硅锗化学气相外延系统招标预告
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硅锗化学气相外延系统招标预告
| 硅锗化学气相外延系统 | |
| (略) 在采购意向： | (略) * 年9月政府采购意向 |
| 采购单位： | (略) |
| 采购项目名称： | 硅锗化学气相外延系统 |
| 预算金额： | * . 点击查看>> 万元(人民币) |
| 采购品目： |
A 点击查看>> 分析仪器 |
| 采购需求概况： |
标的：硅锗化学气相外延系统；主要功能：用于硅、锗IV族半导体选择性单晶CVD外延生长;用于GeSi光电探测器/调制器及应变硅的研究数量：1台；质量：可以实现锗、硅、锗硅选择性外延；基片：<=4"；最高温度 * C；配置H2、GeH4？SIH4、B2H6/H2、PH3/H2、工艺N2等工艺气路；服务：1年质保；安全：无特别要求。 |
| 预计采购时间： | 点击查看>> |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排， (略) 和采购文件为准。
| 硅锗化学气相外延系统 | |
| (略) 在采购意向： | (略) * 年9月政府采购意向 |
| 采购单位： | (略) |
| 采购项目名称： | 硅锗化学气相外延系统 |
| 预算金额： | * . 点击查看>> 万元(人民币) |
| 采购品目： |
A 点击查看>> 分析仪器 |
| 采购需求概况： |
标的：硅锗化学气相外延系统；主要功能：用于硅、锗IV族半导体选择性单晶CVD外延生长;用于GeSi光电探测器/调制器及应变硅的研究数量：1台；质量：可以实现锗、硅、锗硅选择性外延；基片：<=4"；最高温度 * C；配置H2、GeH4？SIH4、B2H6/H2、PH3/H2、工艺N2等工艺气路；服务：1年质保；安全：无特别要求。 |
| 预计采购时间： | 点击查看>> |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排， (略) 和采购文件为准。
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