项目名称

节能型功率半导体芯片生产线建设项目

建设地点

天津滨海高新技术产 (略) 华 (略) （环外） (略) 12号

建设单位

TCL环鑫半导体（天津）有限公司

环境影响评价机构

津诚环安（天津） (略)

项目概况

TCL环鑫半导体（天津）有限公司，成立于2008年，原名天津 (略) 于2022年更名，位于天津滨海高新技术产 (略) 华 (略) （环外） (略) 12号。TCL环鑫半导体（天津）有限 (略) 环欧半 (略) 共用B座建筑，该公司拟投资#万元，建设节能型功率半导体芯片生产线建设项目,对B座车间现有6英寸功率半导体芯片生产线进行扩建，主要依托现有生产装置并增加超高温氧化炉、超高温退火炉、刻蚀机、高温离子注入机、等离子去胶机、蒸发台、C膜溅射、背面激光退火、激光退火炉、背面减薄机以及检测设备等设备数量，另有部分设备利用现有生产设备进行升级改造，生产设备合计约60台套。项目投产后现有6英寸SBD、VDMOS、TMBS、FRD功率芯片年产#片产能不变，新增6英寸FRD、IGBT节能型功率半导体芯片年产#片的生产能力。该项目环保投资#元，主要用于营运期废气收集及防治措施、环境风险防控、固体废物收集及贮存措施等。

主要环境影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施

（一）涂胶、显影、有机去胶、胶盘清洗工序有机废气 (略) 收集后，依托现有1套“活性炭吸附-脱附+催化燃烧装置”净化后，经1根现有高度提高至28m排气筒P6排放；车 (略) 域酸碱废气 (略) 收集后，依托现有1套“二级碱液喷淋塔”净化后，经1根现有高度提高至28m排气筒P5排放；车 (略) 域酸碱废气 (略) 收集后，依托现有1套“三级碱液喷淋塔”净化后，经1根现有28m排气筒P9排放。

排气筒P6排放的二#苯、TRVOC、非#烷总烃的排放浓度及排放速率须满足《工业企业挥发性有机物排放控制标准》（DB12/524-2020）相关限值要求，酚类的排放浓度及排放速率须满足《大气污染物综合排放标准》（#）相关限值要求，臭气浓度、#酸#酯排放速率须满足《恶臭污染物排放标准》（DB12/059-2018）相关限值要求；排气筒P5排放的HCl、氟化物、氯气、硫酸雾、二氧化硫、氮氧化物、镍及其化合物排放浓度及排放速率须满足《大气污染物综合排放标准》（#）相关限值要求，氨排放速率及臭气浓度须满足《恶臭污染物排放标准（DB12/059-2018）相关限值要求；排气筒P9排放的HCl、氟化物、氯气、硫酸雾、二氧化硫、氮氧化物、镍及其化合物排放浓度及排放速率须满足《大气污染物综合排放标准》（#）相关限值要求，氨排放速率及臭气浓度须满足《恶臭污染物排放标准》（DB12/059-2018）相关限值要求。

（二）本项目酸碱废水、含氟废水、研磨废水依托中环股 (略) (略) 理，出水根据进水水量由中环股 (略) 理站出水池泵至环鑫半 (略) 污水总排口DW002；镍银生产废水依托现有环鑫镍 (略) (略) 理，废水经车间排口DW001 (略) (略) ，与经化粪池沉淀后的生活污水、清净下水（循环水排污水、超纯水/纯水制备排浓水）混合，一同通过环鑫半导体总排口DW0 (略) (略) ，最终 (略) (略) 理 (略) 理。

车间排口DW001总镍、总银排放浓度须满足《电子工业水污染物排放标准》（#）中1类污染物排放限值要求；厂区总排口DW002排水水质pH、CODCr、SS、石油类、TOC、氨氮、总氮、总磷、LAS、氟化物等污染物排放浓度须满足《电子工业水污染物排放标准》（#）中污染物排放限值，BOD5排放浓度须满足《污水综合排放标准》（DB12/356-2018）三级标准。

（三）室内各生产设备和室外风机、冷却塔等设备为主要噪声源，应优先选用低噪声设备，采取减振、隔声等措施，确保厂界噪声满足《工业企业厂界环境噪声排放标准》（#）3类、4类标准限值要求。

（四）固体废物分类收集。生活垃圾袋装收集， (略) 管理部门清运；废光刻胶、有机去胶废液、废#酮、废异#醇、废汞灯、镍银污泥、空玻璃试剂瓶、空塑料试剂瓶、废碱袋、废化学试剂、沾染废物、废酸、废活性炭纤维毡、废活性炭(含滤材)、含镍废液浓缩污泥、废油、铅酸蓄电池、废硼源（含醇废水、主要成分异#醇）、废塑料环、废硒鼓墨盒、废灯管、COD废液(在线监测装置)、氨氮废液(在线监测装置)属于危险废物，依托现有危险废物暂存间存储，定期交由有资质单 (略) 理；废芯粒及硅片/不合格硅片、废金属靶材及废金属片、纯水制备废树脂、废膜材料属于一般工业固体废物，由物资回 (略) 理。 (略) 置去向合理，避免产生二次污染。

