序号

采购项目名称

采购需求概况

预算金额

（万元）

预计采购时间

（填写到月）

备注

1

超导器件项目

（ * ）激光直写仪： 1、最大可接受9 x 9英寸工作衬底基板； 2、 * 纳米高精度激光干涉仪双轴定位系统。 3、防尘罩灰尘粒子过滤等级 * 级；气体流量控制：0.3到0.5 m/s之间；温度控制：± 0.5°C； 4、半导体激光器，激光器波段 * nm，激光能量 * mW以上，使用寿命：≥ * 小时。 5、激光干涉仪最小分辨极限≤ * nm。 6、激光光刻读写头Z轴粗调范围：至少6毫米；自动焦距分辨率范围：至少 * 纳米；镜头距离基板范围： * μm可调 7、具备光刻胶 * 维结构灰阶光刻功能 8、具备基板背向对位(BSA)功能 9、最小特征尺寸制作：高分辨率0.3μm；线宽斜边粗糙度：高分辨率 * nm；线宽均匀性：高分辨率 * nm；套刻对准精度：高分辨率 * nm。 * 、光绘速度：0.3μm分辨率条件下3mm2/minute。（ * ）直写光刻系统: 1. 半导体激光器( * nm)； 2. 激光器功率8W； 3. 激光器寿命 * 0小时以上； 4. 紫外半导体激光模块( * nm)； 5.写头模块I (0.6 μm模块)(包含光学自动对焦)； 6.背向对准功能(BSA背向对准功能)； 7.曝光区域: * mmx * mm； 8.基片尺寸6英寸； 9.最小特征尺寸制作：0.6μm；最小线条与间距：0.8μm；线宽均匀性： * 纳米； * 、全局第 * 层套刻对准精度： * nm；局部第 * 层套刻对准精度： * nm； * 、4”晶圆 * nm激光曝光时间： * min； * nm激光最大写入速度：＞ * mm2/min； * 、4”晶圆 * nm激光曝光时间： * min； * nm激光最大写入速度：＞ * mm2/min。（ * ）自动耦合系统： 1、自动对准精度：±0.5μm； 2、焊臂只能Z轴方向移动，移动精度 * nm； 3、焊臂和承片台加热器材质：陶瓷，材料膨胀系数≤ * -8，温度：0- * ℃； 4、焊臂配 (略) 压力测量，测量范围0- * bar； 5、主动光学调平系统，精度优于0. * μm； 6、支持芯片尺寸范围：0.2 x 0.2 ? * x * mm。（ * ）蚀刻系统： 1、基片尺寸：≥6英寸 2、ICP源功率不低于 * W，频率 * . * MHz 3、偏压功率不低于 * W 4、预真空腔热排风不低于 * m3/h ，反应腔热排风不低于 * m3/h 5、工艺气路不少于7路 6、刻蚀角度： * .5±0.5° 7、刻蚀速率：≥1.3μm/min （ * ）铟蒸镀系统： 1、支持最大尺寸：8英寸； 2、带膜厚控制系统，分辨率0.1nm； 3、系统极限真空优于1E-7Torr；真空室漏率优于5E-5Torr.L/s；腔体暴露大气后 * 分钟内抽至5E-6Torr； 4、基片架转速可调，调节范围0－ * 转/分钟； 5、流体循环控制器，可控温度区间为- * ℃至 * ℃； 6、在8"测量面积内膜厚均匀性误差优于±3%； 7、配置铟专用蒸发源，功率4kW； 8、配置修正挡板。（ * ）超导膜蒸发镀膜机： 1、最大支持6英寸衬底； 2、镀膜均匀性误差优于±5%对 * mm（6英寸）衬底（5mm边缘除外）； 3、蒸发室可双角度镀膜，样品台倾角范围0度至 * 度，角度控制精度和可重复性优于0. * 度； 4、氧化室实现静态和动态氧化； 5、进样后可全计算机控制工艺。

