嘉庚创新实验室2021年6月至12月政府采购意向
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嘉庚创新实验室2021年6月至12月政府采购意向
为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《 (略) 关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔 * 〕 * 号）等有关规定，现将（嘉庚创新实验室） * 年 6 （至） * 月采购意向公开如下：
| 序号 | 采购单位 | 采购项目名称 | 采购品目 | 采购需求概况 | 预算金额(万元) | 预计采购日期 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 嘉庚创新实验室 | 深硅刻蚀系统 | [A 点击查看>> ]电气物理设备 | 深硅刻蚀系统1套，实现高深宽比硅刻蚀功能，适应规格尺寸：能够支持2寸~8寸晶圆片子及小片碎片；刻蚀材料：支持Si和SOI材料刻蚀等。 | * | 无 | |
| 2 | 嘉庚创新实验室 | 全自动涂胶显影系统 | [A 点击查看>> ]电子工业专用生产设备 | 全自动涂胶显影系统1套，实现光刻胶的涂覆、前烘、显影、坚膜等工艺，用于配合光刻机实现光刻图形的转移。 | * | 无 | |
| 3 | 嘉庚创新实验室 | 化学机械抛光机 | [A 点击查看>> ]电子工业专用生产设备 | 化学机械抛光机1套，可用于各类半导体集成电路，SiO2等氧化物薄膜，Cu、Al等金属，STI，LT、LN、SiC、InP、GaAs等各类产品的平坦化抛光。样品尺寸：通过更换抛光头可兼容4、6、8英寸晶圆。 | * | 无 | |
| 4 | 嘉庚创新实验室 | 电感耦合等离子刻蚀系统 | [A 点击查看>> ]电气物理设备 | 电感耦合等离子刻蚀系统1套，可以实现氮化镓、砷化镓、铝、钛等材料的刻蚀，最大支持晶圆尺寸：8英寸，向下兼容各类不同尺寸及不规则小片；配置4英寸机械卡盘及碎片小样品夹具。 | * | 无 | |
| 5 | 嘉庚创新实验室 | 磁控溅射系统 | [A 点击查看>> ]电子工业专用生产设备 | 磁控溅射系统1套，可以实现金属材料、ITO、合金材料、氮化物等的成膜，最大8寸，兼容8寸以下，包括碎片等。 | * | 无 | |
| 6 | 嘉庚创新实验室 | HF气相腐蚀系统 | [A 点击查看>> ]电子工业专用生产设备 | HF气相腐蚀系统1套，可处理样品尺寸不小于8英寸。可对SOI 片(绝缘体上硅)器件层硅上制作的悬 (略) 释放， (略) 有结构应完全释放，无吸附现象发生等。 | * | 无 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排， (略) 和采购文件为准。
嘉庚创新实验室
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为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《 (略) 关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔 * 〕 * 号）等有关规定，现将（嘉庚创新实验室） * 年 6 （至） * 月采购意向公开如下：
| 序号 | 采购单位 | 采购项目名称 | 采购品目 | 采购需求概况 | 预算金额(万元) | 预计采购日期 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 嘉庚创新实验室 | 深硅刻蚀系统 | [A 点击查看>> ]电气物理设备 | 深硅刻蚀系统1套，实现高深宽比硅刻蚀功能，适应规格尺寸：能够支持2寸~8寸晶圆片子及小片碎片；刻蚀材料：支持Si和SOI材料刻蚀等。 | * | 无 | |
| 2 | 嘉庚创新实验室 | 全自动涂胶显影系统 | [A 点击查看>> ]电子工业专用生产设备 | 全自动涂胶显影系统1套，实现光刻胶的涂覆、前烘、显影、坚膜等工艺，用于配合光刻机实现光刻图形的转移。 | * | 无 | |
| 3 | 嘉庚创新实验室 | 化学机械抛光机 | [A 点击查看>> ]电子工业专用生产设备 | 化学机械抛光机1套，可用于各类半导体集成电路，SiO2等氧化物薄膜，Cu、Al等金属，STI，LT、LN、SiC、InP、GaAs等各类产品的平坦化抛光。样品尺寸：通过更换抛光头可兼容4、6、8英寸晶圆。 | * | 无 | |
| 4 | 嘉庚创新实验室 | 电感耦合等离子刻蚀系统 | [A 点击查看>> ]电气物理设备 | 电感耦合等离子刻蚀系统1套，可以实现氮化镓、砷化镓、铝、钛等材料的刻蚀，最大支持晶圆尺寸：8英寸，向下兼容各类不同尺寸及不规则小片；配置4英寸机械卡盘及碎片小样品夹具。 | * | 无 | |
| 5 | 嘉庚创新实验室 | 磁控溅射系统 | [A 点击查看>> ]电子工业专用生产设备 | 磁控溅射系统1套，可以实现金属材料、ITO、合金材料、氮化物等的成膜，最大8寸，兼容8寸以下，包括碎片等。 | * | 无 | |
| 6 | 嘉庚创新实验室 | HF气相腐蚀系统 | [A 点击查看>> ]电子工业专用生产设备 | HF气相腐蚀系统1套，可处理样品尺寸不小于8英寸。可对SOI 片(绝缘体上硅)器件层硅上制作的悬 (略) 释放， (略) 有结构应完全释放，无吸附现象发生等。 | * | 无 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排， (略) 和采购文件为准。
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