江西圆融光电科技有限公司新建年产450万片外延片和芯片生产线（二期）项目

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江西圆融光电科技有限公司新建年产450万片外延片和芯片生产线（二期）项目


项目信息
备案项目编号 点击查看>> - * - 点击查看>>
项目名称 (略) (略) 新建年产 * 万片外延片和芯片生产线（ * 期）项目
(略) 属区域 (略) 区
建设地点详情 (略) 省, (略) 市, (略) 区
详细地址 (略) 工业园 (略) 中路1号
项目总投资 * 2. * 万元
建设规模及内容本项目总占地面积 * 8.5㎡，总建筑面积 * 8. * ㎡，其中： (略) 房 * 8. * ㎡、仓库 * . * ㎡、综合楼 * . * ㎡。 (略) 区内给排水、强弱电、绿化、道路、消防等基础设施。购置生产及检测设备 * 台（套），项目建成投产后，形成年产 * 万片外延片和芯片的规模。外延片生产流程：先将蓝宝石衬底放入AlN溅射设备中预镀AlN薄膜，形成 * - * nm厚的AlN缓冲层，然后再将预镀了AlN缓冲层的蓝宝石衬底放入金属有机物化学气相沉积炉（即MOCVD，简称外延炉），高纯氨气（NH3）和含有镓、铟、铝等元素的有机金属源（如TMGa、TMIn、TMAl等）分别作为N源和金属源，硅烷（SiH4）和 * 茂镁（Cp2Mg）分别作为n型和p型的掺杂源；蓝宝石衬底在外延炉内升温至 * ℃左右生长1.5μm左右的不掺杂GaN，作为整个外延层的“基石”；然后通入SiH4，在此温度下再生长1.5μm左右的n型GaN；接着降温至 * ℃左右生长多量子阱结构，多量子阱由多组InGaN/GaN组成，量子阱作为发光区域，决定了外延片的波长、亮度等光电参数；然后升温至 * ℃左右通入Cp2Mg，生长p型AlGaN，作为电子阻挡层，用以将电子限制在量子阱区域；最后生长p型GaN层，形成了pn结，最终得到了用于发光 * 极管的外延片。芯片生产流程：芯片生产是在 (略) 进 * 步操作。生长完毕的外延片，经过化学清洗、金属镀膜、合金退火、光刻、等离子刻蚀及切割等工艺制成芯片产品，最后经过对产品光电参数的测试和分拣，最后成品入库。
建设单位 (略) (略)
开工时间 * 年
竣工时间 * 年
项目类型备案
备案状态已备案

项目信息
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项目名称 (略) (略) 新建年产 * 万片外延片和芯片生产线（ * 期）项目
(略) 属区域 (略) 区
建设地点详情 (略) 省, (略) 市, (略) 区
详细地址 (略) 工业园 (略) 中路1号
项目总投资 * 2. * 万元
建设规模及内容本项目总占地面积 * 8.5㎡，总建筑面积 * 8. * ㎡，其中： (略) 房 * 8. * ㎡、仓库 * . * ㎡、综合楼 * . * ㎡。 (略) 区内给排水、强弱电、绿化、道路、消防等基础设施。购置生产及检测设备 * 台（套），项目建成投产后，形成年产 * 万片外延片和芯片的规模。外延片生产流程：先将蓝宝石衬底放入AlN溅射设备中预镀AlN薄膜，形成 * - * nm厚的AlN缓冲层，然后再将预镀了AlN缓冲层的蓝宝石衬底放入金属有机物化学气相沉积炉（即MOCVD，简称外延炉），高纯氨气（NH3）和含有镓、铟、铝等元素的有机金属源（如TMGa、TMIn、TMAl等）分别作为N源和金属源，硅烷（SiH4）和 * 茂镁（Cp2Mg）分别作为n型和p型的掺杂源；蓝宝石衬底在外延炉内升温至 * ℃左右生长1.5μm左右的不掺杂GaN，作为整个外延层的“基石”；然后通入SiH4，在此温度下再生长1.5μm左右的n型GaN；接着降温至 * ℃左右生长多量子阱结构，多量子阱由多组InGaN/GaN组成，量子阱作为发光区域，决定了外延片的波长、亮度等光电参数；然后升温至 * ℃左右通入Cp2Mg，生长p型AlGaN，作为电子阻挡层，用以将电子限制在量子阱区域；最后生长p型GaN层，形成了pn结，最终得到了用于发光 * 极管的外延片。芯片生产流程：芯片生产是在 (略) 进 * 步操作。生长完毕的外延片，经过化学清洗、金属镀膜、合金退火、光刻、等离子刻蚀及切割等工艺制成芯片产品，最后经过对产品光电参数的测试和分拣，最后成品入库。
建设单位 (略) (略)
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