济南量子技术研究院2021年9(至)9月政府采购意向-超导器件项目(五)

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济南量子技术研究院2021年9(至)9月政府采购意向-超导器件项目(五)



(略) 量 (略) * 年9(至)9月

政府采购意向

为便于供应商及时了解政府采购信息,根据《 (略) 关于开展政府采购意向公开工作的通知》(财库〔 * 〕 * 号)等有关规定,现将 (略) 量 (略) * 年9(至)9月采购意向公开如下:

序号

采购项目名称

采购需求概况

预算金额

(万元)

预计采购时间

(填写到月)

备注

1

超导器件项目( * )

1薄膜应力测量系统 * 、技术指标:△1. XY双向程序控制扫描平台扫描范围:≥ * mm* * mm,XY双向扫描平台扫描最小分辨率1μm,最大扫描速度 * mm/sec;△2.基于高精度MOS多光束传感器技术,可通过单次扫描测试同时测试薄膜的XY轴向应力值,无需通过操作转动样品来实现不同轴向薄膜应力的测试。△3. 曲率半径测量范围优于 * km,平均曲率分辨率优于5× * -5 (1/m); 4. 薄膜应力测量范围:0. * MPa-7.8GPa5. 应力测量重复性:优于0. * MPa;△6. 平均曲率重复性:<5× * -5 1/m;7. 测量精度:优于±1%或0. * MPa;8. 程序化控制扫描模式:选定区域单线扫描、选定区域多点线性扫描、全面积扫描;△9. 样品表面全面积或选定区域Mapping功能:YX方向独立2D曲率Mapping成像,XY方向独立2D应力Mapping成像,整体定量薄膜应力成像分析,; * . 测量功能:曲率、曲率半径、应力和翘曲等; * . 高分辨、高灵敏度 * 位单色CCD检测系统:分辨率 * x * pixel size;曝光时间可控 * μs 至 * .3s; * . 配置标准的系统校准镜片, * 为平面镜,另 * 块曲率半径为 * m。测试前,可通过软件操作完成自动系统校准。△ * . 采用激光波长 * nm激光器,激光功率最大 * mW可调, (略) 模式,稳定性≤0.2%( * 小时); △ * . 自动光学追踪系统: (略) 样品测试时,用来追踪伺服系统而检测来自样品表面反射光,以确保测量激光阵列始终打在检测器上; * .测量分析软件:数据采集,系统控制,自动激光光点检测,自动激光功率控制(避免由于材料表面反射率的强烈变化而引起检测器过载现象),实时曲率、曲率半径、应力强度、应力、翘曲数据采集和图像显示,客户可选择阵列任意数 (略) 测试,分析功能有线剖面分析、统计分析、等高线图分析等,便捷的2D和3D图像显示和调整功能,数据ASCII输出;2感应耦合等离子体刻蚀设备-Nb干法刻蚀1、支持最大尺寸:8英寸;△2、ICP源功率≥ * W,RF电源功率≥ * W3、系统极限真空优于8E-7 Torr;真空室漏率优于1mTorr/min△4、Nb刻蚀垂直度> * °5、在6英寸测量面积内刻蚀均匀性2:1△9、铝制下电极直径≥ * mm,可适用于2-8英寸晶圆。 * 、反应腔室带有侧壁加热功能,最高温度可达 * ℃ * 、反应气路不少于6路 * 、配有预真空室,并配有独立使用的干泵,不可与主腔室共用。△ * 、预真空室带有慢抽和慢排空功能,并配有显示实时位置的晶圆传输机械手。 * 、高速刻蚀速率≥ * nm/min * 、低速低损伤≤ * nm/min3感应耦合等离子体刻蚀-Mo干法刻蚀1、支持最大尺寸:8英寸;△2、ICP源功率≥ * W,RF电源功率≥ * W3、系统极限真空优于8E-7 Torr;真空室漏率优于1mTorr/min△4、Mo刻蚀垂直度> * °5、在6英寸测量面积内刻蚀均匀性1.5:1, 对于PR选择比>0.5:1△9、刻蚀速率> * nm/min△ * 、铝制下电极直径不小于 * mm,用于2-8英寸晶圆。 * 、反应腔室带有侧壁加热功能,最高温度可达 * ℃ * 、反应气路不少于6路。 * 、配有预真空室,并配有独立使用的干泵,不可与主腔室共用。△ * 、预真空室带有慢抽和慢排空功能,并配有显示实时位置的晶圆传输机械手。4感应耦合等离子体刻蚀设备(Al刻蚀)1、支持最大尺寸:8英寸;△2、ICP源功率≥ * W,RF电源功率≥ * W3、系统极限真空优于8E-7 Torr;真空室漏率优于1mTorr/min△4、Al刻蚀垂直度> * °(刻蚀孔或槽均可达到5、在6英寸测量面积内刻蚀均匀性1.5:1△9、Al高速刻蚀速率> * nm/min△ * 、铝制下电极直径≥ * mm,用于2-8英寸晶圆。 * 、反应腔室带有侧壁加热功能,最高温度可达 * ℃ * 、反应气路不少于8路。 * 、配有预真空室,并配有独立使用的干泵,不可与主腔室共用。△ * 、预真空室带有慢抽和慢排空功能,并配有显示实时位置的晶圆传输机械手。△ * 、同时设备可以实现RIE模式下Al的低速刻蚀,刻蚀速率< * nm/min。5感应耦合等离子体刻蚀设备-Ta干法刻蚀)1、支持最大尺寸:8英寸;△2、ICP源功率≥ * W,RF电源功率≥ * W3、系统极限真空优于8E-7 Torr;真空室漏率优于1mTorr/min△4、Ta刻蚀垂直度> * °(刻蚀孔或槽均可达到5、在6英寸测量面积内刻蚀均匀性1:1△9、Ta高速刻蚀速率> * nm/min△ * 、铝制下电极直径不小于 * mm,用于2-8英寸晶圆。具有加热功能,最高温度 * ℃。 * 、反应腔

