序号

采购项目名称

采购需求概况

预算金额

（万元）

预计采购时间

（填写到月）

备注

1

超导器件项目（ * ）

设备1：临时键合系统数量：1参数：1、晶圆尺寸：6/8inch兼容2、晶圆堆叠最大厚度：4 mm；3、腔体全封闭，侧边用VAT阀门，用于放入待键合基片。 4、腔室真空范围：0.9 mbar～1e3 mbar；真空控制精度：(1e-5mbar～ * mbar)≤± * %，( * mbar～ * mbar)≤±0.1%5、上、下基板加热系统分别独立控制；加热温度范围：室温至 * ℃；温控精度：≤±3℃；温度均匀性：≤±1.5%；升降温速率：1℃/min～ * ℃/min；6、压力范围： * KN，范围内连续可调；压力控制精度：≤±2%；压力均匀性：≤±2%；7、工艺腔室可填充2路以上工艺气体；8、马达驱动的Z轴，可以对各种厚度 (略) 自动调节。支持各种厚度的垫片，提供专用的临时键合对准夹具设备2：解键合系统数量：1参数：1、晶圆尺寸：最大尺寸 * inch晶圆；2、允许承载片材料：硅片或玻璃片，最大允许承载片厚度1.5mm3、 (略) 上各种主流的临时键合胶；4、可使用不同长度及不同厚度的解键合刀片精确确定解键合分离起始点，刀片高度调节分辨率 1um，最小解键合材料厚度推荐为 * um；5、解键合过程可通过程序分区定义解键合力量及速度；6、所有解键合相关参数及数据均可被程序界面监控及记录；设备具备最大允许键合力检测及上限保护机制；

* .0

* . *

3

超导器件项目（ * ）

设备名称：SFQ低频多通道自动测试系统数量：1预算： * 万参数：1.配备≥ * 个IO口(高精度模拟信号模拟和高速数字信号模拟提供支持)；2.低噪声≥ * 比特可编程输出偏置电流最大值为：± * μA, ±2mA, ± * mA, ± * mA ；3.配备2个Keithley- * 高精度多用电表(测量RSFQ器件输出信号)；4.配备2个高速GPIB-to-USB适配器(将测量到的数据传入PC)；5.高精度直流测量： * nV rms in DC- * Hz band；6.配备≥ * 个额外的IO通道；7.采样数据测试速度：速度≥1MS/s，同时采样；8.采样数据精度：峰峰值为 * μV的噪声；9.支持任意两通道的差分测量，精度0.5μV，4KHz带宽； * .高速USB-2界面(用于控制平台的数字信号)； * .MATLAB控制环境。 * . 低温测试杆P * LF- * TM，用于5x5 mm芯片的 * 触点定制芯片载体插件；全介质芯片安装；芯片热循环在2-5秒内，≤3W功率。集成在推进器中非磁性温度传感器，用于直接加热与芯片接触；在低温下提供可靠接触；改变针数( * 针)；双壁圆底独立悬挂屏蔽罐系统；1 MHz滤波DB * 标准连接器；同时支持测量和加热器通道。 * . 2个 * L液氦杜瓦罐CMSH * -3.5N。