* .0

6月-7月

序号

采购项目名称

采购需求概况

预算金额

（万元）

预计采购时间

（填写到月）

备注

1

超导器件项目

（ * ）激光直写仪： 1、最大可接受9 x 9英寸工作衬底基板； 2、 * 纳米高精度激光干涉仪双轴定位系统。 3、防尘罩灰尘粒子过滤等级 * 级；气体流量控制：0.3到0.5 m/s之间；温度控制：± 0.5°C； 4、半导体激光器，激光器波段 * nm，激光能量 * mW以上，使用寿命：≥ * 小时。 5、激光干涉仪最小分辨极限≤ * nm。 6、激光光刻读写头Z轴粗调范围：至少6毫米；自动焦距分辨率范围：至少 * 纳米；镜头距离基板范围： * μm可调 7、具备光刻胶 * 维结构灰阶光刻功能 8、具备基板背向对位(BSA)功能 9、最小特征尺寸制作：高分辨率0.3μm；线宽斜边粗糙度：高分辨率 * nm；线宽均匀性：高分辨率 * nm；套刻对准精度：高分辨率 * nm。 * 、光绘速度：0.3μm分辨率条件下3mm2/minute。（ * ）直写光刻系统: 1. 半导体激光器( * nm)； 2. 激光器功率8W； 3. 激光器寿命 * 0小时以上； 4. 紫外半导体激光模块( * nm)； 5.写头模块I (0.6 μm模块)(包含光学自动对焦)； 6.背向对准功能(BSA背向对准功能)； 7.曝光区域: * mmx * mm； 8.基片尺寸6英寸； 9.最小特征尺寸制作：0.6μm；最小线条与间距：0.8μm；线宽均匀性： * 纳米； * 、全局第 * 层套刻对准精度： * nm；局部第 * 层套刻对准精度： * nm； * 、4”晶圆 * nm激光曝光时间： * min； * nm激光最大写入速度：＞ * mm2/min； * 、4”晶圆 * nm激光曝光时间： * min； * nm激光最大写入速度：＞ * mm2/min。（ * ）自动耦合系统： 1、自动对准精度：±0.5μm； 2、焊臂只能Z轴方向移动，移动精度 * nm； 3、焊臂和承片台加热器材质：陶瓷，材料膨胀系数≤ * -8，温度：0- * ℃； 4、焊臂配 (略) 压力测量，测量范围0- * bar； 5、主动光学调平系统，精度优于0. * μm； 6、支持芯片尺寸范围：0.2 x 0.2 ? * x * mm。（ * ）蚀刻系统： 1、基片尺寸：≥6英寸 2、ICP源功率不低于 * W，频率 * . * MHz 3、偏压功率不低于 * W 4、预真空腔热排风不低于 * m3/h ，反应腔热排风不低于 * m3/h 5、工艺气路不少于7路 6、刻蚀角度： * .5±0.5° 7、刻蚀速率：≥1.3μm/min （ * ）铟蒸镀系统： 1、支持最大尺寸：8英寸； 2、带膜厚控制系统，分辨率0.1nm； 3、系统极限真空优于1E-7Torr；真空室漏率优于5E-5Torr.L/s；腔体暴露大气后 * 分钟内抽至5E-6Torr； 4、基片架转速可调，调节范围0－ * 转/分钟； 5、流体循环控制器，可控温度区间为- * ℃至 * ℃； 6、在8"测量面积内膜厚均匀性误差优于±3%； 7、配置铟专用蒸发源，功率4kW； 8、配置修正挡板。（ * ）超导膜蒸发镀膜机： 1、最大支持6英寸衬底； 2、镀膜均匀性误差优于±5%对 * mm（6英寸）衬底（5mm边缘除外）； 3、蒸发室可双角度镀膜，样品台倾角范围0度至 * 度，角度控制精度和可重复性优于0. * 度； 4、氧化室实现静态和动态氧化； 5、进样后可全计算机控制工艺。

* .0

6月-7月