序号

采购项目名称

采购需求概况

预算金额

（万元）

预计采购时间

（填写到月）

备注

1

航天级PPLN波导研制

( * )抛光机 1、盘径： * mm，含铝合金抛光盘1个、铸铁研磨盘1个； 2、工位数：2个摇摆工位，可同时工作，适配4寸夹具； 3、大盘转速：5- * rpm； 4、摇摆速度：0- * rpm，摆频及摆幅可调； 5、挡钩强制驱动速度：5- * rpm，不定偏心研磨抛光，移除量可量化； 6、真空泵压力：- * kPa； 7、全密封防护罩设计； 8、触摸屏， (略) ，支持数据传输； 9、电压：单相 * V、 * Hz。 ( * ) 平行 (略) 缝焊机： 1、 (略) 缝焊接工作台、电源、工控系统； 2、工件尺寸：0. * -8英寸； *3、编码器精度：X- * , * cts/in、Y- * , * cts/in； *4、焊接压力： 点击查看>> g； *5、直线焊接速度：0. * -1.5in/s； *6、旋转焊接速度：0. * -1.5in直线/s，最大 * °旋转； 7、输入气压：≥ * psi； 8、电源输入： 点击查看>> VAC， * / * Hz， * A； 9、电源电流输出：B 点击查看>> A,±2A； * 、电源脉冲宽度：0. * - * . * ms； * 、 (略) 分电源输入：单相 点击查看>> V， * / * Hz， * A。手套箱： 1、箱体左侧方仓尺寸 * * * * * mm，右侧加热方仓尺寸 * * * * * mm， (略) 各含 * 个双层托盘； 2、烘烤温度可控制在 * ℃，手套箱内露点可控制在- * ℃； 3、能够充氮气，带露点监控，烘箱带温度监测，能够抽真空； 4、电源主机、显示器可以放在手套箱上方，计算机主机 (略) ； 5、配套露点仪、真空泵各 * 套。露点仪：测量范围：- * 至 * ℃露点；精度：±2℃；可重复性：0.5℃露点 ( * )测量显微镜 1、镜体：电动升降 * 轴测量显微镜，显示精度0.1um； 2、光路系统：无限远复消色校正增强型光学系统； 3、观察方法：全部放大 (略) 、偏光观察； 4、镜筒：正向 * 目镜筒，视野数≥ * mm； 5、载物台：测 (略) 程 * mm* * mm； 6、物镜：全 (略) 半复消色差物镜（物镜型号带FL标识）；数值孔径及工作距离不低于以下参数： 5× NA-0. * 工作距离≥ * mm * × NA-0. * 工作距离≥ * mm * × NA-0. * 工作距离≥3.1mm * × NA-0. * 工作距离≥1mm * × NA-0. * 工作距离≥1mm L * × NA-0. * 工作距离≥ * .6mm 7、光源：LED透反射照 (略) 源，光源及光源控制与机身分离式； 8、辅助聚焦： (略) 裂像辅助聚焦器； 9、物镜转盘：5孔物镜转盘； * 、CCD：与显微镜配套高分辨率图像采集系统； * 、软件：与显微镜配套原装多功能测量软件； * 、附件摄像头： 1）接口：C型视频接口； 2）感光元器件：彩色CMOS相机图像传感器系统； 3）CCD尺寸：≥尺寸1/1.8英寸； 4）有效像素：≥像素 * 万像素； 5）录制像素：≥ * 全分辨率； 6）帧速率：全分辨率下≥ * fps； 7）曝光时间： * μ秒到 * 秒； 8）电脑接口：USB3.0。 ( * )光刻系统 1.1 主机：（1）具有稳定可靠的芯片厚度补偿系统， (略) 自调平和真空吸附。（2） (略) 工艺参数设定，具有专用控制软件。软件具有工艺参数设置、设备控制、硬件自我故障诊断与检测功能，≥ * 英寸触摸屏。 1.2曝光系统：（1）曝光波长： 点击查看>> nm （2）曝光灯：LED曝光灯，可通过软件连续调节和设定光强；使用寿命大于 * 小时；无需气体冷却。（3）曝光光强：≥ * mw/cm2 @ * nm；≥ * mw/cm2 @ * nm （4）分辨率：≤ 0.8μm（真空接触，光刻胶厚度1微米时，等间距图形测量）；（5）套刻精度：≤ ±0.5μm （6）光强均匀度：≤ ±2.5％（7）曝光模式：支持软接触、硬接触、接近和真空 * 种模式（8）接近式曝光距离可调节范围：1μm? * μm （9）接近式曝光距离调节精度：1μm （ * ）恒定曝光剂量控制系统, 稳定性：≤±1% （ * ）微镜式曝光系统，可在同 * 曝光系统中实现分辨率和景深两种曝光模式，两种模式之间切换灵活方便。（ * ）消衍射曝光光学系统。（ * ）无需加载滤光片，即可通过软件对i、g、h (略) 单独的光强设置，并可对每个波 (略) 连续调节。 1.3 显微对准系统：（1）高分辨率数 (略) 显微镜，LED黄光照明；（2）物镜：5倍；（3）视场范围： * μm x * μm；分辨率：0.8μm/Pixel，放大倍率范围：不小于 * ×- * ×；（4）X方向移动范围：（- * /+ * mm） @左侧显微镜；（- * /+ * mm） @右侧显微镜。（5）Y方向移动：最大可达到- * .5mm- + * mm. （6）特殊小间距物镜：7.2倍；（7）Z方向电动聚焦范围为 * mm。 1.4 芯片找平系统：（1）采用独立式 * 轴芯片找平系统， * 轴式找平装置呈 * °分布在对准台上，通过对准台的上下运动和精准控制压力来实现晶圆?掩膜版之间的找平。（2）找平过程中，掩膜版位置固定不动，晶圆夹具承载晶圆垂直升降，实现找平；找平系统压力连续可调。 1.5 对准台：（1）行程的范围： X：±5mm； Y：±5mm； θ：±5° （2）对准台Z轴垂直上下移动范围：≥7mm （3）对准台移动调节分辨率X-Y方向: 0. * μm；θ方向: 0. * 1° （4）对准间距：1- * μm连续可调，分辨率

