A 点击查看>> 真空应用设备

1. 具备溅射4英寸及以下尺寸基片的能力；2. 4英寸硅片成膜均匀性至少达到±2.5%； 3. 样品台可以在0- * RPM的范围内匀速转动；样品台可加热，可在氧气环境下加热（ * Pa），加热温度≥ * ℃，PID温控精度≤±1℃；热电偶位置固定，不会因为装卸样品的震动发生变化；热电偶可以准确反映样品台的真实温度，热电偶和样品台温度误差小于±5℃；4. 至少配置8套2英寸超高真空强磁靶枪（共聚焦设计及防氧化设计，且靶枪可在磁性和非磁性工作模式下转换），强磁靶可沉积3mm厚磁性材料；靶材可耐受样品台加热到≥ * ℃；每个靶均可以使用直流或射频电源保证每个靶都可以生长金属和氧化物。生长速度可控，可以使实现1nm以下超薄金属和氧化物薄膜的制备；5. (略) 反应溅 (略) ，采用向上溅射工作模式，工作距离可调节；靶枪偏转角度可在真空 (略) 位调节；6. 主腔体需要预留定制法兰接口适配器，后续集成MBE等其他超高真空腔体，用于腔室间样品传输；腔体预留RHEED等集成接口，满足后续升级需求；7. 靶枪电源包括：不少于3个高性能进口直流电源（功率不小于 * W 直流电源，及相对应的含3路开关箱和输出电缆）和1个高性能进口射频电源（功率不小于 * W）， (略) 络及输出电缆以及1个射频电源开关箱和电缆；以上电源可以同时使用；8. 配置1套喷砂机，可定期清洁腔室；9. 预真空室配置磁性传片杆，配置Cassette基片片盒，包含波纹管升降装置和至少3个可移动样品托盘； * .真空系统配备高性能进口分子泵组系统，极限真空度至少达到1* * -6 Pa； * . 至少配置3路MKS工艺气体管路（N2、O2、Ar），带气动隔离阀和过滤器；1路快速充气破真空系统。

A 点击查看>> 真空应用设备

1. 具备溅射4英寸及以下尺寸基片的能力；2. 4英寸硅片成膜均匀性至少达到±2.5%； 3. 样品台可以在0- * RPM的范围内匀速转动；样品台可加热，可在氧气环境下加热（ * Pa），加热温度≥ * ℃，PID温控精度≤±1℃；热电偶位置固定，不会因为装卸样品的震动发生变化；热电偶可以准确反映样品台的真实温度，热电偶和样品台温度误差小于±5℃；4. 至少配置8套2英寸超高真空强磁靶枪（共聚焦设计及防氧化设计，且靶枪可在磁性和非磁性工作模式下转换），强磁靶可沉积3mm厚磁性材料；靶材可耐受样品台加热到≥ * ℃；每个靶均可以使用直流或射频电源保证每个靶都可以生长金属和氧化物。生长速度可控，可以使实现1nm以下超薄金属和氧化物薄膜的制备；5. (略) 反应溅 (略) ，采用向上溅射工作模式，工作距离可调节；靶枪偏转角度可在真空 (略) 位调节；6. 主腔体需要预留定制法兰接口适配器，后续集成MBE等其他超高真空腔体，用于腔室间样品传输；腔体预留RHEED等集成接口，满足后续升级需求；7. 靶枪电源包括：不少于3个高性能进口直流电源（功率不小于 * W 直流电源，及相对应的含3路开关箱和输出电缆）和1个高性能进口射频电源（功率不小于 * W）， (略) 络及输出电缆以及1个射频电源开关箱和电缆；以上电源可以同时使用；8. 配置1套喷砂机，可定期清洁腔室；9. 预真空室配置磁性传片杆，配置Cassette基片片盒，包含波纹管升降装置和至少3个可移动样品托盘； * .真空系统配备高性能进口分子泵组系统，极限真空度至少达到1* * -6 Pa； * . 至少配置3路MKS工艺气体管路（N2、O2、Ar），带气动隔离阀和过滤器；1路快速充气破真空系统。