广西大学2021年12月政府采购意向-ICP等离子刻蚀机
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广西大学2021年12月政府采购意向-ICP等离子刻蚀机
| 序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 预算金额（万元） | 预计采购时间（填写到月） | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | ICP等离子刻蚀机 | .进样系统和反应腔室 1.1 自动真空进样装置（LoadLock），可传载8英寸及以下样片。采用气动传输、传输样片平稳、安全，上盖配观察窗，漏率：<1mTorr/min且具有机械手传送Wafer。 ★1.2电感耦合等离子体发生源采用平面ICP 源设计，功率 * W，频率为 * . * MHz，配 (略) 络 ★1.3 下电极偏压射频发生器功率≥ * W，配 (略) 络功能 ★1.4 下电极采用背氦传热的温度控制系统，有内置加热器和外置冷却系统，温度控制范围不小于- * ℃～ * ℃，温度控制精度±0.5℃ ★1.5 下电极直径≥ * mm，8英寸SiC托盘，可承载8英寸及以下样片，不同尺寸的样片之间切换，无需开腔、无需破真空。 1.6刻蚀反应腔室具备加热功能，可加热至最高 * oC，加热区域包括腔体壁、真空管道、阀等。 1.7反应腔体配备有射频屏蔽功能的等离子体观察窗口 1.8 配有8英寸陶瓷压环 2 真空系统 ★2.1 反应腔室配备国际知名的耐腐前级干泵和分子泵,分子泵抽速≥ * L/s; 干泵抽速：≥ * m3/hr，带阀体加热，Process K (略) Al (略) 理，Particle控制好，保养周期更长，且快速拆装时间低至3H，方便维护。 2.2刻蚀腔体极限真空度：?1E-4Pa，漏率<1mTorr/min。 ★2.3 LoadLock配备国际知名耐腐干泵，与主腔室共用。 2.4 自动控制节流阀。 3 气路系统 3.1反应气路为8路：O2，Ar，SF6，CF4, N2（非吹扫N2），C4F8，Cl2， BCl3。其中BCl3需配备加热管道 3.2 腐蚀性气体气路需配置防腐蚀质量流量计MFC及旁路设计、颗粒过滤器和气动截止阀；其余气路需配置质量流量计MFC、颗粒过滤器和气动截止阀。采用Horiba及 * 星数字型MFC，控制范围为满量程的2%~ * %，控制精度：+/-1%设定值（ * ~ * %量程）；+/-0.2%设定值（2~ * %量程）。 3.3单独配置有吹扫用氮气气路和背冷却用氦气气路 4 (略) 理系统 具有中英文软件操作界面，控制系统 (略) 操作软件系统，便于工艺和系统参数的设定和存储。具有多级密码访问权限功能，方便多用户管理。配置紧急停止开关，具备完善的安全互锁功能。 5 ★ PMMA刻蚀工艺（刻蚀形貌为 * - * nm，6英寸） 5.1 刻蚀速率： * - * nm/min 5.2 垂直度： * 度+/-3度 5.3片内不均匀性：<±4% (4英寸基片，距边缘5mm，点数≥5) 5.4片间不 * 致性：<±3 %(4英寸基片，距边缘5mm，点数≥5) 5.5选择比：>0.5：1 5.6 刻蚀深度： * nm 5.7 深宽比：最大3：1 6 ★Pt刻蚀工艺，6英寸基底 6.1 刻蚀速率：> * nm/min 6.2 垂直度： * 度+/-3度 6.3片内不均匀性：<±4% (4英寸基片，距边缘5mm，点数≥5) 6.4片间不 * 致性：<±3 %(4英寸基片，距边缘5mm，点数≥5) 6.5选择比：>0.3:1 6.6 刻蚀深度：不超过 * nm 7 ★LiNbO3刻蚀工艺（刻蚀形貌：波导，4英寸晶圆），具备实验室工艺调试经验，BaseLine为佳。 