A 点击查看>> 物理光学仪器

极紫外（EUV）光刻胶是实现极紫外光刻技术量产的核心关键技术之一，国外同类技术封锁严重。上海光源的软X射线干涉光刻（XIL） (略) 是我国目前现阶段 (略) EUV光刻胶性 (略) ，光刻胶可达到的极限分辨率主要取决于高分辨的分束光栅掩膜的质量，而高分辨分束光栅掩膜的制备离不开高性能的电子束光刻机（EBL），并且需要大量机时摸索工艺条件，使设备尽可能达到极限性能。 (略) 已于2 (略) 修购项目采购了一台Crestec- * C EBL，但图形发生器不能兼容图像修正软件，难以发挥该EBL的最高性能，曝光分辨率较低，而且速率较慢。现在购置一台可与Crestec- * C兼容且与临近效应修正软件兼容的图形发生器装置，不仅可以精确控制曝光结果，达到该EBL设备应有的最高分辨率水平，并提高曝光速率。满足高分辨的分束光栅掩膜的制作要求，进一步满足EUV光刻胶10 nm以下半节距的检测需求。同时一定程度缓解本地区EBL机时紧张的现状。

A 点击查看>> 物理光学仪器

极紫外（EUV）光刻胶是实现极紫外光刻技术量产的核心关键技术之一，国外同类技术封锁严重。上海光源的软X射线干涉光刻（XIL） (略) 是我国目前现阶段 (略) EUV光刻胶性 (略) ，光刻胶可达到的极限分辨率主要取决于高分辨的分束光栅掩膜的质量，而高分辨分束光栅掩膜的制备离不开高性能的电子束光刻机（EBL），并且需要大量机时摸索工艺条件，使设备尽可能达到极限性能。 (略) 已于2 (略) 修购项目采购了一台Crestec- * C EBL，但图形发生器不能兼容图像修正软件，难以发挥该EBL的最高性能，曝光分辨率较低，而且速率较慢。现在购置一台可与Crestec- * C兼容且与临近效应修正软件兼容的图形发生器装置，不仅可以精确控制曝光结果，达到该EBL设备应有的最高分辨率水平，并提高曝光速率。满足高分辨的分束光栅掩膜的制作要求，进一步满足EUV光刻胶10 nm以下半节距的检测需求。同时一定程度缓解本地区EBL机时紧张的现状。