* .0

* . *

2

超导器件项目（ * ）

A包：晶圆激光隐切机1台预算： * 万元参数：1、可接受6英寸和8英寸硅片衬底基板；2、切割道宽度≤ * 微米。3、样品为激光切割无残渣；4、具有断电自动保护功能；5、最大切割速度≥ * mm/s6、轮廓相机≥ * 万像素，校准相机≥ * 万像素，调教相机≥ * 万像素；7、具备防静电装置；8、具有自动对准功能，且对准精度≤1微米；9、带机械臂，可自动从样品盒上下料； * 、所有切片信息需有记录，并具有通过SECS/GEM半导体通用接口协议上传数据功能； * .样品加工厚度满足0.1mm-1mm; * .Z轴旋转角度≥ * ° * .具备产品 * 维码读取功能； * .直线度≤5um * .0.5mm厚度以下硅晶圆切片后无需裂片，直接扩膜即可分离B包：全自动匀胶显影系统预算： * 万元参数：1、片盒为open casstte,数量:2个，兼容6英寸、8英寸晶圆；2、匀胶、烘烤、显影过程 * 体化全自动控制，带机械臂，并配备SECE/GEM接口；3、2套晶圆旋涂单元，兼容6英寸、8英寸晶圆；4、2套恒温控制供胶系统：（1）4路胶泵供胶+1路针筒供胶；（2）3路胶泵供胶+1路针筒供胶；5、供胶系统胶嘴具有自清洗功能、具有胶嘴保湿功能；6、旋涂单元最高转速≥ * rpm，最小调整量1rpm；7、旋涂转速精度± * * - * rpm；8、2套显影单元，兼容6英寸、8英寸晶圆，具有恒温系统；9、显影单元最高转速≥ * rpm，最小调整量1rpm； * 、旋涂转速精度± * * - * rpm； * 、2套显影喷嘴系统：（1）2路显影液+1路去离子水+1路定影液；（2）1路显影液+1路去离子水； * 、4套热板：加热范围： * - * ℃；2套冷板：冷板温度： * ～ * ℃，±0.2℃C包:ICP刻蚀机-TiN干法刻蚀预算： * 万元参数：1、晶圆尺寸：≥6英寸；2、真空系统：由机械干泵及分子泵构成，腔室本底真空< 0.5 mTorr，腔室漏气率< 1.0 mTorr；3、等离子体系统：ICP源，功率: 点击查看>> W，射频RF功率: * - * W；匹配稳定时间＜3s；4、气路输送系统：至少 * 路工艺气体：Ar、O2、N2、SF6、CF4、CHF3、Cl2、BCl3；Gasbox漏气率< 0.5 mTorr/min；5、TiN蚀刻能力：刻蚀深度： * - * nm；刻蚀速率＞ * nm/min;侧壁倾角 * - * °；蚀刻均匀性≤±5%;D包：ICP刻蚀机-薄层介质干法刻蚀预算： * 万元参数：1、晶圆尺寸：≥6英寸；2、真空系统：腔室本底真空< 0.5 mTorr，腔室漏气率< 1.0 mTorr/min；3、等离子体系统：中心ICP源功率: 点击查看>> W，边缘ICP源功率 点击查看>> W，射频RF功率: * - * W；匹配稳定时间＜3s；4、气路输送系统：至少 * 路工艺气体：Ar、O2、N2、SF6、CF4、CHF3、Cl2、BCl3；Gasbox漏气率< 0.5 mTorr/min；5、SiO2蚀刻能力：刻蚀深度：1-3um；刻蚀速率＞ * nm/min；光刻胶刻蚀选择比：1-2；侧壁倾角 * - * °；蚀刻均匀性≤±3%;E包：电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统预算： * 万元参数：1、基片尺寸:兼容6英寸、8英寸；2、采用平板 * 螺旋天线作为感应耦合等离子体ICP源，通过电介质板、将射频功率耦合到等离子体中；3、下电极配置射频偏压源，频率 * . * MHz，功率≥ * W；4、下电极配置升降杆和机械卡盘，机 (略) 分不超过5 mm；5、采用背氦传热的动态温度控制系统，配有内置加热器和外置闭环热交换器，温度控制范围室温- * °C，温度控制精度±1°C6、反应腔采用双层进气，配置单独的SiH4进气环；7、带loadlock预真空腔，本底真空≤ 0.1 mbar，真空漏率≤ 5E-4 mbar?l/s；8、反应腔本底真空≤ 1E-6 mbar，真空漏率≤ 2E-4 mbar?l/s；9、至少5路工艺气体：Ar, O2, CF4, 5%SiH4, NH3；每路工艺气路均配置质量流量计MFC、颗粒过滤器和气动截止阀，其中5%SiH4和NH3工艺气路配置防腐蚀MFC和旁路设计； * 、集成式气路柜，质量流量计MFC与反应腔室间的距离不超过 * cm，可以实现工艺气体的快速切换。； * 、设备配置在线膜厚监测； * 、进样后可全计算机控制工艺过程；且设备配置SECS/GEM标准工业接口； * 、工艺指标：（1）SiO2沉积工艺：工艺气体：5% SiH4, O2, Ar沉积温度：≤ * oC沉积速率：≥ * nm/min片内均匀性：膜厚≤ ± 5%，折射率≤ ±0. * （6英寸，不包含边缘5mm）片间重复性： 膜厚≤ ± 3%，折射率≤ ±0. * （重复3片）应力范围：≤ * MPa （绝对值）BHF腐蚀速率：≤ * nm/min ( * :1 BHF @ * ℃)（2）SiNx沉积工艺：工艺气体：5% SiH4, NH3, Ar沉积温度：≤ * oC沉积速率：≥ * nm/min片内均匀性：膜厚≤ ± 5%，折射率≤ ±0. * （6英寸）片间重复性： 膜厚≤ ± 3%，折射率≤ ±0. * （重复3片）应力范围：≤ * MPa （绝对值）BHF腐蚀速率：≤ * nm/min ( * :1 BHF @ * ℃)F包：ICP刻蚀机-厚膜介质干法刻蚀(电感耦合等离子体刻蚀机)预算： * 万元参数：1、基片尺寸：≥6inch2、上电极ICP源功率≥ * W，频率 * . * MHz，等离子体密度≥ * /cm * 、下电极RF源功率≥ *

