季华实验室2021年02月至2021年04月政府采购意向
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季华实验室2021年02月至2021年04月政府采购意向
为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《 (略) 关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔 * 〕 * 号）等有关规定，现将本单位 * 年 * 月至 * 年 * 月采购意向公开如下：
| 序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 预算金额(元) | 预计采购时间 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 季华实验室 * 寸高端芯片制造用镀膜装备采购项目 | 标的名称: * 寸高端芯片制造用镀膜装备；标的数量:1；主要功能或目标:半导体金属薄膜沉积及金属化工艺分析； VHF等离子体OES在线监测，配射频电源测试端口； 超高真空泵组：超高真空获得及检测系统；需满足的要求:满足半导体 * 晶圆片 * - * nm制备工艺的半导体微波、射频、直流电源多模块、薄膜规、低 (略) 件的应用测试；； | * , * , * . * | * 年 * 月 | |
| 2 | 季华实验室分子束外延装备采购项目 | 标的名称:分子束外延装备；标的数量:1；主要功能或目标:基于基本的MBE装备，搭建特定源炉、标准负载锁和加热器；并重点开发MBE的扫描目标系统、高压RHEED在线监测。；需满足的要求:设备开发束源满足GaAs、AlGaAs外延生长。； | 6, * , * . * | * 年 * 月 | |
| 3 | 季华实验室碳基真空薄膜沉积装备测试平台采购项目 | 标的名称:碳基真空薄膜沉积装备测试平台；标的数量:1；主要功能或目标:基于DLC、金刚石等碳基材料气相沉积及工艺分析及直流及低频电源验证的装备开发。；需满足的要求:匹配电 (略) 件最终满足DLC、金刚石等碳基材料气相沉积工艺。； | 3, * , * . * | * 年 * 月 | |
| 4 | 季华实验室基于等离子体开发的多功能镀膜设备采购项目 | 标的名称:基于等离子体开发的多功能镀膜设备；标的数量:1；主要功能或目标:等离子体源产品开发系统：匹配半导体装备及射频等中低频电源 (略) 件的RPS及其离子源等产品的开发、验证、测试。；需满足的要求:满足PVD、ARC、ICP等高端半导体制造设备的研发测试等。； | 3, * , * . * | * 年 * 月 | |
| 5 | 季华实验室 * M电源及单板开发系统采购项目 | 标的名称: * M电源及单板开发系统；标的数量:1；主要功能或目标:设备包含：主控制设备、射频检测测量设备、负载阻抗匹配设备、射频发生器等4大模块。可完成高频频谱分析测试、元器件的温度数据、耐压参数、电感、电容、电阻等参数的测试，可用于电源高压浮地信号的测量；可完成使用已知的连续波信号来测量射频和微波器件；用于电源及相关电子元器件的测试；高精度标准电源校准；以及电源电压、电流、电阻、 * V电源的输出，同时可测量电压、电流、电阻信号；电源输出电压、频率可调。；需满足的要求:本射频电源验证设备需满足 * M射频电源整机的黑盒测试，设备包含4大功能性系统，各系统需集成为 * 个整体的电源测试平台。； | 3, * , * . * | * 年 * 月 | |
| 6 | 季华实验室石墨托盘的CVD涂覆设备 | 标的名称:石墨托盘的CVD涂覆设备；标的数量:1；主要功能或目标:开发半导体外延生长用石墨盘的SiC涂覆设备；需满足的要求:满足在石墨基片上涂覆SiC涂层的工艺要求； | * , * . * | * 年 * 月 | |
| 7 | 季华实验室难熔靶材CVD设备采购项目 | 标的名称:难熔靶材CVD设备；标的数量:1；主要功能或目标:半导体制备用W、Ta、Ti等高纯难熔靶材的CVD制备设备。；需满足的要求:满足高纯难熔材料CVD制备的工艺要求； | * , * . * | * 年 * 月 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排， (略) 和采购文件为准。
