天津理工大学政府采购意向公告-宽谱介电分析仪

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天津理工大学政府采购意向公告-宽谱介电分析仪



(略)

(略) * 年 * 月至 * 年 * 月政府采购意向

为便于供应商及时了解政府采购信息,根据《 (略) 市政府采购意向公开工作方案》的有关要求,现 (略) * 年 * 月至 * 年 * 月采购意向公开如下:

序号采购项目名称采购需求概况预算金额(万元)预计
采购时间
执行的政府采购政策备注
1宽谱介电分析仪宽谱介电分析仪1套,用于光电晶体各种电学参数的变频变温测量,以掌握材料的介电性质。频率范围3μHz~ * MHz,温度范围- * ~ * ℃。控温精度±0. * ℃直流偏压± * V。半年到货验收。 * 点击查看>> 非专门面向中小企业,对小型和微型企业产品的价格给予 * 定比例的扣除。允许进口产品投标。
2高能量皮秒激光器1.高能量皮秒激光器 * 套,用于非线性激光晶体性能测试。2.技术参数:激光器输出波长为1. * μm,最大输出能量为 * mj,能量稳定性≤1.0%RMS,脉冲宽度为≤ * ps,重复频率为 * Hz,光斑直径 * mm,发散角≤1mrad,偏振比≥ * :1,光束指向稳定性≤ * μrad;3.辅助系统:激 (略) 所需的冷却系统、控制程序及电脑;后续服务保证:质保期 * 年,终生维护,半年到货验收。 * 点击查看>> 非专门面向中小企业,对小型和微型企业产品的价格给予 * 定比例的扣除。
3分光光度计波长范围: * ~ * nm;可变角透射测试角度范围0~± * °;仪器噪声:≤0. * A (2A 在 * nm);杂散光:≤0. * %T;波长重复性:紫外可见≤±0. * nm;近红外≤±0. * nm。 * 点击查看>> 非专门面向中小企业,对小型和微型企业产品的价格给予 * 定比例的扣除。允许进口产品投标。
4多温区晶体下降炉等多温区下降法晶体生长设备3套,用于红外晶体及更多下降法生长的晶体生长专用设备,旋转轴载重为 (略) 程 * mm。半年到货验收;下降法晶体生长设备6套,用于红外晶体及更多下降法生长的晶体生长专用设备,旋转轴载重为 (略) 程 * mm。半年到货验收。 * 点击查看>> 非专门面向中小企业,对小型和微型企业产品的价格给予 * 定比例的扣除。
5大铂金坩埚等生长晶体配套设备大铂金坩埚2个,Φ * 铂金坩埚5个,Φ * 铂金坩埚5个。 * 点击查看>> 非专门面向中小企业,对小型和微型企业产品的价格给予 * 定比例的扣除。
6柴油发电机组等发电机组 * 套,用做生长晶体的后备电源。 * kw,启动时间5~6(s),带尾气净化和低音箱。半年到货验收;空调机组 * 套,风量 * m^3/h,风压 * Pa,电机功率2.2Kw。 * .5 点击查看>> 非专门面向中小企业,对小型和微型企业产品的价格给予 * 定比例的扣除。允许进口设备投标。
7加热炉等VB/VGF晶体生长设备2套,用于熔体法单晶生长,可生长最大尺寸为6英寸晶体,炉体最高加热温度为 * 摄氏度,控温精度±0.1摄氏度,慢速升降0~3.5mm/h可调,(下降)走车高度不低于 * mm。配备自动化晶体生长控制软件。半年到货验收;水平高压高温半导体InP多晶合成设备 * 套,用于大批量、组分均 * 的InP多晶制备。可单次合成 点击查看>> gInP多晶料。炉体最高加热温度为 * ℃,控温精度±0.1℃。半年到货验收。 * 点击查看>> 非专门面向中小企业,对小型和微型企业产品的价格给予 * 定比例的扣除。
8高温气压炉等高温气压炉 * 套,用于SiC和AlN等化合物半导体晶体原料的制备,最高熔点 * ?C,最高气压9.8MPa。半年到货验收;高温热压炉 * 套,用于新型透明陶瓷闪烁体制备,最高温度 * ℃,最大压力 * 吨。半年到货验收。 * 点击查看>> 非专门面向中小企业,对小型和微型企业产品的价格给予 * 定比例的扣除。