* .0

* . *

本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排, (略) 和采购文件为准。

(略) 量 (略)

* 日



(略) 量 (略) * 年9(至)9月

政府采购意向

为便于供应商及时了解政府采购信息,根据《 (略) 关于开展政府采购意向公开工作的通知》(财库〔 * 〕 * 号)等有关规定,现将 (略) 量 (略) * 年9(至)9月采购意向公开如下:

序号

采购项目名称

采购需求概况

预算金额

(万元)

预计采购时间

(填写到月)

备注

1

超导器件项目( * )

1薄膜应力测量系统 * 、技术指标:△1. XY双向程序控制扫描平台扫描范围:≥ * mm* * mm,XY双向扫描平台扫描最小分辨率1μm,最大扫描速度 * mm/sec;△2.基于高精度MOS多光束传感器技术,可通过单次扫描测试同时测试薄膜的XY轴向应力值,无需通过操作转动样品来实现不同轴向薄膜应力的测试。△3. 曲率半径测量范围优于 * km,平均曲率分辨率优于5× * -5 (1/m); 4. 薄膜应力测量范围:0. * MPa-7.8GPa5. 应力测量重复性:优于0. * MPa;△6. 平均曲率重复性:<5× * -5 1/m;7. 测量精度:优于±1%或0. * MPa;8. 程序化控制扫描模式:选定区域单线扫描、选定区域多点线性扫描、全面积扫描;△9. 样品表面全面积或选定区域Mapping功能:YX方向独立2D曲率Mapping成像,XY方向独立2D应力Mapping成像,整体定量薄膜应力成像分析,; * . 测量功能:曲率、曲率半径、应力和翘曲等; * . 高分辨、高灵敏度 * 位单色CCD检测系统:分辨率 * x * pixel size;曝光时间可控 * μs 至 * .3s; * . 配置标准的系统校准镜片, * 为平面镜,另 * 块曲率半径为 * m。测试前,可通过软件操作完成自动系统校准。△ * . 采用激光波长 * nm激光器,激光功率最大 * mW可调, (略) 模式,稳定性≤0.2%( * 小时); △ * . 自动光学追踪系统: (略) 样品测试时,用来追踪伺服系统而检测来自样品表面反射光,以确保测量激光阵列始终打在检测器上; * .测量分析软件:数据采集,系统控制,自动激光光点检测,自动激光功率控制(避免由于材料表面反射率的强烈变化而引起检测器过载现象),实时曲率、曲率半径、应力强度、应力、翘曲数据采集和图像显示,客户可选择阵列任意数 (略) 测试,分析功能有线剖面分析、统计分析、等高线图分析等,便捷的2D和3D图像显示和调整功能,数据ASCII输出;2感应耦合等离子体刻蚀设备-Nb干法刻蚀1、支持最大尺寸:8英寸;△2、ICP源功率≥ * W,RF电源功率≥ * W3、系统极限真空优于8E-7 Torr;真空室漏率优于1mTorr/min△4、Nb刻蚀垂直度> * °5、在6英寸测量面积内刻蚀均匀性2:1△9、铝制下电极直径≥ * mm,可适用于2-8英寸晶圆。 * 、反应腔室带有侧壁加热功能,最高温度可达 * ℃ * 、反应气路不少于6路 * 、配有预真空室,并配有独立使用的干泵,不可与主腔室共用。△ * 、预真空室带有慢抽和慢排空功能,并配有显示实时位置的晶圆传输机械手。 * 、高速刻蚀速率≥ * nm/min * 、低速低损伤≤ * nm/min3感应耦合等离子体刻蚀-Mo干法刻蚀1、支持最大尺寸:8英寸;△2、ICP源功率≥ * W,RF电源功率≥ * W3、系统极限真空优于8E-7 Torr;真空室漏率优于1mTorr/min△4、Mo刻蚀垂直度> * °5、在6英寸测量面积内刻蚀均匀性1.5:1, 对于PR选择比>0.5:1△9、刻蚀速率> * nm/min△ * 、铝制下电极直径不小于 * mm,用于2-8英寸晶圆。 * 、反应腔室带有侧壁加热功能,最高温度可达 * ℃ * 、反应气路不少于6路。 * 、配有预真空室,并配有独立使用的干泵,不可与主腔室共用。△ * 、预真空室带有慢抽和慢排空功能,并配有显示实时位置的晶圆传输机械手。4感应耦合等离子体刻蚀设备(Al刻蚀)1、支持最大尺寸:8英寸;△2、ICP源功率≥ * W,RF电源功率≥ * W3、系统极限真空优于8E-7 Torr;真空室漏率优于1mTorr/min△4、Al刻蚀垂直度> * °(刻蚀孔或槽均可达到5、在6英寸测量面积内刻蚀均匀性1.5:1△9、Al高速刻蚀速率> * nm/min△ * 、铝制下电极直径≥ * mm,用于2-8英寸晶圆。 * 、反应腔室带有侧壁加热功能,最高温度可达 * ℃ * 、反应气路不少于8路。 * 、配有预真空室,并配有独立使用的干泵,不可与主腔室共用。△ * 、预真空室带有慢抽和慢排空功能,并配有显示实时位置的晶圆传输机械手。△ * 、同时设备可以实现RIE模式下Al的低速刻蚀,刻蚀速率< * nm/min。5感应耦合等离子体刻蚀设备-Ta干法刻蚀)1、支持最大尺寸:8英寸;△2、ICP源功率≥ * W,RF电源功率≥ * W3、系统极限真空优于8E-7 Torr;真空室漏率优于1mTorr/min△4、Ta刻蚀垂直度> * °(刻蚀孔或槽均可达到5、在6英寸测量面积内刻蚀均匀性1:1△9、Ta高速刻蚀速率> * nm/min△ * 、铝制下电极直径不小于 * mm,用于2-8英寸晶圆。具有加热功能,最高温度 * ℃。 * 、反应腔

* .0

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本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排, (略) 和采购文件为准。

(略) 量 (略)

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