标的名称：He3制冷低温恒温器

标的数量：1

主要功能或目标：用于制作超高真 (略) 扫描隧道显微镜，需要极低噪声，高稳定性，长时间维持稳定的低温环境

需满足的要求：使用He4时基本温度小于1K, 使用 He3时最低温度小于 * mK。配备3T以上超导磁体。

标的名称：准连续中红外超快激光器

标的数量：1

主要功能或目标：激光脉宽具有飞秒量级，输出波长在中红外波段可调，既有单波长输出模式，有能实现宽波段输出。用于搭建中红外超快SNOM和集成纳米空间分辨的红外傅里叶光谱。

需满足的要求：需满足输出功率大于5 mW，波长调节范围至少满足6~15微米可调。具备单波长输出和宽谱输出功能。

标的名称：跨尺度显微力学测试系统

标的数量：1

主要功能或目标：研 (略) 为和微观失效机制，能够精确量化厘米、毫米、微米和纳米级 (略) 为。

需满足的要求：载荷量程包含 * mN至 * N，具备拉伸、压缩、弯曲、纳米压缩/压痕功能，包含力热耦合模块。

标的名称：飞行时间二次离子质谱仪

标的数量：1

主要功能或目标：精确表征材料的组分，实现材料组分的深度剖析及空间分辨。

需满足的要求：好于50nm的水平空间分辨，小于1nm的深度剖析精度，质量分辨率> * ，常规性实现 <1ppm的成分分辨。

标的名称：超精准 (略) 低温光学研究平台

标的数量：1

主要功能或目标：拟购置的超精准 (略) 低温光学研究平台将与超快光谱系统以及其它多种光谱学设备相结合， (略) 、温度依赖的光谱学测量，以及输运、动力学方面的时间分辨超快泵浦测量。

需满足的要求：1）温度范围：1.7K~ * K；2） (略) 强度：±70, * Oe（±7T）；3）加场速度：0-7T<30分钟；4）窗口数量：8个光学窗口位置； (略) 窗口，50mm直径，净孔径41.5mm；7个侧窗位置，40mm直径，净孔径24.5mm；5）直流通道：系统自带16根DC通道，内 (略) 理连接到样品台底座；6）震动稳定性：<10nm 峰-峰值；7）采用高效稳定的水冷型压缩机的脉冲管制冷机，制冷功率规格~ * .2K。

标的名称：超快瞬态吸收扫描成像系统

标的数量：1

主要功能或目标：拟购置的超快瞬态吸收成像系统将与飞秒激光系统及其配套的显微镜相结合，兼具时间分辨、光谱分辨、空间分辨和成像功能，用于研究光生电子激发态的能级结构，以及电子激发态能量弛豫、电荷转移、能级跃迁 (略) 为与微观动力学过程，并用于解决光催化、光电转换、人工光合作用等前沿交叉领域内的关键科学问题，为新型功能材料的设计、提高能源的清洁利用率、降低能耗、治理环境等提供原理性的指导意见。

需满足的要求：1）微区检测模式：反射模式 2）瞬态吸收成像检测模式：激光扫描模式、 (略) 成像模式 3）光谱探测：PMT+锁相放大器、高速COMS相机 4）白光光谱范围： 点击查看>> nm5）检测时间窗口：8 ns 6）显微镜系统一套 7）空间分辨率：≤1um 8）软件系统一套9）整套系统需配合客户低温装置使用

标的名称：飞秒激光聚焦离子束三束显微镜

标的数量：1

主要功能或目标：飞秒激光聚焦离子束三束显微镜用于对各种电子半导体、材料、物理和化学等样品的微观形貌观察、微纳米加工、超薄TEM样品制备，通过在聚焦离子束平台上集成飞秒激光加工模块，可同时实现激光快速加工区域和FIB精细加工区域精确的位置关联，从而实现从大体积到纳米级分辨的材料切割，加工和样品制备。配置X射线能谱仪附件，可同时对样品表面和横截面微观区域内 (略) 定性和定量分析。

