浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹）2021年1月至5月政府采购意向-硅基异质集成芯片技术创新示范平台
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浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹）2021年1月至5月政府采购意向-硅基异质集成芯片技术创新示范平台
| 序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 预算金额（元） | 预计采购时间（填写到月） | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：等离子体化学气相沉积系统 数量：1套 技术要求：1、适用于8寸晶圆沉积参杂 * 氧化硅薄膜；2、膜厚均匀性（@7微米）片内＜3%，片间＜3%；3、退火后薄膜粗糙度＜± * 纳米；4、退火后折射率均匀性（@7微米）片内＜±0. * ，片见＜±0. * ；5、 * 次工艺大于0.2微米颗粒增加数量＜ * 颗/片；6、薄膜应力： * 次性生长 * 微米，退火后没有膜裂现象；7、确保以上指标的沉积速率＞ * 纳米每分钟；8、设备保修周 (略) 时长＞ * % | 点击查看>> | * 年 * 月 | |
| 2 | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：电感耦合等离子体刻蚀系统 数量：2套 设备1技术要求：1、适用于8寸晶圆刻蚀氧化硅/氮化硅膜层；2、利用金属掩模刻蚀氧化硅/氮化硅膜层，刻蚀选择比＞ * ；3、刻蚀均匀性，片内＜2%，片间＜2%；4、CD Lose＜0.2微米（0.6微米开口，7微米深度）；5、CD均匀性，片内＜2%，片间＜2%；6、侧壁陡直度在 * 度~ * 度；7、0.6微米开口刻蚀能力＞7微米深度；8、侧壁粗超度（@7微米）＜ * nm；9、确保以上指标的刻蚀速率＞ * 纳米每分钟； * 、设备保修周 (略) 时长＞ * %； 设备2技术要求：相比设备技术要求增加深硅刻蚀能力，刻蚀选择比＞ * ；其他指标同设备1； | * | * 年 * 月 | |
| 3 | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：低压化学气相沉积系统 数量：1套 技术要求：1、适用于8寸晶圆沉积氧化硅/氮化硅膜层；2、采用双炉管设计，炉管1沉积氧化硅膜层，炉管2采用TOES源沉积氮化硅膜层；3、膜厚均匀性，片内＜5%，片间＜3%，批间＜3%；4、温度稳定性＜1摄氏度/ * 小时；5、恒温区温度控制精度＜±1摄氏度；6、气体流量设定精度＜1%；7、确保以上指标的沉积速率＞8纳米每分钟； * 、设备保修周 (略) 时长＞ * %； | 点击查看>> | * 年 * 月 | |
| 4 | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：物理气相沉积系统 数量：1套 技术要求：1、适用8寸晶圆溅射金属薄膜；2、样品厚度限制＞5mm；3、主要靶材Au/Cr/Ti/Etch，采用单腔多靶型腔室，靶材采用小型靶材；4、3KW以上直流溅射电源， * W射频溅射电源；5、工艺腔室真空优于 5E-5Pa；6、片内均匀性优于±3%；7、片间均匀性优于±3%；8、重复性优于±2%；9、设备保修周 (略) 时长＞ * %； | 点击查看>> | * 年 * 月 | |
| 5 | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：全自动匀胶显影系统 数量：1套 技术要求：1、适用于8寸晶圆沉积参杂氧化硅薄膜；2、光刻胶厚度均匀性（@3微米）片内＜3%，片间＜3%；3、显影均匀性（@3微米）片内＜5%，片间＜5%；4、匀胶单元1个，显影单元1个；5、光刻胶3路，RRC1路，显影液2路，DIW定影1路；6、热板3个，冷板2个，HMDS单元1个；7、配备CUP自动清洗、胶嘴自动清洗、自动对中等辅助功能；8、配备机器人自动传送系统；9、设备保修周 (略) 时长＞ * % | 点击查看>> | * 年 * 月 | |