* .5

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序号

采购项目名称

采购需求概况

预算金额

（万元）

预计采购时间

（填写到月）

备注

1

超导器件项目（ * ）

设备1：临时键合系统数量：1参数：1、晶圆尺寸：6/8inch兼容2、晶圆堆叠最大厚度：4 mm；3、腔体全封闭，侧边用VAT阀门，用于放入待键合基片。 4、腔室真空范围：0.9 mbar～1e3 mbar；真空控制精度：(1e-5mbar～ * mbar)≤± * %，( * mbar～ * mbar)≤±0.1%5、上、下基板加热系统分别独立控制；加热温度范围：室温至 * ℃；温控精度：≤±3℃；温度均匀性：≤±1.5%；升降温速率：1℃/min～ * ℃/min；6、压力范围： * KN，范围内连续可调；压力控制精度：≤±2%；压力均匀性：≤±2%；7、工艺腔室可填充2路以上工艺气体；8、马达驱动的Z轴，可以对各种厚度 (略) 自动调节。支持各种厚度的垫片，提供专用的临时键合对准夹具设备2：解键合系统数量：1参数：1、晶圆尺寸：最大尺寸 * inch晶圆；2、允许承载片材料：硅片或玻璃片，最大允许承载片厚度1.5mm3、 (略) 上各种主流的临时键合胶；4、可使用不同长度及不同厚度的解键合刀片精确确定解键合分离起始点，刀片高度调节分辨率 1um，最小解键合材料厚度推荐为 * um；5、解键合过程可通过程序分区定义解键合力量及速度；6、所有解键合相关参数及数据均可被程序界面监控及记录；设备具备最大允许键合力检测及上限保护机制；

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超导器件项目（ * ）

设备名称：SFQ低频多通道自动测试系统数量：1预算： * 万参数：1.配备≥ * 个IO口(高精度模拟信号模拟和高速数字信号模拟提供支持)；2.低噪声≥ * 比特可编程输出偏置电流最大值为：± * μA, ±2mA, ± * mA, ± * mA ；3.配备2个Keithley- * 高精度多用电表(测量RSFQ器件输出信号)；4.配备2个高速GPIB-to-USB适配器(将测量到的数据传入PC)；5.高精度直流测量： * nV rms in DC- * Hz band；6.配备≥ * 个额外的IO通道；7.采样数据测试速度：速度≥1MS/s，同时采样；8.采样数据精度：峰峰值为 * μV的噪声；9.支持任意两通道的差分测量，精度0.5μV，4KHz带宽； * .高速USB-2界面(用于控制平台的数字信号)； * .MATLAB控制环境。 * . 低温测试杆P * LF- * TM，用于5x5 mm芯片的 * 触点定制芯片载体插件；全介质芯片安装；芯片热循环在2-5秒内，≤3W功率。集成在推进器中非磁性温度传感器，用于直接加热与芯片接触；在低温下提供可靠接触；改变针数( * 针)；双壁圆底独立悬挂屏蔽罐系统；1 MHz滤波DB * 标准连接器；同时支持测量和加热器通道。 * . 2个 * L液氦杜瓦罐CMSH * -3.5N。