需满足的要求：1）离子束系统技术要求：离子源种类：液态 Ga 离子源；离子源寿命≥ * μAh，使用时间≥ * h；离子束分辨率≤3. * 0KV （Preferred statistical method/多边统计法）加速电压范围不小于：0.5 kV-30 kV；最大可用离子束束流≥90nA；离子束Reheat时间间隔≥70小时；2）电子子束系统技术要求：二次电子分辨率≤0. * 5KV，≤1. * KV (以上分辨率均基于无样品台减速模式下测试得到，电子束最低加速电压和最低着 * 电压均≤20V,最高加速电压均≥30kV，加速电压以10V为步进，连续可调；3）飞秒激光系统技术要求：激光器的类型：DPSS固态二极管激光），激光器输出耦合方式：光纤耦合，输出波长 * nm ；脉冲宽度优于 * fs ；脉冲重复频率范围不低于1kHz-1 MHz ； * 兆赫 ； * MHz；最大峰值激光功率不小于20 MW；焦距（点）不大于14μm ；瑞利长度不小于 * μm； (略) 不小于40 x 40 mm；

标的名称： (略) 发射扫描电镜

标的数量：1

主要功能或目标： (略) 发射扫描电子显微镜能够对各种类型的材料样品表面 (略) 超高分辨率成像观察，获取样品表面微观结构形貌信息、成分衬度信息，可以在低电压下条件下无需镀膜直接高分辨观察半导体材料、磁性材料等样品；配置X射线能谱仪附件，可同时对样品表面微观区域内 (略) 定性和定量分析

需满足的要求：1）电子枪：灯丝寿命大于3年，自动聚焦，有倾斜校正功能2）电子枪基本参数：二次电子分辨率≤0. * 5kV（工作距离4mm），≤0. * kV，≤1. * 00V（无样品台减速模式下的标准模式）；背散射电子分辨率≤1. * kV；标准模式下加速电压和着 * 电压均可调范围均≥20V~30kV，加速电压以10V为步进连续可调；3）电子光路具备超大视野范围成像模式，电子束成像模式下最大视野宽度≥ * mm（最大工作距离条件下）4） (略) 马达驱动样品台，同时具备计算机 (略) 功能，马达台水平方向最大移动范围：X轴≥ * mm，Y轴≥ * mm，可装载最大样品尺寸≥ * mm（样品可Full Rotation条件下）

标的名称：金属磁控溅射设备

标的数量：1

主要功能或目标：兼容12英寸及以下晶圆尺寸镀膜需求；配备不少于4个靶位，可实现多靶共聚焦溅射；同时配备直流、直流脉冲、射频电源；衬底可加热，最高温度不低于 * ℃；配备低温泵系统；配备N2、O2、Ar三路气体

需满足的要求：1、工艺真空室极限真空优于3E-7 torr，从大气抽到5E-6torr 时间少于30 分钟；2、镀膜均匀性：12 英寸膜厚均匀性：优于±5％ ；3、镀膜重复性：重复性优于+/-3%；4、加热：工件盘最高加热不低于 * ℃，温度控制精度优于±3 度；

标的名称：X射线亚微米成像系统

标的数量：1

主要功能或目标：X射线亚微米成像系统具备对各类半导体材料与器件、MEMS芯片、金属材料及复合 (略) 高分辨无损三维成像及组织表征的功能。设备采用闭管透射式X射线源、独特的二级放大架构、独有的衬度技术，配合完善的的三维数据采集、控制、重构及可视化软件，能够以三维立体图像及二维虚拟切片的形式，清晰、准确、直观地展示 (略) 的亚微米级及以上的形貌（ (略) 组织结构、内部孔隙、微裂纹等），向半导体制程工艺提供准确的信息反馈。