| 6 | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：退火炉 数量：4套 技术要求：1、适用于 (略) 退火工艺；2、最大工作温度＞ * 摄氏度；3、炉管置式：立式；4、温度控制精度＜±1摄氏度；5、升温速率＞5摄氏度每分钟；6、设备保修周 (略) 时长＞ * % | 点击查看>> | * 年 * 月 | |
| 7 | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：甩干机 数量：1套 技术要求：1、采用单工艺腔设计，适用 (略) 甩干工艺；2、采用PLC或工控机控制；3、 (略) 腔体自净工艺；4、带水质和氮气检测系统；5、清洗颗粒度标准：大于0.3微米＜ * 颗；6、设备保修周 (略) 时长＞ * % | 点击查看>> | * 年 * 月 | |
| 8 | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：清洗机 数量：5套 技术要求：1、适用 * 次性清洗 * 片8寸晶圆；2、5台设备配置：设备1，纯水槽+操作台面；设备2，纯水槽+有机槽+操作台面，带回收；设备3，3个酸液槽+纯水槽，带回收；设备4，3个碱液槽+纯水槽，带回收；设备5，炉管清洗，带回收和炉管放置柜；3、清洗机设备均采用PLC控制；4、设备保修周 (略) 时长＞ * % | 点击查看>> | * 年 * 月 | |
| 9 | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：棱镜耦合仪 数量：1套 技术要求：1、8寸晶圆膜厚和折射率测试；2、折射率测试范围：1~1.8；3、折射率测试精度＜±0. * ；4、折射率分辨率≤0. * 5；5、膜厚测试范围：0.5微米~ * 微米；6、膜厚精度≤±（0.5%+5纳米）；7、膜厚分辨率≤0.3%；8、可测试膜层数≥3层；9、测试波长： * 纳米、 * 纳米、 * 纳米； * 、配套稳定品牌PC、显示器、测试软件； * 、设备保修周 (略) 时长＞ * % | * | * 年 * 月 | |
| * | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：台阶仪 数量：1套 技术要求：1、适用8寸晶圆测试图形台阶；2、台阶高度重复性1σ* 1um台阶上；3、扫描长度＞ * mm；4、垂直测量范围＞1mm；5、原厂CCD带测试软件主机和显示器；6、配备2微米探针；7、设备保修周 (略) 时长＞ * % | 点击查看>> | * 年 * 月 | |
| * | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：扫描电子显微系统 数量：1套 技术要求：1、标称放大倍数 * X~ 点击查看>> X以上；2、配备 * 次电子成像，预留EDS接口；3、带主机、 (略) 测试软件；4、载物台 * mm× * mm以上；5、配备5轴马达；6、配套喷金仪及靶材 * 套；7、设备保修周 (略) 时长＞ * % | 点击查看>> | * 年 * 月 | |
| * | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：金相显微系统 数量：2套 技术要求：1、适用 (略) 观察；2、标准光学显微系统，配置5×, * ×, * ×, * ×, * ×原厂PLAN镜头；3、配置下光源；4、配置活动可调节目镜；5、原厂CCD带主机显示器和测量软件，预留偏光/干涉接口；6、设备保修周 (略) 时长＞ * % | 点击查看>> | * 年 * 月 | |
| * | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：无尘干燥箱 数量：2套 技术要求：1、内部空间 * * * * * 以上，双隔层；2、循环风过滤；3、PLC控制；4、温度室温~ * 度可调，控温进度±2度；5、设备保修周 (略) 时长＞ * % | * 0 | * 年 * 月 | |
| * | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：光学平台 数量：1批（预计5台） 技术要求： * * * * * ，氮气/CDA充压防震 | * 0 | * 年 * 月 | |
| * | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：氮气柜 数量：1批（预计5台） 技术要求： * L，5层隔板，充氮干燥，湿度控制＜ * % * L，5层隔板，充氮干燥，湿度控制＜ * % | * 0 | * 年 * 月 |
| 序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 预算金额（元） | 预计采购时间（填写到月） | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：等离子体化学气相沉积系统 数量：1套 技术要求：1、适用于8寸晶圆沉积参杂 * 氧化硅薄膜；2、膜厚均匀性（@7微米）片内＜3%，片间＜3%；3、退火后薄膜粗糙度＜± * 纳米；4、退火后折射率均匀性（@7微米）片内＜±0. * ，片见＜±0. * ；5、 * 次工艺大于0.2微米颗粒增加数量＜ * 颗/片；6、薄膜应力： * 次性生长 * 微米，退火后没有膜裂现象；7、确保以上指标的沉积速率＞ * 纳米每分钟；8、设备保修周 (略) 时长＞ * % | 点击查看>> | * 年 * 月 | |
| 2 | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：电感耦合等离子体刻蚀系统 数量：2套 设备1技术要求：1、适用于8寸晶圆刻蚀氧化硅/氮化硅膜层；2、利用金属掩模刻蚀氧化硅/氮化硅膜层，刻蚀选择比＞ * ；3、刻蚀均匀性，片内＜2%，片间＜2%；4、CD Lose＜0.2微米（0.6微米开口，7微米深度）；5、CD均匀性，片内＜2%，片间＜2%；6、侧壁陡直度在 * 度~ * 度；7、0.6微米开口刻蚀能力＞7微米深度；8、侧壁粗超度（@7微米）＜ * nm；9、确保以上指标的刻蚀速率＞ * 纳米每分钟； * 、设备保修周 (略) 时长＞ * %； 设备2技术要求：相比设备技术要求增加深硅刻蚀能力，刻蚀选择比＞ * ；其他指标同设备1； | * | * 年 * 月 | |
| 3 | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：低压化学气相沉积系统 数量：1套 技术要求：1、适用于8寸晶圆沉积氧化硅/氮化硅膜层；2、采用双炉管设计，炉管1沉积氧化硅膜层，炉管2采用TOES源沉积氮化硅膜层；3、膜厚均匀性，片内＜5%，片间＜3%，批间＜3%；4、温度稳定性＜1摄氏度/ * 小时；5、恒温区温度控制精度＜±1摄氏度；6、气体流量设定精度＜1%；7、确保以上指标的沉积速率＞8纳米每分钟； * 、设备保修周 (略) 时长＞ * %； | 点击查看>> | * 年 * 月 | |
| 4 | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：物理气相沉积系统 数量：1套 技术要求：1、适用8寸晶圆溅射金属薄膜；2、样品厚度限制＞5mm；3、主要靶材Au/Cr/Ti/Etch，采用单腔多靶型腔室，靶材采用小型靶材；4、3KW以上直流溅射电源， * W射频溅射电源；5、工艺腔室真空优于 5E-5Pa；6、片内均匀性优于±3%；7、片间均匀性优于±3%；8、重复性优于±2%；9、设备保修周 (略) 时长＞ * %； | 点击查看>> | * 年 * 月 | |
| 5 | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：全自动匀胶显影系统 数量：1套 技术要求：1、适用于8寸晶圆沉积参杂氧化硅薄膜；2、光刻胶厚度均匀性（@3微米）片内＜3%，片间＜3%；3、显影均匀性（@3微米）片内＜5%，片间＜5%；4、匀胶单元1个，显影单元1个；5、光刻胶3路，RRC1路，显影液2路，DIW定影1路；6、热板3个，冷板2个，HMDS单元1个；7、配备CUP自动清洗、胶嘴自动清洗、自动对中等辅助功能；8、配备机器人自动传送系统；9、设备保修周 (略) 时长＞ * % | 点击查看>> | * 年 * 月 | |
| 6 | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：退火炉 数量：4套 技术要求：1、适用于 (略) 退火工艺；2、最大工作温度＞ * 摄氏度；3、炉管置式：立式；4、温度控制精度＜±1摄氏度；5、升温速率＞5摄氏度每分钟；6、设备保修周 (略) 时长＞ * % | 点击查看>> | * 年 * 月 | |