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超导器件项目（ * ）

A包：晶圆激光隐切机1台预算： * 万元参数：1、可接受6英寸和8英寸硅片衬底基板；2、切割道宽度≤ * 微米。3、样品为激光切割无残渣；4、具有断电自动保护功能；5、最大切割速度≥ * mm/s6、轮廓相机≥ * 万像素，校准相机≥ * 万像素，调教相机≥ * 万像素；7、具备防静电装置；8、具有自动对准功能，且对准精度≤1微米；9、带机械臂，可自动从样品盒上下料； * 、所有切片信息需有记录，并具有通过SECS/GEM半导体通用接口协议上传数据功能； * .样品加工厚度满足0.1mm-1mm; * .Z轴旋转角度≥ * ° * .具备产品 * 维码读取功能； * .直线度≤5um * .0.5mm厚度以下硅晶圆切片后无需裂片，直接扩膜即可分离B包：全自动匀胶显影系统预算： * 万元参数：1、片盒为open casstte,数量:2个，兼容6英寸、8英寸晶圆；2、匀胶、烘烤、显影过程 * 体化全自动控制，带机械臂，并配备SECE/GEM接口；3、2套晶圆旋涂单元，兼容6英寸、8英寸晶圆；4、2套恒温控制供胶系统：（1）4路胶泵供胶+1路针筒供胶；（2）3路胶泵供胶+1路针筒供胶；5、供胶系统胶嘴具有自清洗功能、具有胶嘴保湿功能；6、旋涂单元最高转速≥ * rpm，最小调整量1rpm；7、旋涂转速精度± * * - * rpm；8、2套显影单元，兼容6英寸、8英寸晶圆，具有恒温系统；9、显影单元最高转速≥ * rpm，最小调整量1rpm； * 、旋涂转速精度± * * - * rpm； * 、2套显影喷嘴系统：（1）2路显影液+1路去离子水+1路定影液；（2）1路显影液+1路去离子水； * 、4套热板：加热范围： * - * ℃；2套冷板：冷板温度： * ～ * ℃，±0.2℃C包:ICP刻蚀机-TiN干法刻蚀预算： * 万元参数：1、晶圆尺寸：≥6英寸；2、真空系统：由机械干泵及分子泵构成，腔室本底真空< 0.5 mTorr，腔室漏气率< 1.0 mTorr；3、等离子体系统：ICP源，功率: 点击查看>> W，射频RF功率: * - * W；匹配稳定时间＜3s；4、气路输送系统：至少 * 路工艺气体：Ar、O2、N2、SF6、CF4、CHF3、Cl2、BCl3；Gasbox漏气率< 0.5 mTorr/min；5、TiN蚀刻能力：刻蚀深度： * - * nm；刻蚀速率＞ * nm/min;侧壁倾角 * - * °；蚀刻均匀性≤±5%;D包：ICP刻蚀机-薄层介质干法刻蚀预算： * 万元参数：1、晶圆尺寸：≥6英寸；2、真空系统：腔室本底真空< 0.5 mTorr，腔室漏气率< 1.0 mTorr/min；3、等离子体系统：中心ICP源功率: 点击查看>> W，边缘ICP源功率 点击查看>> W，射频RF功率: * - * W；匹配稳定时间＜3s；4、气路输送系统：至少 * 路工艺气体：Ar、O2、N2、SF6、CF4、CHF3、Cl2、BCl3；Gasbox漏气率< 0.5 mTorr/min；5、SiO2蚀刻能力：刻蚀深度：1-3um；刻蚀速率＞ * nm/min；光刻胶刻蚀选择比：1-2；侧壁倾角 * - * °；蚀刻均匀性≤±3%;E包：电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统预算： * 万元参数：1、基片尺寸:兼容6英寸、8英寸；2、采用平板 * 螺旋天线作为感应耦合等离子体ICP源，通过电介质板、将射频功率耦合到等离子体中；3、下电极配置射频偏压源，频率 * . * MHz，功率≥ * W；4、下电极配置升降杆和机械卡盘，机 (略) 分不超过5 mm；5、采用背氦传热的动态温度控制系统，配有内置加热器和外置闭环热交换器，温度控制范围室温- * °C，温度控制精度±1°C6、反应腔采用双层进气，配置单独的SiH4进气环；7、带loadlock预真空腔，本底真空≤ 0.1 mbar，真空漏率≤ 5E-4 mbar?l/s；8、反应腔本底真空≤ 1E-6 mbar，真空漏率≤ 2E-4 mbar?l/s；9、至少5路工艺气体：Ar, O2, CF4, 5%SiH4, NH3；每路工艺气路均配置质量流量计MFC、颗粒过滤器和气动截止阀，其中5%SiH4和NH3工艺气路配置防腐蚀MFC和旁路设计； * 、集成式气路柜，质量流量计MFC与反应腔室间的距离不超过 * cm，可以实现工艺气体的快速切换。； * 、设备配置在线膜厚监测； * 、进样后可全计算机控制工艺过程；且设备配置SECS/GEM标准工业接口； * 、工艺指标：（1）SiO2沉积工艺：工艺气体：5% SiH4, O2, Ar沉积温度：≤ * oC沉积速率：≥ * nm/min片内均匀性：膜厚≤ ± 5%，折射率≤ ±0. * （6英寸，不包含边缘5mm）片间重复性： 膜厚≤ ± 3%，折射率≤ ±0. * （重复3片）应力范围：≤ * MPa （绝对值）BHF腐蚀速率：≤ * nm/min ( * :1 BHF @ * ℃)（2）SiNx沉积工艺：工艺气体：5% SiH4, NH3, Ar沉积温度：≤ * oC沉积速率：≥ * nm/min片内均匀性：膜厚≤ ± 5%，折射率≤ ±0. * （6英寸）片间重复性： 膜厚≤ ± 3%，折射率≤ ±0. * （重复3片）应力范围：≤ * MPa （绝对值）BHF腐蚀速率：≤ * nm/min ( * :1 BHF @ * ℃)F包：ICP刻蚀机-厚膜介质干法刻蚀(电感耦合等离子体刻蚀机)预算： * 万元参数：1、基片尺寸：≥6inch2、上电极ICP源功率≥ * W，频率 * . * MHz，等离子体密度≥ * /cm * 、下电极RF源功率≥ *

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