需满足的要求：1）系统须采用几何+光学两级放大的架构，以满足大直径半 (略) 局部高分辨率的成像需求；2）具备对半导体芯片及线路板 (略) (略) 高分辨率扫描成像，能够实现 ≤1μm的体素分辨率的扫描成像能力；3）利用吸收衬度原理和相位传播衬度原理，能够获得包括高原子序数和低原子序数在内的各种材料高衬度图像；4）样品室内配备可见光相机，通过电脑操作即可实现样品的扫描位置对中，并可实时监控舱室内样品情况。无观察玻璃窗设计，防止X射线辐射泄露；5）具备快速三维数据重构软件、三维数据可视化软件、三维数据分析软件。

标的名称：深Si刻蚀设备

标的数量：1

主要功能或目标：该设备用于微纳制造工艺中8寸及以下尺寸Si晶圆BOSCH工艺深刻蚀

需满足的要求：需满足的工艺技术指标：1、样品尺寸：2-8寸；2、刻蚀材料Si、SOI等;3、刻蚀重复性（8寸，3片）：≤±5%；4、 Deep Trench刻蚀指标： 宽度 0.5-2μm； 深宽比>50; 要求垂直角度90°±1°； 均匀性分布小于±3%。

标的名称：光学镀膜设备

标的数量：1

主要功能或目标：配备旋转式工件架，直径不低于 * mm；具备多点式光学膜厚监控仪；配备双电子枪，及辅助离子源系统；配备低温泵系统；

需满足的要求：1、工艺真空室极限真空8.0 × 10-5 Pa 以下，排气时间少于20分钟(大气到1.5×10-3 Pa)；2、镀膜均匀性：8英寸膜厚均匀性：优于±5％ ；3、镀膜重复性：重复性优于+/-3%；4、工件盘最高加热可到 * ℃

标的名称：激光镀膜设备专用超高真空腔体组合

标的数量：1

主要功能或目标：用于维持激光镀膜设备的超高真空条件、需要满足设备研发的定制需求

需满足的要求：1.真空腔体包括： * mm口径球形腔室两个、真空过渡腔室两个、Load Lock腔体一个；2.插板阀等各类真空阀门若干、气体流量计若干、真空零配件若干；3.真空腔室漏率小于5×10E-10Pa.M3/S，材质为S * L优质不锈钢，氩弧焊接工艺，金属密封接口，内外表面采用镜面抛光工艺；4.配备高精度扫描位移功能的脉冲激光器专用支架；5.配备耐高温条件的多靶位大口径溅射靶材专用靶机；

标的名称：ICPMS

标的数量：1

主要功能或目标：用于半导体晶圆表面残痕元素分析以及化学试剂的纯度检测

需满足的要求：1）设备精度和稳定性满足6寸晶圆表面金属残留总量不超过3E10个/cm2的检测要求（检测元素包括K、Ca、Ti、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu 、Zn、Co和Hg），同时满足化学试剂（盐酸，硝酸，硫酸，氢氟酸，氨水，双氧水）金属杂质含量小于1ppb量级的检测要求；2）设备工作需耐受如上酸碱腐蚀性物质。

标的名称：晶圆自动清洗设备

标的数量：1

主要功能或目标：用于清洗4英寸或6英寸SiC半导体晶圆

需满足的要求：1）兼容4英寸和6英寸晶圆清洗工艺；2）采用清洗合格的6英寸晶圆，利用设备做清洗后，新增颗粒（0.3um以上）数目不超过10个。3）附带SiC晶圆清洗工艺配方，保证利用生长后直接取片的6英寸SiC外延片经设备清洗后，晶圆表面残留金属离子总数不大于3E10 atoms/cm2（检测元素包括K、Ca、Ti、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu 、Zn、Co和Hg）。4）满足如上要求情况下，保证清洗合格率大于90%（10片连续清洗做验证）。5）具备卡塞批量清洗能力，全自动清洗工艺，满足如上要求情况下，清洗能力不低于10片/小时。6）无故障工作时间不低于 * 小时。