其他需要说明的事项:
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排, (略) 和采购文件为准。



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(略) * 年 * 月至 * 年 * 月政府采购意向

为便于供应商及时了解政府采购信息,根据《 (略) 市政府采购意向公开工作方案》的有关要求,现 (略) * 年 * 月至 * 年 * 月采购意向公开如下:

序号采购项目名称采购需求概况预算金额(万元)预计
采购时间
执行的政府采购政策备注
1宽谱介电分析仪宽谱介电分析仪1套,用于光电晶体各种电学参数的变频变温测量,以掌握材料的介电性质。频率范围3μHz~ * MHz,温度范围- * ~ * ℃。控温精度±0. * ℃直流偏压± * V。半年到货验收。 * 点击查看>> 非专门面向中小企业,对小型和微型企业产品的价格给予 * 定比例的扣除。允许进口产品投标。
2高能量皮秒激光器1.高能量皮秒激光器 * 套,用于非线性激光晶体性能测试。2.技术参数:激光器输出波长为1. * μm,最大输出能量为 * mj,能量稳定性≤1.0%RMS,脉冲宽度为≤ * ps,重复频率为 * Hz,光斑直径 * mm,发散角≤1mrad,偏振比≥ * :1,光束指向稳定性≤ * μrad;3.辅助系统:激 (略) 所需的冷却系统、控制程序及电脑;后续服务保证:质保期 * 年,终生维护,半年到货验收。 * 点击查看>> 非专门面向中小企业,对小型和微型企业产品的价格给予 * 定比例的扣除。
3分光光度计波长范围: * ~ * nm;可变角透射测试角度范围0~± * °;仪器噪声:≤0. * A (2A 在 * nm);杂散光:≤0. * %T;波长重复性:紫外可见≤±0. * nm;近红外≤±0. * nm。 * 点击查看>> 非专门面向中小企业,对小型和微型企业产品的价格给予 * 定比例的扣除。允许进口产品投标。
4多温区晶体下降炉等多温区下降法晶体生长设备3套,用于红外晶体及更多下降法生长的晶体生长专用设备,旋转轴载重为 (略) 程 * mm。半年到货验收;下降法晶体生长设备6套,用于红外晶体及更多下降法生长的晶体生长专用设备,旋转轴载重为 (略) 程 * mm。半年到货验收。 * 点击查看>> 非专门面向中小企业,对小型和微型企业产品的价格给予 * 定比例的扣除。
5大铂金坩埚等生长晶体配套设备大铂金坩埚2个,Φ * 铂金坩埚5个,Φ * 铂金坩埚5个。 * 点击查看>> 非专门面向中小企业,对小型和微型企业产品的价格给予 * 定比例的扣除。
6柴油发电机组等发电机组 * 套,用做生长晶体的后备电源。 * kw,启动时间5~6(s),带尾气净化和低音箱。半年到货验收;空调机组 * 套,风量 * m^3/h,风压 * Pa,电机功率2.2Kw。 * .5 点击查看>> 非专门面向中小企业,对小型和微型企业产品的价格给予 * 定比例的扣除。允许进口设备投标。
7加热炉等VB/VGF晶体生长设备2套,用于熔体法单晶生长,可生长最大尺寸为6英寸晶体,炉体最高加热温度为 * 摄氏度,控温精度±0.1摄氏度,慢速升降0~3.5mm/h可调,(下降)走车高度不低于 * mm。配备自动化晶体生长控制软件。半年到货验收;水平高压高温半导体InP多晶合成设备 * 套,用于大批量、组分均 * 的InP多晶制备。可单次合成 点击查看>> gInP多晶料。炉体最高加热温度为 * ℃,控温精度±0.1℃。半年到货验收。 * 点击查看>> 非专门面向中小企业,对小型和微型企业产品的价格给予 * 定比例的扣除。
8高温气压炉等高温气压炉 * 套,用于SiC和AlN等化合物半导体晶体原料的制备,最高熔点 * ?C,最高气压9.8MPa。半年到货验收;高温热压炉 * 套,用于新型透明陶瓷闪烁体制备,最高温度 * ℃,最大压力 * 吨。半年到货验收。 * 点击查看>> 非专门面向中小企业,对小型和微型企业产品的价格给予 * 定比例的扣除。

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