（五）加强对危险物料的管理，制定应急预案，落实各项事故防范、减缓措施，有效避免事故发生。

公众参与情况

--

公示时间

2025年3月11日至2025年3月17日

项目名称

节能型功率半导体芯片生产线建设项目

建设地点

天津滨海高新技术产 (略) 华 (略) （环外） (略) 12号

建设单位

TCL环鑫半导体（天津）有限公司

环境影响评价机构

津诚环安（天津） (略)

项目概况

TCL环鑫半导体（天津）有限公司，成立于2008年，原名天津 (略) 于2022年更名，位于天津滨海高新技术产 (略) 华 (略) （环外） (略) 12号。TCL环鑫半导体（天津）有限 (略) 环欧半 (略) 共用B座建筑，该公司拟投资#万元，建设节能型功率半导体芯片生产线建设项目,对B座车间现有6英寸功率半导体芯片生产线进行扩建，主要依托现有生产装置并增加超高温氧化炉、超高温退火炉、刻蚀机、高温离子注入机、等离子去胶机、蒸发台、C膜溅射、背面激光退火、激光退火炉、背面减薄机以及检测设备等设备数量，另有部分设备利用现有生产设备进行升级改造，生产设备合计约60台套。项目投产后现有6英寸SBD、VDMOS、TMBS、FRD功率芯片年产#片产能不变，新增6英寸FRD、IGBT节能型功率半导体芯片年产#片的生产能力。该项目环保投资#元，主要用于营运期废气收集及防治措施、环境风险防控、固体废物收集及贮存措施等。

主要环境影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施

（一）涂胶、显影、有机去胶、胶盘清洗工序有机废气 (略) 收集后，依托现有1套“活性炭吸附-脱附+催化燃烧装置”净化后，经1根现有高度提高至28m排气筒P6排放；车 (略) 域酸碱废气 (略) 收集后，依托现有1套“二级碱液喷淋塔”净化后，经1根现有高度提高至28m排气筒P5排放；车 (略) 域酸碱废气 (略) 收集后，依托现有1套“三级碱液喷淋塔”净化后，经1根现有28m排气筒P9排放。

排气筒P6排放的二#苯、TRVOC、非#烷总烃的排放浓度及排放速率须满足《工业企业挥发性有机物排放控制标准》（DB12/524-2020）相关限值要求，酚类的排放浓度及排放速率须满足《大气污染物综合排放标准》（#）相关限值要求，臭气浓度、#酸#酯排放速率须满足《恶臭污染物排放标准》（DB12/059-2018）相关限值要求；排气筒P5排放的HCl、氟化物、氯气、硫酸雾、二氧化硫、氮氧化物、镍及其化合物排放浓度及排放速率须满足《大气污染物综合排放标准》（#）相关限值要求，氨排放速率及臭气浓度须满足《恶臭污染物排放标准（DB12/059-2018）相关限值要求；排气筒P9排放的HCl、氟化物、氯气、硫酸雾、二氧化硫、氮氧化物、镍及其化合物排放浓度及排放速率须满足《大气污染物综合排放标准》（#）相关限值要求，氨排放速率及臭气浓度须满足《恶臭污染物排放标准》（DB12/059-2018）相关限值要求。

（二）本项目酸碱废水、含氟废水、研磨废水依托中环股 (略) (略) 理，出水根据进水水量由中环股 (略) 理站出水池泵至环鑫半 (略) 污水总排口DW002；镍银生产废水依托现有环鑫镍 (略) (略) 理，废水经车间排口DW001 (略) (略) ，与经化粪池沉淀后的生活污水、清净下水（循环水排污水、超纯水/纯水制备排浓水）混合，一同通过环鑫半导体总排口DW0 (略) (略) ，最终 (略) (略) 理 (略) 理。

车间排口DW001总镍、总银排放浓度须满足《电子工业水污染物排放标准》（#）中1类污染物排放限值要求；厂区总排口DW002排水水质pH、CODCr、SS、石油类、TOC、氨氮、总氮、总磷、LAS、氟化物等污染物排放浓度须满足《电子工业水污染物排放标准》（#）中污染物排放限值，BOD5排放浓度须满足《污水综合排放标准》（DB12/356-2018）三级标准。

（三）室内各生产设备和室外风机、冷却塔等设备为主要噪声源，应优先选用低噪声设备，采取减振、隔声等措施，确保厂界噪声满足《工业企业厂界环境噪声排放标准》（#）3类、4类标准限值要求。

（四）固体废物分类收集。生活垃圾袋装收集， (略) 管理部门清运；废光刻胶、有机去胶废液、废#酮、废异#醇、废汞灯、镍银污泥、空玻璃试剂瓶、空塑料试剂瓶、废碱袋、废化学试剂、沾染废物、废酸、废活性炭纤维毡、废活性炭(含滤材)、含镍废液浓缩污泥、废油、铅酸蓄电池、废硼源（含醇废水、主要成分异#醇）、废塑料环、废硒鼓墨盒、废灯管、COD废液(在线监测装置)、氨氮废液(在线监测装置)属于危险废物，依托现有危险废物暂存间存储，定期交由有资质单 (略) 理；废芯粒及硅片/不合格硅片、废金属靶材及废金属片、纯水制备废树脂、废膜材料属于一般工业固体废物，由物资回 (略) 理。 (略) 置去向合理，避免产生二次污染。

（五）加强对危险物料的管理，制定应急预案，落实各项事故防范、减缓措施，有效避免事故发生。

公众参与情况

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公示时间

2025年3月11日至2025年3月17日