(略) (略) * 年4月采购意向项目政府采购意向为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《 (略) 关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔 * 〕 * 号）等有关规定， (略) * 年4月采购意向项目采购意向公开如下：序号采购项目名称采购品目采购需求概况预算金额（万元）预 计采 购时间备注1反应离子刻蚀机A 点击查看>> 电子工业专用生产设备反应离子刻蚀设备，实现对硅和硅化合物、例如SiO2、SiNx、SiC等材料的 干 法 刻 蚀 。1.样品尺寸：兼容6英吋及以下尺寸的晶圆和碎片，不同尺寸样片之间的切换无需停机开腔、无需破真空。2.反应腔由整块铝锭加工制成，本底真空≤1E-6mbar，漏率≤2E-4mbar.l/s。3.下电极配置背氦冷却和机械卡盘，通过外置循环温控器chiller和内置电阻 (略) 温度控制， 点击查看>>
控温范围- * °C...+ * °C，控温精度±1°C。4.上电极：接地；下电极：射频驱动。未来可通过在上电极加装ICP源（感应耦合等离子体源）、升级 为ICP-RIE刻 蚀 机 。5.射 频 源 ： 频 率 * . * MHz，功率 * W，反射功率<5%。6.真空系统：配置磁浮涡轮分子泵、抽速 * L/s，前级干泵、抽速 * m3/h。配置DN * 节流阀、薄膜电容真空计、潘宁真空规等。7.气路系统：包括至少6路工艺气路（O2/Ar/SF6/CF4/C4F8/CHF3）、可扩展到 * 路以上，每路质量流量计MFC控制精度≤1%F.S.。另配置1路吹扫用氮气、1路背氦冷却用氦气。8.预真空室：配置独立干泵，本底真空≤0.1mbar，漏率≤5E-4mbar.l/s。
9.控 制 系 统 与 软 件 ：（1）控制系统采用客户机-服务器结构；工艺软件在PC机上操作；PC机 (略) 线连 (略) 控制器RFC；RFC通过Inte (略) 总线、对 全 部 组 件 进 行 实 时 监 控 ；（2）工艺操作软件可用程序控制气体流量、气压、射频源功率、下电极温度等工艺参数，工艺程 (略) Recipe，也可人工干预和控制。可编辑、调用、拷贝相关工艺程序，具有数据 记录 、输出 功能；可以设置不同 的 用 户 级别 ；（3）可通过互联 网连接设备各个 组件、进行远程诊断 和远程服务。 * .工 艺指 标：（1）刻蚀SiO2（1）：刻蚀速率≥ * nm/min，选择比 （金 属掩 膜）≥ * :1，侧壁陡直度≥ * °，片内不均匀性 ≤±5%，片间 重复性 ≤±5%（2）刻蚀SiO2（2）：刻蚀速率≥ * nm/min，选择比 （光刻胶）≥ * :1，侧壁陡直度≥ * °，片内不
均匀性 ≤±5%，片间 重复性 ≤±5%（2） 刻 蚀Si： 刻 蚀 速 率≥ * nm/min，选择比 （光刻胶）≥1:1，侧壁陡直度≥ * °，片内不均匀性 ≤±5%，片间 重复性 ≤±5%激 光 终 点监 视 器1.采用 激光 反射/干涉测 量原理 ，实时监测刻蚀 终点 。激光波长 * nm。2.最小 光斑尺寸 ： 直 径 * um。3.X-Y方向可 移动平台 ： * mm x * mm。本次公开的采购意向是本单位 政府采购工作的初步安排， (略) 和采购文件为准。 (略) 点击查看>>

(略) (略) * 年4月采购意向项目政府采购意向为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《 (略) 关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔 * 〕 * 号）等有关规定， (略) * 年4月采购意向项目采购意向公开如下：序号采购项目名称采购品目采购需求概况预算金额（万元）预 计采 购时间备注1反应离子刻蚀机A 点击查看>> 电子工业专用生产设备反应离子刻蚀设备，实现对硅和硅化合物、例如SiO2、SiNx、SiC等材料的 干 法 刻 蚀 。1.样品尺寸：兼容6英吋及以下尺寸的晶圆和碎片，不同尺寸样片之间的切换无需停机开腔、无需破真空。2.反应腔由整块铝锭加工制成，本底真空≤1E-6mbar，漏率≤2E-4mbar.l/s。3.下电极配置背氦冷却和机械卡盘，通过外置循环温控器chiller和内置电阻 (略) 温度控制， 点击查看>>
控温范围- * °C...+ * °C，控温精度±1°C。4.上电极：接地；下电极：射频驱动。未来可通过在上电极加装ICP源（感应耦合等离子体源）、升级 为ICP-RIE刻 蚀 机 。5.射 频 源 ： 频 率 * . * MHz，功率 * W，反射功率<5%。6.真空系统：配置磁浮涡轮分子泵、抽速 * L/s，前级干泵、抽速 * m3/h。配置DN * 节流阀、薄膜电容真空计、潘宁真空规等。7.气路系统：包括至少6路工艺气路（O2/Ar/SF6/CF4/C4F8/CHF3）、可扩展到 * 路以上，每路质量流量计MFC控制精度≤1%F.S.。另配置1路吹扫用氮气、1路背氦冷却用氦气。8.预真空室：配置独立干泵，本底真空≤0.1mbar，漏率≤5E-4mbar.l/s。
9.控 制 系 统 与 软 件 ：（1）控制系统采用客户机-服务器结构；工艺软件在PC机上操作；PC机 (略) 线连 (略) 控制器RFC；RFC通过Inte (略) 总线、对 全 部 组 件 进 行 实 时 监 控 ；（2）工艺操作软件可用程序控制气体流量、气压、射频源功率、下电极温度等工艺参数，工艺程 (略) Recipe，也可人工干预和控制。可编辑、调用、拷贝相关工艺程序，具有数据 记录 、输出 功能；可以设置不同 的 用 户 级别 ；（3）可通过互联 网连接设备各个 组件、进行远程诊断 和远程服务。 * .工 艺指 标：（1）刻蚀SiO2（1）：刻蚀速率≥ * nm/min，选择比 （金 属掩 膜）≥ * :1，侧壁陡直度≥ * °，片内不均匀性 ≤±5%，片间 重复性 ≤±5%（2）刻蚀SiO2（2）：刻蚀速率≥ * nm/min，选择比 （光刻胶）≥ * :1，侧壁陡直度≥ * °，片内不
均匀性 ≤±5%，片间 重复性 ≤±5%（2） 刻 蚀Si： 刻 蚀 速 率≥ * nm/min，选择比 （光刻胶）≥1:1，侧壁陡直度≥ * °，片内不均匀性 ≤±5%，片间 重复性 ≤±5%激 光 终 点监 视 器1.采用 激光 反射/干涉测 量原理 ，实时监测刻蚀 终点 。激光波长 * nm。2.最小 光斑尺寸 ： 直 径 * um。3.X-Y方向可 移动平台 ： * mm x * mm。本次公开的采购意向是本单位 政府采购工作的初步安排， (略) 和采购文件为准。 (略) 点击查看>>