标的名称：He3制冷低温恒温器

标的数量：1

主要功能或目标：用于制作超高真 (略) 扫描隧道显微镜，需要极低噪声，高稳定性，长时间维持稳定的低温环境

需满足的要求：使用He4时基本温度小于1K, 使用 He3时最低温度小于 * mK。配备3T以上超导磁体。

标的名称：准连续中红外超快激光器

标的数量：1

主要功能或目标：激光脉宽具有飞秒量级，输出波长在中红外波段可调，既有单波长输出模式，有能实现宽波段输出。用于搭建中红外超快SNOM和集成纳米空间分辨的红外傅里叶光谱。

需满足的要求：需满足输出功率大于5 mW，波长调节范围至少满足6~15微米可调。具备单波长输出和宽谱输出功能。

标的名称：跨尺度显微力学测试系统

标的数量：1

主要功能或目标：研 (略) 为和微观失效机制，能够精确量化厘米、毫米、微米和纳米级 (略) 为。

需满足的要求：载荷量程包含 * mN至 * N，具备拉伸、压缩、弯曲、纳米压缩/压痕功能，包含力热耦合模块。

标的名称：飞行时间二次离子质谱仪

标的数量：1

主要功能或目标：精确表征材料的组分，实现材料组分的深度剖析及空间分辨。

需满足的要求：好于50nm的水平空间分辨，小于1nm的深度剖析精度，质量分辨率> * ，常规性实现 <1ppm的成分分辨。

标的名称：超精准 (略) 低温光学研究平台

标的数量：1

主要功能或目标：拟购置的超精准 (略) 低温光学研究平台将与超快光谱系统以及其它多种光谱学设备相结合， (略) 、温度依赖的光谱学测量，以及输运、动力学方面的时间分辨超快泵浦测量。

需满足的要求：1）温度范围：1.7K~ * K；2） (略) 强度：±70, * Oe（±7T）；3）加场速度：0-7T<30分钟；4）窗口数量：8个光学窗口位置； (略) 窗口，50mm直径，净孔径41.5mm；7个侧窗位置，40mm直径，净孔径24.5mm；5）直流通道：系统自带16根DC通道，内 (略) 理连接到样品台底座；6）震动稳定性：<10nm 峰-峰值；7）采用高效稳定的水冷型压缩机的脉冲管制冷机，制冷功率规格~ * .2K。

标的名称：超快瞬态吸收扫描成像系统

标的数量：1

主要功能或目标：拟购置的超快瞬态吸收成像系统将与飞秒激光系统及其配套的显微镜相结合，兼具时间分辨、光谱分辨、空间分辨和成像功能，用于研究光生电子激发态的能级结构，以及电子激发态能量弛豫、电荷转移、能级跃迁 (略) 为与微观动力学过程，并用于解决光催化、光电转换、人工光合作用等前沿交叉领域内的关键科学问题，为新型功能材料的设计、提高能源的清洁利用率、降低能耗、治理环境等提供原理性的指导意见。

需满足的要求：1）微区检测模式：反射模式 2）瞬态吸收成像检测模式：激光扫描模式、 (略) 成像模式 3）光谱探测：PMT+锁相放大器、高速COMS相机 4）白光光谱范围： 点击查看>> nm5）检测时间窗口：8 ns 6）显微镜系统一套 7）空间分辨率：≤1um 8）软件系统一套9）整套系统需配合客户低温装置使用

标的名称：飞秒激光聚焦离子束三束显微镜

标的数量：1

主要功能或目标：飞秒激光聚焦离子束三束显微镜用于对各种电子半导体、材料、物理和化学等样品的微观形貌观察、微纳米加工、超薄TEM样品制备，通过在聚焦离子束平台上集成飞秒激光加工模块，可同时实现激光快速加工区域和FIB精细加工区域精确的位置关联，从而实现从大体积到纳米级分辨的材料切割，加工和样品制备。配置X射线能谱仪附件，可同时对样品表面和横截面微观区域内 (略) 定性和定量分析。

