中国科学院微电子研究所2021年7至11月政府采购意向-宽禁带半导体点缺陷的单体光电特性表征仪器系统-MBE材料生长子系统-MBE材料生长子系统,本项目定制的MBE沉积系统具有本底真空

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中国科学院微电子研究所2021年7至11月政府采购意向-宽禁带半导体点缺陷的单体光电特性表征仪器系统-MBE材料生长子系统-MBE材料生长子系统,本项目定制的MBE沉积系统具有本底真空

MBE材料生长子系统本项目定制的MBE沉积系统具有本底真空度高、衬底温度高而且温度稳定性好、REED实时监测外延薄膜生长质量、可制备氧化物及氮化物薄膜样品、以及可以和ARPES、STM样品台兼容并可以...MBE材料生长子系统本项目定制的MBE沉积系统具有本底真空度高、衬底温度高而且温度稳定性好、REED实时监测外延薄膜生长质量、可制备氧化物及氮化物薄膜样品、以及可以和ARPES、STM样品台兼容并可以...    
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