电子工业专用生产设备

一、标的名称：MOCVD 氮化物外延设备；二、标的数量：1台；三、主要技术指标：金属有机化合物气相沉积机（用于生长氮化镓）8x6”系统（1）气路配置： (略) ：？两路TMGa管线；？一路TEGa管线；？两路TMAl管线；？一路Cp2Mg管线；？两路TMIn管线？一路Fe源管线V族源？二路带稀释NH3 管线；掺杂源？二路SiH4 双稀释式管线；补偿管线？两路MO补偿管线；？两路V族源补偿管线；MO/氢化物管线装有N2/H2 混合装置MO生长/放空管线装有差分压力控制装置（2）温控水浴槽？七个温控水冷水浴槽，温控范围-20℃至+80℃,精度+/-0.05℃；（3） 反应室：？尺寸： 8x6”；？温度：≥1400℃*；？温度控制精度：在450～1400？C范围内波动小于？1℃；？反应室压力控制系统：10-700 torr；？反应室动态高度可调；？低压尾气系统；？氢气、氮气露点仪；？氯气自清理系统，自动机械手臂（4）手套箱：？手套箱气体（N2）纯化和循环系统；？手套箱压力控制系统；？集成氢气探测器；？集成吸尘器；？集成真空吸笔；？集成氮气吹枪；（6）工艺控制？一套测膜厚系统；？一套多点测温系统；（7）配件？8x6”石墨大盘3只；？MFC（流量控制阀）、PC（压力控制阀）各5个3MOCVD系统材料的验收指标：（衬底为蓝宝石衬底）（1）未掺杂GaN？表面粗糙度≤0.2nm？（002）面摇摆曲线半高宽≤200arcsec？（102）面摇摆曲线半高宽≤250arcsec？背景载流子浓度≤1014cm-3？均匀性≤2% （2） Si掺杂GaN室温下？掺杂浓度≧ 5x1018 cm-3？迁移率≧500 cm2/Vs（3） Mg掺杂GaN室温下？掺杂浓度≧ 5x1017 cm-3？电阻率≤1Ω.cm （5）AlN？表面粗糙度≤0.3nm？（002）面摇摆曲线半高宽≤150arcsec？（102）面摇摆曲线半高宽≤250arcsec？背景载流子浓度≤1014cm-3（6）AlGaN（Al组分45%）？表面粗糙度≤0.2nm？（002）面摇摆曲线半高宽≤200arcsec？（102）面摇摆曲线半高宽≤350arcsec？背景载流子浓度≤1014cm-3

电子工业专用生产设备

一、标的名称：MOCVD 氮化物外延设备；二、标的数量：1台；三、主要技术指标：金属有机化合物气相沉积机（用于生长氮化镓）8x6”系统（1）气路配置： (略) ：？两路TMGa管线；？一路TEGa管线；？两路TMAl管线；？一路Cp2Mg管线；？两路TMIn管线？一路Fe源管线V族源？二路带稀释NH3 管线；掺杂源？二路SiH4 双稀释式管线；补偿管线？两路MO补偿管线；？两路V族源补偿管线；MO/氢化物管线装有N2/H2 混合装置MO生长/放空管线装有差分压力控制装置（2）温控水浴槽？七个温控水冷水浴槽，温控范围-20℃至+80℃,精度+/-0.05℃；（3） 反应室：？尺寸： 8x6”；？温度：≥1400℃*；？温度控制精度：在450～1400？C范围内波动小于？1℃；？反应室压力控制系统：10-700 torr；？反应室动态高度可调；？低压尾气系统；？氢气、氮气露点仪；？氯气自清理系统，自动机械手臂（4）手套箱：？手套箱气体（N2）纯化和循环系统；？手套箱压力控制系统；？集成氢气探测器；？集成吸尘器；？集成真空吸笔；？集成氮气吹枪；（6）工艺控制？一套测膜厚系统；？一套多点测温系统；（7）配件？8x6”石墨大盘3只；？MFC（流量控制阀）、PC（压力控制阀）各5个3MOCVD系统材料的验收指标：（衬底为蓝宝石衬底）（1）未掺杂GaN？表面粗糙度≤0.2nm？（002）面摇摆曲线半高宽≤200arcsec？（102）面摇摆曲线半高宽≤250arcsec？背景载流子浓度≤1014cm-3？均匀性≤2% （2） Si掺杂GaN室温下？掺杂浓度≧ 5x1018 cm-3？迁移率≧500 cm2/Vs（3） Mg掺杂GaN室温下？掺杂浓度≧ 5x1017 cm-3？电阻率≤1Ω.cm （5）AlN？表面粗糙度≤0.3nm？（002）面摇摆曲线半高宽≤150arcsec？（102）面摇摆曲线半高宽≤250arcsec？背景载流子浓度≤1014cm-3（6）AlGaN（Al组分45%）？表面粗糙度≤0.2nm？（002）面摇摆曲线半高宽≤200arcsec？（102）面摇摆曲线半高宽≤350arcsec？背景载流子浓度≤1014cm-3