季华实验室
* 日
为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《 (略) 关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔 * 〕 * 号）等有关规定，现将本单位 * 年 * 月至 * 年 * 月采购意向公开如下：
| 序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 预算金额(元) | 预计采购时间 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 季华实验室 * 寸高端芯片制造用镀膜装备采购项目 | 标的名称: * 寸高端芯片制造用镀膜装备；标的数量:1；主要功能或目标:半导体金属薄膜沉积及金属化工艺分析； VHF等离子体OES在线监测，配射频电源测试端口； 超高真空泵组：超高真空获得及检测系统；需满足的要求:满足半导体 * 晶圆片 * - * nm制备工艺的半导体微波、射频、直流电源多模块、薄膜规、低 (略) 件的应用测试；； | * , * , * . * | * 年 * 月 | |
| 2 | 季华实验室分子束外延装备采购项目 | 标的名称:分子束外延装备；标的数量:1；主要功能或目标:基于基本的MBE装备，搭建特定源炉、标准负载锁和加热器；并重点开发MBE的扫描目标系统、高压RHEED在线监测。；需满足的要求:设备开发束源满足GaAs、AlGaAs外延生长。； | 6, * , * . * | * 年 * 月 | |
| 3 | 季华实验室碳基真空薄膜沉积装备测试平台采购项目 | 标的名称:碳基真空薄膜沉积装备测试平台；标的数量:1；主要功能或目标:基于DLC、金刚石等碳基材料气相沉积及工艺分析及直流及低频电源验证的装备开发。；需满足的要求:匹配电 (略) 件最终满足DLC、金刚石等碳基材料气相沉积工艺。； | 3, * , * . * | * 年 * 月 | |
| 4 | 季华实验室基于等离子体开发的多功能镀膜设备采购项目 | 标的名称:基于等离子体开发的多功能镀膜设备；标的数量:1；主要功能或目标:等离子体源产品开发系统：匹配半导体装备及射频等中低频电源 (略) 件的RPS及其离子源等产品的开发、验证、测试。；需满足的要求:满足PVD、ARC、ICP等高端半导体制造设备的研发测试等。； | 3, * , * . * | * 年 * 月 | |
| 5 | 季华实验室 * M电源及单板开发系统采购项目 | 标的名称: * M电源及单板开发系统；标的数量:1；主要功能或目标:设备包含：主控制设备、射频检测测量设备、负载阻抗匹配设备、射频发生器等4大模块。可完成高频频谱分析测试、元器件的温度数据、耐压参数、电感、电容、电阻等参数的测试，可用于电源高压浮地信号的测量；可完成使用已知的连续波信号来测量射频和微波器件；用于电源及相关电子元器件的测试；高精度标准电源校准；以及电源电压、电流、电阻、 * V电源的输出，同时可测量电压、电流、电阻信号；电源输出电压、频率可调。；需满足的要求:本射频电源验证设备需满足 * M射频电源整机的黑盒测试，设备包含4大功能性系统，各系统需集成为 * 个整体的电源测试平台。； | 3, * , * . * | * 年 * 月 | |
| 6 | 季华实验室石墨托盘的CVD涂覆设备 | 标的名称:石墨托盘的CVD涂覆设备；标的数量:1；主要功能或目标:开发半导体外延生长用石墨盘的SiC涂覆设备；需满足的要求:满足在石墨基片上涂覆SiC涂层的工艺要求； | * , * . * | * 年 * 月 | |
| 7 | 季华实验室难熔靶材CVD设备采购项目 | 标的名称:难熔靶材CVD设备；标的数量:1；主要功能或目标:半导体制备用W、Ta、Ti等高纯难熔靶材的CVD制备设备。；需满足的要求:满足高纯难熔材料CVD制备的工艺要求； | * , * . * | * 年 * 月 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排， (略) 和采购文件为准。
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