需满足的要求：1）离子束系统技术要求：离子源种类：液态 Ga 离子源；离子源寿命≥ * μAh，使用时间≥ * h；离子束分辨率≤3. * 0KV （Preferred statistical method/多边统计法）加速电压范围不小于：0.5 kV-30 kV；最大可用离子束束流≥90nA；离子束Reheat时间间隔≥70小时；2）电子子束系统技术要求：二次电子分辨率≤0. * 5KV，≤1. * KV (以上分辨率均基于无样品台减速模式下测试得到，电子束最低加速电压和最低着 * 电压均≤20V,最高加速电压均≥30kV，加速电压以10V为步进，连续可调；3）飞秒激光系统技术要求：激光器的类型：DPSS固态二极管激光），激光器输出耦合方式：光纤耦合，输出波长 * nm ；脉冲宽度优于 * fs ；脉冲重复频率范围不低于1kHz-1 MHz ； * 兆赫 ； * MHz；最大峰值激光功率不小于20 MW；焦距（点）不大于14μm ；瑞利长度不小于 * μm； (略) 不小于40 x 40 mm；

标的名称： (略) 发射扫描电镜

标的数量：1

主要功能或目标： (略) 发射扫描电子显微镜能够对各种类型的材料样品表面 (略) 超高分辨率成像观察，获取样品表面微观结构形貌信息、成分衬度信息，可以在低电压下条件下无需镀膜直接高分辨观察半导体材料、磁性材料等样品；配置X射线能谱仪附件，可同时对样品表面微观区域内 (略) 定性和定量分析

需满足的要求：1）电子枪：灯丝寿命大于3年，自动聚焦，有倾斜校正功能2）电子枪基本参数：二次电子分辨率≤0. * 5kV（工作距离4mm），≤0. * kV，≤1. * 00V（无样品台减速模式下的标准模式）；背散射电子分辨率≤1. * kV；标准模式下加速电压和着 * 电压均可调范围均≥20V~30kV，加速电压以10V为步进连续可调；3）电子光路具备超大视野范围成像模式，电子束成像模式下最大视野宽度≥ * mm（最大工作距离条件下）4） (略) 马达驱动样品台，同时具备计算机 (略) 功能，马达台水平方向最大移动范围：X轴≥ * mm，Y轴≥ * mm，可装载最大样品尺寸≥ * mm（样品可Full Rotation条件下）

标的名称：金属磁控溅射设备

标的数量：1

主要功能或目标：兼容12英寸及以下晶圆尺寸镀膜需求；配备不少于4个靶位，可实现多靶共聚焦溅射；同时配备直流、直流脉冲、射频电源；衬底可加热，最高温度不低于 * ℃；配备低温泵系统；配备N2、O2、Ar三路气体

需满足的要求：1、工艺真空室极限真空优于3E-7 torr，从大气抽到5E-6torr 时间少于30 分钟；2、镀膜均匀性：12 英寸膜厚均匀性：优于±5％ ；3、镀膜重复性：重复性优于+/-3%；4、加热：工件盘最高加热不低于 * ℃，温度控制精度优于±3 度；

标的名称：X射线亚微米成像系统

标的数量：1

主要功能或目标：X射线亚微米成像系统具备对各类半导体材料与器件、MEMS芯片、金属材料及复合 (略) 高分辨无损三维成像及组织表征的功能。设备采用闭管透射式X射线源、独特的二级放大架构、独有的衬度技术，配合完善的的三维数据采集、控制、重构及可视化软件，能够以三维立体图像及二维虚拟切片的形式，清晰、准确、直观地展示 (略) 的亚微米级及以上的形貌（ (略) 组织结构、内部孔隙、微裂纹等），向半导体制程工艺提供准确的信息反馈。

