基于单晶AlN的高性能薄膜腔声谐振滤波器关键材料与器件研发及产业化
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基于单晶AlN的高性能薄膜腔声谐振滤波器关键材料与器件研发及产业化
| 项目信息 | |
|---|---|
| 备案项目编号 | 点击查看>> - * - 点击查看>> |
| 项目名称 | 基于单晶AlN的高性能薄膜腔声谐振滤波器关键材料与器件研发及产业化 |
| (略) 在地 | (略) 市 (略) 区 (略) * 路 (略) 市 (略) |
| 项目总投资 | * 0.0万元 |
| 项目规模及内容 | 拟扩 (略) 房共占地面积 * 平方米， (略) 房建两层，总建筑面积 * 平方米左右。项目拟投资2亿元，搭建两条完整的生产线，主要研究和实现用于4G及5G通讯的高性能FBAR滤波器芯片，频率覆盖2.5~6GHz， (略) 需求设计并制备出相应频段的分立器件。拟采购的关键设备主要有PECVD、PVD成膜设备等。 |
| 建设单位 | (略) 市 (略) |
| 备案机关 | (略) 市 (略) 技术 (略) (略) |
| 备案申报日期 | * 日 |
| 复核通过日期 | * 日 |
| 项目起止年限 | * 日- * 日 |
| 项目当前状态 | 办结（通过） |
| 项目信息 | |
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| 备案项目编号 | 点击查看>> - * - 点击查看>> |
| 项目名称 | 基于单晶AlN的高性能薄膜腔声谐振滤波器关键材料与器件研发及产业化 |
| (略) 在地 | (略) 市 (略) 区 (略) * 路 (略) 市 (略) |
| 项目总投资 | * 0.0万元 |
| 项目规模及内容 | 拟扩 (略) 房共占地面积 * 平方米， (略) 房建两层，总建筑面积 * 平方米左右。项目拟投资2亿元，搭建两条完整的生产线，主要研究和实现用于4G及5G通讯的高性能FBAR滤波器芯片，频率覆盖2.5~6GHz， (略) 需求设计并制备出相应频段的分立器件。拟采购的关键设备主要有PECVD、PVD成膜设备等。 |
| 建设单位 | (略) 市 (略) |
| 备案机关 | (略) 市 (略) 技术 (略) (略) |
| 备案申报日期 | * 日 |
| 复核通过日期 | * 日 |
| 项目起止年限 | * 日- * 日 |
| 项目当前状态 | 办结（通过） |
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