上海集成电路研发中心有限公司大束流离子注入机应用项目建设项目环境影响登记表
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上海集成电路研发中心有限公司大束流离子注入机应用项目建设项目环境影响登记表
| (略) 集 (略) 有限公司大束流离子注入机应用项目 | |||
| (略) 市直辖市中国（ (略) ）自由贸易试验区高斯路 * 号 | * | ||
| (略) 集 (略) 有限公司 | 赵宇航 | ||
| 戴峻 | |||
| * | * | ||
| 点击查看>> | |||
| 新建 | |||
| * 、建设内容使用大束流离子注入机 * 台 * 、建设规模使用III类射线装置大束流离子注入机 * 台，型号： (略) (略) CIC * ， 设备能量 * ev- * Kev， 束流强度：0- * ma使用地点：FAB净化间设备原理：通过激发高速离子，并让其轰击硅片从而实现调节硅半导体电学特性的目的。 | |||
| 环保措施: * 、污染防治措施 在装置周围加装铅屏蔽墙实现对X射线的屏蔽。设备高压门自带安全联锁装置， 防止误操作。设备有紧急停止按钮，发生议程时可按下，设备立即停电。 * 、警示 (略) 设置电离辐射警示标识和中文警示。 * 、射线监测仪器。 设备工作人员配备个人辐射剂量计，配置手持辐射剂量仪。 * 、管理措施 设置辐射安全管理人员， 制定设备操作流程、检修制度， 人员培训等相关制度，制定辐射事故应急措施。 工作人员取得辐射合格证。定期对辐射剂量仪校准。个人辐射剂量计定期送检并记录在档 | |||
| (略) 集 (略) 有限公司大束流离子注入机应用项目 | |||
| (略) 市直辖市中国（ (略) ）自由贸易试验区高斯路 * 号 | * | ||
| (略) 集 (略) 有限公司 | 赵宇航 | ||
| 戴峻 | |||
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| * 、建设内容使用大束流离子注入机 * 台 * 、建设规模使用III类射线装置大束流离子注入机 * 台，型号： (略) (略) CIC * ， 设备能量 * ev- * Kev， 束流强度：0- * ma使用地点：FAB净化间设备原理：通过激发高速离子，并让其轰击硅片从而实现调节硅半导体电学特性的目的。 | |||
| 环保措施: * 、污染防治措施 在装置周围加装铅屏蔽墙实现对X射线的屏蔽。设备高压门自带安全联锁装置， 防止误操作。设备有紧急停止按钮，发生议程时可按下，设备立即停电。 * 、警示 (略) 设置电离辐射警示标识和中文警示。 * 、射线监测仪器。 设备工作人员配备个人辐射剂量计，配置手持辐射剂量仪。 * 、管理措施 设置辐射安全管理人员， 制定设备操作流程、检修制度， 人员培训等相关制度，制定辐射事故应急措施。 工作人员取得辐射合格证。定期对辐射剂量仪校准。个人辐射剂量计定期送检并记录在档 | |||
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