| 7 | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：甩干机 数量：1套 技术要求：1、采用单工艺腔设计，适用 (略) 甩干工艺；2、采用PLC或工控机控制；3、 (略) 腔体自净工艺；4、带水质和氮气检测系统；5、清洗颗粒度标准：大于0.3微米＜ * 颗；6、设备保修周 (略) 时长＞ * % | 点击查看>> | * 年 * 月 | |
| 8 | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：清洗机 数量：5套 技术要求：1、适用 * 次性清洗 * 片8寸晶圆；2、5台设备配置：设备1，纯水槽+操作台面；设备2，纯水槽+有机槽+操作台面，带回收；设备3，3个酸液槽+纯水槽，带回收；设备4，3个碱液槽+纯水槽，带回收；设备5，炉管清洗，带回收和炉管放置柜；3、清洗机设备均采用PLC控制；4、设备保修周 (略) 时长＞ * % | 点击查看>> | * 年 * 月 | |
| 9 | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：棱镜耦合仪 数量：1套 技术要求：1、8寸晶圆膜厚和折射率测试；2、折射率测试范围：1~1.8；3、折射率测试精度＜±0. * ；4、折射率分辨率≤0. * 5；5、膜厚测试范围：0.5微米~ * 微米；6、膜厚精度≤±（0.5%+5纳米）；7、膜厚分辨率≤0.3%；8、可测试膜层数≥3层；9、测试波长： * 纳米、 * 纳米、 * 纳米； * 、配套稳定品牌PC、显示器、测试软件； * 、设备保修周 (略) 时长＞ * % | * | * 年 * 月 | |
| * | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：台阶仪 数量：1套 技术要求：1、适用8寸晶圆测试图形台阶；2、台阶高度重复性1σ* 1um台阶上；3、扫描长度＞ * mm；4、垂直测量范围＞1mm；5、原厂CCD带测试软件主机和显示器；6、配备2微米探针；7、设备保修周 (略) 时长＞ * % | 点击查看>> | * 年 * 月 | |
| * | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：扫描电子显微系统 数量：1套 技术要求：1、标称放大倍数 * X~ 点击查看>> X以上；2、配备 * 次电子成像，预留EDS接口；3、带主机、 (略) 测试软件；4、载物台 * mm× * mm以上；5、配备5轴马达；6、配套喷金仪及靶材 * 套；7、设备保修周 (略) 时长＞ * % | 点击查看>> | * 年 * 月 | |
| * | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：金相显微系统 数量：2套 技术要求：1、适用 (略) 观察；2、标准光学显微系统，配置5×, * ×, * ×, * ×, * ×原厂PLAN镜头；3、配置下光源；4、配置活动可调节目镜；5、原厂CCD带主机显示器和测量软件，预留偏光/干涉接口；6、设备保修周 (略) 时长＞ * % | 点击查看>> | * 年 * 月 | |
| * | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：无尘干燥箱 数量：2套 技术要求：1、内部空间 * * * * * 以上，双隔层；2、循环风过滤；3、PLC控制；4、温度室温~ * 度可调，控温进度±2度；5、设备保修周 (略) 时长＞ * % | * 0 | * 年 * 月 | |
| * | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：光学平台 数量：1批（预计5台） 技术要求： * * * * * ，氮气/CDA充压防震 | * 0 | * 年 * 月 | |
| * | 硅基异质集成芯片技术创新示范平台 | 名称：氮气柜 数量：1批（预计5台） 技术要求： * L，5层隔板，充氮干燥，湿度控制＜ * % * L，5层隔板，充氮干燥，湿度控制＜ * % | * 0 | * 年 * 月 |
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