* .2

6月到8月

序号

采购项目名称

采购需求概况

预算金额

（万元）

预计采购时间

（填写到月）

备注

1

航天级PPLN波导研制

( * )抛光机 1、盘径： * mm，含铝合金抛光盘1个、铸铁研磨盘1个； 2、工位数：2个摇摆工位，可同时工作，适配4寸夹具； 3、大盘转速：5- * rpm； 4、摇摆速度：0- * rpm，摆频及摆幅可调； 5、挡钩强制驱动速度：5- * rpm，不定偏心研磨抛光，移除量可量化； 6、真空泵压力：- * kPa； 7、全密封防护罩设计； 8、触摸屏， (略) ，支持数据传输； 9、电压：单相 * V、 * Hz。 ( * ) 平行 (略) 缝焊机： 1、 (略) 缝焊接工作台、电源、工控系统； 2、工件尺寸：0. * -8英寸； *3、编码器精度：X- * , * cts/in、Y- * , * cts/in； *4、焊接压力： 点击查看>> g； *5、直线焊接速度：0. * -1.5in/s； *6、旋转焊接速度：0. * -1.5in直线/s，最大 * °旋转； 7、输入气压：≥ * psi； 8、电源输入： 点击查看>> VAC， * / * Hz， * A； 9、电源电流输出：B 点击查看>> A,±2A； * 、电源脉冲宽度：0. * - * . * ms； * 、 (略) 分电源输入：单相 点击查看>> V， * / * Hz， * A。手套箱： 1、箱体左侧方仓尺寸 * * * * * mm，右侧加热方仓尺寸 * * * * * mm， (略) 各含 * 个双层托盘； 2、烘烤温度可控制在 * ℃，手套箱内露点可控制在- * ℃； 3、能够充氮气，带露点监控，烘箱带温度监测，能够抽真空； 4、电源主机、显示器可以放在手套箱上方，计算机主机 (略) ； 5、配套露点仪、真空泵各 * 套。露点仪：测量范围：- * 至 * ℃露点；精度：±2℃；可重复性：0.5℃露点 ( * )测量显微镜 1、镜体：电动升降 * 轴测量显微镜，显示精度0.1um； 2、光路系统：无限远复消色校正增强型光学系统； 3、观察方法：全部放大 (略) 、偏光观察； 4、镜筒：正向 * 目镜筒，视野数≥ * mm； 5、载物台：测 (略) 程 * mm* * mm； 6、物镜：全 (略) 半复消色差物镜（物镜型号带FL标识）；数值孔径及工作距离不低于以下参数： 5× NA-0. * 工作距离≥ * mm * × NA-0. * 工作距离≥ * mm * × NA-0. * 工作距离≥3.1mm * × NA-0. * 工作距离≥1mm * × NA-0. * 工作距离≥1mm L * × NA-0. * 工作距离≥ * .6mm 7、光源：LED透反射照 (略) 源，光源及光源控制与机身分离式； 8、辅助聚焦： (略) 裂像辅助聚焦器； 9、物镜转盘：5孔物镜转盘； * 