-基于SiC材料感应耦合等离子体刻蚀机招标预告
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基于SiC材料感应耦合等离子体刻蚀机 | |
(略) 在采购意向: | 中 (略) * 月政府采购意向 |
采购单位: | 中 (略) |
采购项目名称: | 基于SiC材料感应耦合等离子体刻蚀机 |
预算金额: | * . 点击查看>> 万元(人民币) |
采购品目: |
A 点击查看>> 其他专用仪器仪表 |
采购需求概况: |
主要用于量子精密测量、量子通信、量子计算等研究领域的碳化硅微纳米结构刻蚀。1. 设备需配备Source RF和Bias RF 2个RF射频源系统,射频自动匹配时间≤3s,其中Source RF 功率≥3kW,且能在功率等于 * W时,连续工作3小时以上;2. 工艺腔室适用于碳化硅、氧化硅、铌酸锂等材料的长时间稳定刻蚀;3. 下电极温度范围:- * ~ * ℃;5. 最大样品尺寸:6inch;6. 工艺腔体采用防腐蚀分子泵,抽速不小于 * l/s;7. 刻蚀均匀性优于5%"。不面向中小企业采购。 |
预计采购时间: | 点击查看>> |
备注: |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排, (略) 和采购文件为准。
基于SiC材料感应耦合等离子体刻蚀机 | |
(略) 在采购意向: | 中 (略) * 月政府采购意向 |
采购单位: | 中 (略) |
采购项目名称: | 基于SiC材料感应耦合等离子体刻蚀机 |
预算金额: | * . 点击查看>> 万元(人民币) |
采购品目: |
A 点击查看>> 其他专用仪器仪表 |
采购需求概况: |
主要用于量子精密测量、量子通信、量子计算等研究领域的碳化硅微纳米结构刻蚀。1. 设备需配备Source RF和Bias RF 2个RF射频源系统,射频自动匹配时间≤3s,其中Source RF 功率≥3kW,且能在功率等于 * W时,连续工作3小时以上;2. 工艺腔室适用于碳化硅、氧化硅、铌酸锂等材料的长时间稳定刻蚀;3. 下电极温度范围:- * ~ * ℃;5. 最大样品尺寸:6inch;6. 工艺腔体采用防腐蚀分子泵,抽速不小于 * l/s;7. 刻蚀均匀性优于5%"。不面向中小企业采购。 |
预计采购时间: | 点击查看>> |
备注: |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排, (略) 和采购文件为准。
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