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反应离子刻蚀设备，实现对硅和硅化合物、例如SiO2、SiNx、SiC等材料的干法刻蚀。1.样品尺寸：兼容6英吋及以下尺寸的晶圆和碎片，不同尺寸样片之间的切换无需停机开腔、无需破真空。2.反应腔由整块铝锭加工制成，本底真空≤1E-6mbar，漏率≤2E-4mbar.l/s。3.下电极配置背氦冷却和机械卡盘，通过外置循环温控器chiller和内置电阻 (略) 温度控制，控温范围- * °C…+ * ℃，控温精度±1℃。4.上电极：接地；下电极：射频驱动。未来可通过在上电极加装ICP源（感应耦合等离子体源）、升级为ICP-RIE刻蚀机。5.射频源：频率 * . * MHz，功率 * W，反射功率<5%。6.真空系统：配置磁浮涡轮分子泵、抽速 * L/s，前级干泵、抽速 * m3/h。配置DN * 节流阀、薄膜电容真空计、潘宁真空规等。7.气路系统：包括至少6路工艺气路（O2/Ar/SF6/CF4/C4F8/CHF3）、可扩展到 * 路以上，每路质量流量计MFC控制精度≤1%F.S.。另配置1路吹扫用氮气、1路背氦冷却用氦气。8.预真空室：配置独立干泵，本底真空≤0.1mbar，漏率≤5E-4mbar.l/s。9.控制系统与软件：（1）控制系统采用客户机-服务器结构；工艺软件在PC机上操作；PC机 (略) 线连 (略) 控制器RFC；RFC通过Inte (略) 总线、 (略) (略) 实时监控；（2）工艺操作软件可用程序控制气体流量、气压、射频源功率、下电极温度等工艺参数，工艺程 (略) Recipe，也可人工干预和控制。可编辑、调用、拷贝相关工艺程序，具有数据记录、输出功能；可以设置不同的用户级别；（3） (略) 连接设备各个组件、进行远程诊断和远程服务。 * .工艺指标：（1）刻蚀SiO2（1）：刻蚀速率≥ * nm/min，选择比（金属掩膜）≥ * :1，侧壁陡直度≥ * °，片内不均匀性≤±5%，片间重复性≤±5%（2）刻蚀SiO2（2）：刻蚀速率≥ * nm/min，选择比（光刻胶）≥ * :1，侧壁陡直度≥ * °，片内不均匀性≤±5%，片间重复性≤±5%（2）刻蚀Si：刻蚀速率≥ * nm/min，选择比（光刻胶）≥1:1，侧壁陡直度≥ * °，片内不均匀性≤±5%，片间重复性≤±5%激光终点监视器1.采用激光反射/干涉测量原理，实时监测刻蚀终点。激光波长 * nm。2.最小光斑尺寸：直径 * um。3.X-Y方向可移动平台： * mm x * mm。

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反应离子刻蚀设备，实现对硅和硅化合物、例如SiO2、SiNx、SiC等材料的干法刻蚀。1.样品尺寸：兼容6英吋及以下尺寸的晶圆和碎片，不同尺寸样片之间的切换无需停机开腔、无需破真空。2.反应腔由整块铝锭加工制成，本底真空≤1E-6mbar，漏率≤2E-4mbar.l/s。3.下电极配置背氦冷却和机械卡盘，通过外置循环温控器chiller和内置电阻 (略) 温度控制，控温范围- * °C…+ * ℃，控温精度±1℃。4.上电极：接地；下电极：射频驱动。未来可通过在上电极加装ICP源（感应耦合等离子体源）、升级为ICP-RIE刻蚀机。5.射频源：频率 * . * MHz，功率 * W，反射功率<5%。6.真空系统：配置磁浮涡轮分子泵、抽速 * L/s，前级干泵、抽速 * m3/h。配置DN * 节流阀、薄膜电容真空计、潘宁真空规等。7.气路系统：包括至少6路工艺气路（O2/Ar/SF6/CF4/C4F8/CHF3）、可扩展到 * 路以上，每路质量流量计MFC控制精度≤1%F.S.。另配置1路吹扫用氮气、1路背氦冷却用氦气。8.预真空室：配置独立干泵，本底真空≤0.1mbar，漏率≤5E-4mbar.l/s。9.控制系统与软件：（1）控制系统采用客户机-服务器结构；工艺软件在PC机上操作；PC机 (略) 线连 (略) 控制器RFC；RFC通过Inte (略) 总线、 (略) (略) 实时监控；（2）工艺操作软件可用程序控制气体流量、气压、射频源功率、下电极温度等工艺参数，工艺程 (略) Recipe，也可人工干预和控制。可编辑、调用、拷贝相关工艺程序，具有数据记录、输出功能；可以设置不同的用户级别；（3） (略) 连接设备各个组件、进行远程诊断和远程服务。 * .工艺指标：（1）刻蚀SiO2（1）：刻蚀速率≥ * nm/min，选择比（金属掩膜）≥ * :1，侧壁陡直度≥ * °，片内不均匀性≤±5%，片间重复性≤±5%（2）刻蚀SiO2（2）：刻蚀速率≥ * nm/min，选择比（光刻胶）≥ * :1，侧壁陡直度≥ * °，片内不均匀性≤±5%，片间重复性≤±5%（2）刻蚀Si：刻蚀速率≥ * nm/min，选择比（光刻胶）≥1:1，侧壁陡直度≥ * °，片内不均匀性≤±5%，片间重复性≤±5%激光终点监视器1.采用激光反射/干涉测量原理，实时监测刻蚀终点。激光波长 * nm。2.最小光斑尺寸：直径 * um。3.X-Y方向可移动平台： * mm x * mm。