毫米波锗硅工艺流片招标预告

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毫米波锗硅工艺流片招标预告


毫米波锗硅工艺流片
(略) 在采购意向： (略) 2022年6月政府采购意向
采购单位： (略)
采购项目名称：毫米波锗硅工艺流片
预算金额： 点击查看>> 00万元(人民币)
采购品目：
C 点击查看>> 电子、通信与自动控制技术研究服务
采购需求概况：
毫米波锗硅工艺流片，1项 投标人 (略) 授权的代理资质文件。1. 加工工艺具备 0.13um SiGe BiCM (略) 加工能力。加工工艺与标准CMOS工艺兼容。2. 金属层参数不少于7个后端金属层（其中2个top metal的厚度为不少于2 um和3 um）。3. 器件性能高速NPN双极性晶体管的截止频率和最大振荡频率ft/fmax分别达到300GHz/500GHz，近期可发展超过450GHz/650GHz。击穿电压BVceo不小于1.7V。4. 无源参数可提供高阻硅电阻、MIM电容和压控二极管。其中，高阻硅电阻不低于1360 (Ω/□ )、MIM电容值不低于1.5 fF/um2、压控二极管高低电容比不小于1.7。5. 工艺条件可在MPW上提供硅穿孔TS (略) 金属化、 (略) 部蚀刻LBE、焊盘植锡球Solder Bumping、3D封装用的铜柱Copper Pillar的工艺选项。TSV的接地电感不超过35 pH。6. 流片面积不少于200平方毫米，在24个月内完成。
预计采购时间：2022-06
备注：


毫米波锗硅工艺流片
(略) 在采购意向： (略) 2022年6月政府采购意向
采购单位： (略)
采购项目名称：毫米波锗硅工艺流片
预算金额： 点击查看>> 00万元(人民币)
采购品目：
C 点击查看>> 电子、通信与自动控制技术研究服务
采购需求概况：
毫米波锗硅工艺流片，1项 投标人 (略) 授权的代理资质文件。1. 加工工艺具备 0.13um SiGe BiCM (略) 加工能力。加工工艺与标准CMOS工艺兼容。2. 金属层参数不少于7个后端金属层（其中2个top metal的厚度为不少于2 um和3 um）。3. 器件性能高速NPN双极性晶体管的截止频率和最大振荡频率ft/fmax分别达到300GHz/500GHz，近期可发展超过450GHz/650GHz。击穿电压BVceo不小于1.7V。4. 无源参数可提供高阻硅电阻、MIM电容和压控二极管。其中，高阻硅电阻不低于1360 (Ω/□ )、MIM电容值不低于1.5 fF/um2、压控二极管高低电容比不小于1.7。5. 工艺条件可在MPW上提供硅穿孔TS (略) 金属化、 (略) 部蚀刻LBE、焊盘植锡球Solder Bumping、3D封装用的铜柱Copper Pillar的工艺选项。TSV的接地电感不超过35 pH。6. 流片面积不少于200平方毫米，在24个月内完成。
预计采购时间：2022-06
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