7.1 刻蚀速率：> * nm/min 7.2 垂直度： * °±5° 7.3片内不均匀性：<±5% (4英寸基片，距边缘5mm，点数≥5) 7.4片间不 * 致性：<±3 %(4英寸基片，距边缘5mm，点数≥5) 7.5选择比：>0.8:1（光刻胶掩膜） >5:1(Ni 掩膜) 7.6 刻蚀深度：< * nm 8 Si刻蚀工艺（刻蚀形貌为 * - * nm，4英寸晶圆），具备大规模量产工业经验，BaseLine为佳。 8.1 刻蚀速率： * - * nm/min 8.2 垂直度： * 度+/-3度 8.3片内不均匀性：<±4% (4英寸基片，距边缘5mm，点数≥5) 8.4片间不 * 致性：<±3 %(4英寸基片，距边缘5mm，点数≥5) 8.5选择比：>0.5：1 8.6 刻蚀深度： * nm 8.7 深宽比：最大3：1 9 GaAs刻蚀工艺（刻蚀形貌为光子晶体孔PhC,4英寸晶圆），具备大规模量产工业经验，BaseLine为佳。 9.1 刻蚀速率：> * nm/min 9.2 垂直度： * 度+/-3度 9.3片内不均匀性：<±4% (4英寸基片，距边缘5mm，点数≥5) 9.4片间不 * 致性：<±3 %(4英寸基片，距边缘5mm，点数≥5) 9.5选择比：>0.5:1 9.6 刻蚀深度：不超过 * nm * 供应商报价需包含外围，且外围设备的配置需保证主设备的正常使用和刻蚀工艺指标的实现： * . (略) 需工艺气体自钢瓶或供气接口至设备的管道硬件及施工费用，有毒气体需要配置特气柜。供应商报价需包含本设备 (略) 理设备及其管道连接费用。 * .2 (略) 需压缩空气空压机及空气罐。 * .3 (略) 需制氮机、干冷机、过滤器。 * .4 (略) 需冷却水之水冷机。 * .工作条件 * .1电源： * V或 * V/ * Hz ± * %， * 相， * 线 * . (略) 环境温度： * - * C * . (略) 环境相对湿度：< * % * . (略) 的持久性：Uptime> * % | * | * 年 * 月 | 1套 |
| 序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 预算金额（万元） | 预计采购时间（填写到月） | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | ICP等离子刻蚀机 | .进样系统和反应腔室 1.1 自动真空进样装置（LoadLock），可传载8英寸及以下样片。采用气动传输、传输样片平稳、安全，上盖配观察窗，漏率：<1mTorr/min且具有机械手传送Wafer。 ★1.2电感耦合等离子体发生源采用平面ICP 源设计，功率 * W，频率为 * . * MHz，配 (略) 络 ★1.3 下电极偏压射频发生器功率≥ * W，配 (略) 络功能 ★1.4 下电极采用背氦传热的温度控制系统，有内置加热器和外置冷却系统，温度控制范围不小于- * ℃～ * ℃，温度控制精度±0.5℃ ★1.5 下电极直径≥ * mm，8英寸SiC托盘，可承载8英寸及以下样片，不同尺寸的样片之间切换，无需开腔、无需破真空。 1.6刻蚀反应腔室具备加热功能，可加热至最高 * oC，加热区域包括腔体壁、真空管道、阀等。 1.7反应腔体配备有射频屏蔽功能的等离子体观察窗口 1.8 配有8英寸陶瓷压环 2 真空系统 ★2.1 反应腔室配备国际知名的耐腐前级干泵和分子泵,分子泵抽速≥ * L/s; 干泵抽速：≥ * m3/hr，带阀体加热，Process K (略) Al (略) 理，Particle控制好，保养周期更长，且快速拆装时间低至3H，方便维护。 2.2刻蚀腔体极限真空度：?1E-4Pa，漏率<1mTorr/min。 ★2.3 LoadLock配备国际知名耐腐干泵，与主腔室共用。 2.4 自动控制节流阀。 3 气路系统 3.1反应气路为8路：O2，Ar，SF6，CF4, N2（非吹扫N2），C4F8，Cl2， BCl3。