需满足的要求：1）系统须采用几何+光学两级放大的架构，以满足大直径半 (略) 局部高分辨率的成像需求；2）具备对半导体芯片及线路板 (略) (略) 高分辨率扫描成像，能够实现 ≤1μm的体素分辨率的扫描成像能力；3）利用吸收衬度原理和相位传播衬度原理，能够获得包括高原子序数和低原子序数在内的各种材料高衬度图像；4）样品室内配备可见光相机，通过电脑操作即可实现样品的扫描位置对中，并可实时监控舱室内样品情况。无观察玻璃窗设计，防止X射线辐射泄露；5）具备快速三维数据重构软件、三维数据可视化软件、三维数据分析软件。

标的名称：深Si刻蚀设备

标的数量：1

主要功能或目标：该设备用于微纳制造工艺中8寸及以下尺寸Si晶圆BOSCH工艺深刻蚀

需满足的要求：需满足的工艺技术指标：1、样品尺寸：2-8寸；2、刻蚀材料Si、SOI等;3、刻蚀重复性（8寸，3片）：≤±5%；4、 Deep Trench刻蚀指标： 宽度 0.5-2μm； 深宽比>50; 要求垂直角度90°±1°； 均匀性分布小于±3%。

标的名称：光学镀膜设备

标的数量：1

主要功能或目标：配备旋转式工件架，直径不低于 * mm；具备多点式光学膜厚监控仪；配备双电子枪，及辅助离子源系统；配备低温泵系统；

需满足的要求：1、工艺真空室极限真空8.0 × 10-5 Pa 以下，排气时间少于20分钟(大气到1.5×10-3 Pa)；2、镀膜均匀性：8英寸膜厚均匀性：优于±5％ ；3、镀膜重复性：重复性优于+/-3%；4、工件盘最高加热可到 * ℃

标的名称：激光镀膜设备专用超高真空腔体组合

标的数量：1

主要功能或目标：用于维持激光镀膜设备的超高真空条件、需要满足设备研发的定制需求

需满足的要求：1.真空腔体包括： * mm口径球形腔室两个、真空过渡腔室两个、Load Lock腔体一个；2.插板阀等各类真空阀门若干、气体流量计若干、真空零配件若干；3.真空腔室漏率小于5×10E-10Pa.M3/S，材质为S * L优质不锈钢，氩弧焊接工艺，金属密封接口，内外表面采用镜面抛光工艺；4.配备高精度扫描位移功能的脉冲激光器专用支架；5.配备耐高温条件的多靶位大口径溅射靶材专用靶机；

标的名称：ICPMS

标的数量：1

主要功能或目标：用于半导体晶圆表面残痕元素分析以及化学试剂的纯度检测

需满足的要求：1）设备精度和稳定性满足6寸晶圆表面金属残留总量不超过3E10个/cm2的检测要求（检测元素包括K、Ca、Ti、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu 、Zn、Co和Hg），同时满足化学试剂（盐酸，硝酸，硫酸，氢氟酸，氨水，双氧水）金属杂质含量小于1ppb量级的检测要求；2）设备工作需耐受如上酸碱腐蚀性物质。

标的名称：晶圆自动清洗设备

标的数量：1

主要功能或目标：用于清洗4英寸或6英寸SiC半导体晶圆

需满足的要求：1）兼容4英寸和6英寸晶圆清洗工艺；2）采用清洗合格的6英寸晶圆，利用设备做清洗后，新增颗粒（0.3um以上）数目不超过10个。3）附带SiC晶圆清洗工艺配方，保证利用生长后直接取片的6英寸SiC外延片经设备清洗后，晶圆表面残留金属离子总数不大于3E10 atoms/cm2（检测元素包括K、Ca、Ti、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu 、Zn、Co和Hg）。4）满足如上要求情况下，保证清洗合格率大于90%（10片连续清洗做验证）。5）具备卡塞批量清洗能力，全自动清洗工艺，满足如上要求情况下，清洗能力不低于10片/小时。6）无故障工作时间不低于 * 小时。