40m高排气筒（DA003）排放；

　 （4）覆铜基板：覆铜基板焊料排胶工序产生的有机废气通过“三级干式过滤+ CO催化燃烧”（TA003）处理后经40m高排气筒（DA001）排放；焊料刻蚀、刻蚀、铜箔氧化等工序产生氮氧化物、氯化氢通过“一级碱性喷淋塔”（TA006）处理后经40m高排气筒（DA002）排放；激光切割工序会产生颗粒物，颗粒物通过“设备自带除尘设施”（TA007、TA008）处理后经40m高排气筒（DA002）排放。

　 （5）研发试验：研发试验中陶瓷粉体的配料、煅烧、破碎、研磨产生的颗粒物经“一级碱性喷淋塔”（TA006）处理后经40m高排气筒（DA002）排放；研发线中切割试验的切割生产的有机废气经“一级酸性喷淋+静电除油”（TA009）处理后通过40m高排气筒（DA003）排放。

（二）废水污染防治措施

　 项目生产废水（一般清洗废水、酸洗废水、喷淋废水）和冷却系统排水经“化学沉淀+两级袋式过滤”预处理后，通过管道输送至先 (略) 理 (略) 理系 (略) 理，处理后的废水排入龙 (略) 理厂；纯水制备产生的浓水直接排入龙 (略) 理厂；生活污水通过三级化 (略) (略) (略) 进入龙 (略) 理厂。

　（三）噪声污染防治措施

　 项目 (略) 布局，选用低噪声设备，并采取墙体隔声、基础减振等降噪措施，确保厂界噪声达标排放。

　（四）固体废物污染防治措施

　 项目员工生活垃圾统一收集后交由环卫部 (略) 理；废零部件、边角料、不合格品、废石墨纸、废砂料废PET模， (略) 回收；项熔融工序产生的熔融底渣料收集后回用于生产；废切削液、废渣、废有机溶液、废显影液、废刻蚀液、废退膜液、废过滤芯、废无尘纸、废包装材料、废活性炭、废材料纤维、废布袋、废催化剂、废机油、废抹布、 (略) 理污泥等属于危险废物，设置危险废物间暂存，定期交由有危 (略) 理资质 (略) 置。

公众参与情况

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