其中BCl3需配备加热管道 3.2 腐蚀性气体气路需配置防腐蚀质量流量计MFC及旁路设计、颗粒过滤器和气动截止阀；其余气路需配置质量流量计MFC、颗粒过滤器和气动截止阀。采用Horiba及 * 星数字型MFC，控制范围为满量程的2%~ * %，控制精度：+/-1%设定值（ * ~ * %量程）；+/-0.2%设定值（2~ * %量程）。 3.3单独配置有吹扫用氮气气路和背冷却用氦气气路 4 (略) 理系统 具有中英文软件操作界面，控制系统 (略) 操作软件系统，便于工艺和系统参数的设定和存储。具有多级密码访问权限功能，方便多用户管理。配置紧急停止开关，具备完善的安全互锁功能。 5 ★ PMMA刻蚀工艺（刻蚀形貌为 * - * nm，6英寸） 5.1 刻蚀速率： * - * nm/min 5.2 垂直度： * 度+/-3度 5.3片内不均匀性：<±4% (4英寸基片，距边缘5mm，点数≥5) 5.4片间不 * 致性：<±3 %(4英寸基片，距边缘5mm，点数≥5) 5.5选择比：>0.5：1 5.6 刻蚀深度： * nm 5.7 深宽比：最大3：1 6 ★Pt刻蚀工艺，6英寸基底 6.1 刻蚀速率：> * nm/min 6.2 垂直度： * 度+/-3度 6.3片内不均匀性：<±4% (4英寸基片，距边缘5mm，点数≥5) 6.4片间不 * 致性：<±3 %(4英寸基片，距边缘5mm，点数≥5) 6.5选择比：>0.3:1 6.6 刻蚀深度：不超过 * nm 7 ★LiNbO3刻蚀工艺（刻蚀形貌：波导，4英寸晶圆），具备实验室工艺调试经验，BaseLine为佳。 7.1 刻蚀速率：> * nm/min 7.2 垂直度： * °±5° 7.3片内不均匀性：<±5% (4英寸基片，距边缘5mm，点数≥5) 7.4片间不 * 致性：<±3 %(4英寸基片，距边缘5mm，点数≥5) 7.5选择比：>0.8:1（光刻胶掩膜） >5:1(Ni 掩膜) 7.6 刻蚀深度：< * nm 8 Si刻蚀工艺（刻蚀形貌为 * - * nm，4英寸晶圆），具备大规模量产工业经验，BaseLine为佳。 8.1 刻蚀速率： * - * nm/min 8.2 垂直度： * 度+/-3度 8.3片内不均匀性：<±4% (4英寸基片，距边缘5mm，点数≥5) 8.4片间不 * 致性：<±3 %(4英寸基片，距边缘5mm，点数≥5) 8.5选择比：>0.5：1 8.6 刻蚀深度： * nm 8.7 深宽比：最大3：1 9 GaAs刻蚀工艺（刻蚀形貌为光子晶体孔PhC,4英寸晶圆），具备大规模量产工业经验，BaseLine为佳。 9.1 刻蚀速率：> * nm/min 9.2 垂直度： * 度+/-3度 9.3片内不均匀性：<±4% (4英寸基片，距边缘5mm，点数≥5) 9.4片间不 * 致性：<±3 %(4英寸基片，距边缘5mm，点数≥5) 9.5选择比：>0.5:1 9.6 刻蚀深度：不超过 * nm * 供应商报价需包含外围，且外围设备的配置需保证主设备的正常使用和刻蚀工艺指标的实现： * . (略) 需工艺气体自钢瓶或供气接口至设备的管道硬件及施工费用，有毒气体需要配置特气柜。供应商报价需包含本设备 (略) 理设备及其管道连接费用。 * .2 (略) 需压缩空气空压机及空气罐。 * .3 (略) 需制氮机、干冷机、过滤器。 * .4 (略) 需冷却水之水冷机。 * .工作条件 * .1电源： * V或 * V/ * Hz ± * %， * 相， * 线 * . (略) 环境温度： * - * C * . (略) 环境相对湿度：< * % * . (略) 的持久性：Uptime> * % | * | * 年 * 月 | 1套 |
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