、CCD：与显微镜配套高分辨率图像采集系统； * 、软件：与显微镜配套原装多功能测量软件； * 、附件摄像头： 1）接口：C型视频接口； 2）感光元器件：彩色CMOS相机图像传感器系统； 3）CCD尺寸：≥尺寸1/1.8英寸； 4）有效像素：≥像素 * 万像素； 5）录制像素：≥ * 全分辨率； 6）帧速率：全分辨率下≥ * fps； 7）曝光时间： * μ秒到 * 秒； 8）电脑接口：USB3.0。 ( * )光刻系统 1.1 主机：（1）具有稳定可靠的芯片厚度补偿系统， (略) 自调平和真空吸附。（2） (略) 工艺参数设定，具有专用控制软件。软件具有工艺参数设置、设备控制、硬件自我故障诊断与检测功能，≥ * 英寸触摸屏。 1.2曝光系统：（1）曝光波长： 点击查看>> nm （2）曝光灯：LED曝光灯，可通过软件连续调节和设定光强；使用寿命大于 * 小时；无需气体冷却。（3）曝光光强：≥ * mw/cm2 @ * nm；≥ * mw/cm2 @ * nm （4）分辨率：≤ 0.8μm（真空接触，光刻胶厚度1微米时，等间距图形测量）；（5）套刻精度：≤ ±0.5μm （6）光强均匀度：≤ ±2.5％（7）曝光模式：支持软接触、硬接触、接近和真空 * 种模式（8）接近式曝光距离可调节范围：1μm? * μm （9）接近式曝光距离调节精度：1μm （ * ）恒定曝光剂量控制系统, 稳定性：≤±1% （ * ）微镜式曝光系统，可在同 * 曝光系统中实现分辨率和景深两种曝光模式，两种模式之间切换灵活方便。（ * ）消衍射曝光光学系统。（ * ）无需加载滤光片，即可通过软件对i、g、h (略) 单独的光强设置，并可对每个波 (略) 连续调节。 1.3 显微对准系统：（1）高分辨率数 (略) 显微镜，LED黄光照明；（2）物镜：5倍；（3）视场范围： * μm x * μm；分辨率：0.8μm/Pixel，放大倍率范围：不小于 * ×- * ×；（4）X方向移动范围：（- * /+ * mm） @左侧显微镜；（- * /+ * mm） @右侧显微镜。（5）Y方向移动：最大可达到- * .5mm- + * mm. （6）特殊小间距物镜：7.2倍；（7）Z方向电动聚焦范围为 * mm。 1.4 芯片找平系统：（1）采用独立式 * 轴芯片找平系统， * 轴式找平装置呈 * °分布在对准台上，通过对准台的上下运动和精准控制压力来实现晶圆?掩膜版之间的找平。（2）找平过程中，掩膜版位置固定不动，晶圆夹具承载晶圆垂直升降，实现找平；找平系统压力连续可调。 1.5 对准台：（1）行程的范围： X：±5mm； Y：±5mm； θ：±5° （2）对准台Z轴垂直上下移动范围：≥7mm （3）对准台移动调节分辨率X-Y方向: 0. * μm；θ方向: 0. * 1° （4）对准间距：1- * μm连续可调，分辨率

* .2

6月到8月