中国科学院上海微系统与信息技术研究所2021年8至11月政府采购意向-双面抛光机-双面抛光利用抛光液及抛光垫,以化学机械反的方式对300mm硅

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中国科学院上海微系统与信息技术研究所2021年8至11月政府采购意向-双面抛光机-双面抛光利用抛光液及抛光垫,以化学机械反的方式对300mm硅


双面抛光机
(略) 在采购意向: (略) (略) 微系统与信 (略) * 月政府采购意向
采购单位: (略) (略) 微系统与信 (略)
采购项目名称: 双面抛光机
预算金额: * . 点击查看>> 万元(人民币)
采购品目:
采购需求概况:
双面抛光利用抛光液及抛光垫,以化学机械反的方式对 * mm硅片正面和背面同时抛光,以保证硅片的平坦度(GBIR,SFQR与ESFQR),改善背面粗糙度,并去除掉前制程造成的表面缺陷,如研磨砂轮印记(Wheel Mark),蚀刻凹点(Etching Pit)等。该工艺是完成超平坦硅片的 * 道抛光工艺(双面抛光、边缘抛光、最终抛光)之 * ,关键指标如下:SFQR<0. * um;GBIR<0.1um。
预计采购时间: 点击查看>>
备注:

本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排, (略) 和采购文件为准。


双面抛光机
(略) 在采购意向: (略) (略) 微系统与信 (略) * 月政府采购意向
采购单位: (略) (略) 微系统与信 (略)
采购项目名称: 双面抛光机
预算金额: * . 点击查看>> 万元(人民币)
采购品目:
A 点击查看>>
采购需求概况:
双面抛光利用抛光液及抛光垫,以化学机械反的方式对 * mm硅片正面和背面同时抛光,以保证硅片的平坦度(GBIR,SFQR与ESFQR),改善背面粗糙度,并去除掉前制程造成的表面缺陷,如研磨砂轮印记(Wheel Mark),蚀刻凹点(Etching Pit)等。该工艺是完成超平坦硅片的 * 道抛光工艺(双面抛光、边缘抛光、最终抛光)之 * ,关键指标如下:SFQR<0. * um;GBIR<0.1um。
预计采购时间: 点击查看>>
备注:

本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排, (略) 和采购文件为准。

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