多种原理分析仪

1 离子束及辅助气体注入系统技术要求1.1 离子束系统：1.1.1 离子源种类：液态Ga离子源；1.1.2分辨率：≤ 3.0nm @ * kV （超过 * 边平均值法测量）1.1.3加速电压：最低加速电压 * V, 最高加速电压为 * kV1.1.4束流强度：最大可达 * nA 1.1.5束流密度：最大值可达 * A/cm * .1.6离子源寿命：不低于 * 小时1.2 辅助气体注入系统：1.2.1拥有独立的分离式气体注入系统，可重新配置；1.2.2具备金属沉积系统，可在离子束、电子 (略) Pt等金属的2 电子束技术要求2.1 电子枪类型：肖特基（ZrO/W）场发射灯丝2.1.1分辨率：：≤ 0.8nm @ * kV；≤ 1.2nm @ 1kV2.1.2 加速电压：加速电压 * V－ * KV2.1.3 束流强度：最大束流 * nA2.1.4 电子枪寿命：保证不低于1年3 可用探头：样品室 * 次电子探测器、两个极靴内背散射探测器（高位和低位）、样品室内红外CCD、导航相机4 样品台4.1 * 轴马达驱动样品台；4.2 * 轴马达驱动样品台；X、Y方向移动范围不低于 * mm，回复精度小于2.0微米4.3方向移动范围不低于 * mm，可绕Z轴旋转任意角度 （ * 度）4.4倾角范围包含 - * 至 * 度4.5最大样品直径不小于 * mm5 真空系统5.1 机械干泵；涡轮分子泵；离子泵。5.2 样品室真空度：《6. * -6mBar （连续 * 小时抽真空后）6 能谱仪：6.1探测器：分析型SDD硅漂移电制冷探测器，有效面积 * mm2，高分子超薄窗设计

需求参数仅为参考， (略) 文件为准。

多种原理分析仪

1 离子束及辅助气体注入系统技术要求1.1 离子束系统：1.1.1 离子源种类：液态Ga离子源；1.1.2分辨率：≤ 3.0nm @ * kV （超过 * 边平均值法测量）1.1.3加速电压：最低加速电压 * V, 最高加速电压为 * kV1.1.4束流强度：最大可达 * nA 1.1.5束流密度：最大值可达 * A/cm * .1.6离子源寿命：不低于 * 小时1.2 辅助气体注入系统：1.2.1拥有独立的分离式气体注入系统，可重新配置；1.2.2具备金属沉积系统，可在离子束、电子 (略) Pt等金属的2 电子束技术要求2.1 电子枪类型：肖特基（ZrO/W）场发射灯丝2.1.1分辨率：：≤ 0.8nm @ * kV；≤ 1.2nm @ 1kV2.1.2 加速电压：加速电压 * V－ * KV2.1.3 束流强度：最大束流 * nA2.1.4 电子枪寿命：保证不低于1年3 可用探头：样品室 * 次电子探测器、两个极靴内背散射探测器（高位和低位）、样品室内红外CCD、导航相机4 样品台4.1 * 轴马达驱动样品台；4.2 * 轴马达驱动样品台；X、Y方向移动范围不低于 * mm，回复精度小于2.0微米4.3方向移动范围不低于 * mm，可绕Z轴旋转任意角度 （ * 度）4.4倾角范围包含 - * 至 * 度4.5最大样品直径不小于 * mm5 真空系统5.1 机械干泵；涡轮分子泵；离子泵。5.2 样品室真空度：《6. * -6mBar （连续 * 小时抽真空后）6 能谱仪：6.1探测器：分析型SDD硅漂移电制冷探测器，有效面积 * mm2，高分子超薄窗设计

需求参数仅为参考， (略) 文件为准。