A * 其他不另分类的物品

采购用于薄膜生长的原子层沉积设备 * 台，主要指标如下：1.设备可用于8寸及以下的平面样品的薄膜生长，反应腔高度不高于8mm。2.反应腔采用双区独立加热，分别用于加热样品和腔室壁。基片加热温度最高 * ℃，控温精度±1℃。3.反应腔室采用单壁设计，后期可升级增加Plasma，原位石英晶体微量天平，光谱椭偏仪，粉末样品沉积等组件。升级后可配备不少于3路等离子体工艺气体管路，并配有气体隔离阀及硬件互锁。4.可以满足深宽比 * :1的深槽镀膜要求。5.单片反应腔抽取真空速度须在1分钟内达到≤5x * -2Torr，充腔（大气压）时间≤1分钟。6.配备不少于6路前驱源管路及源瓶，其中至少1路配有前驱源助推装置，可用于低蒸气压（0. * -0.1Torr）的前驱体。7.配备臭氧发生器，连续工作情况下臭氧含量不低于 * ng/ml。8.工艺载气使用量单脉冲不大于 * sccm。9.前驱源脉冲时间可精确控制到0. * s，以TMA为例，其脉冲时间可短到0. * s。 * .除H2O源瓶以外的其他前驱源钢瓶均可加热到 * ℃，前驱源钢瓶容量不大于 * 毫升。 * .前驱源能达到的地方，如前驱源

A * 其他不另分类的物品

采购用于薄膜生长的原子层沉积设备 * 台，主要指标如下：1.设备可用于8寸及以下的平面样品的薄膜生长，反应腔高度不高于8mm。2.反应腔采用双区独立加热，分别用于加热样品和腔室壁。基片加热温度最高 * ℃，控温精度±1℃。3.反应腔室采用单壁设计，后期可升级增加Plasma，原位石英晶体微量天平，光谱椭偏仪，粉末样品沉积等组件。升级后可配备不少于3路等离子体工艺气体管路，并配有气体隔离阀及硬件互锁。4.可以满足深宽比 * :1的深槽镀膜要求。5.单片反应腔抽取真空速度须在1分钟内达到≤5x * -2Torr，充腔（大气压）时间≤1分钟。6.配备不少于6路前驱源管路及源瓶，其中至少1路配有前驱源助推装置，可用于低蒸气压（0. * -0.1Torr）的前驱体。7.配备臭氧发生器，连续工作情况下臭氧含量不低于 * ng/ml。8.工艺载气使用量单脉冲不大于 * sccm。9.前驱源脉冲时间可精确控制到0. * s，以TMA为例，其脉冲时间可短到0. * s。 * .除H2O源瓶以外的其他前驱源钢瓶均可加热到 * ℃，前驱源钢瓶容量不大于 * 毫升。 * .前驱源能达到的地方，如前驱源