DRIE深硅刻蚀系统招标预告
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DRIE深硅刻蚀系统招标预告
| DRIE深硅刻蚀系统 | |
| (略) 在采购意向： | (略) 2022年7月政府采购意向 |
| 采购单位： | (略) |
| 采购项目名称： | DRIE深硅刻蚀系统 |
| 预算金额： | 点击查看>> 00万元(人民币) |
| 采购品目： | A 点击查看>> 其他专用仪器仪表 |
| 采购需求概况： | 购置1台。1. 8寸，设备功能：主要用于材料或衬底表面的氧化硅、氮化硅介质薄膜的刻蚀工艺。2.设备采用工艺腔体+进样室双腔体真空结构。3.刻蚀工艺腔体由整块铝锭加工制成、无焊缝；漏率1.0 × 10-5 torr?l/s 4.晶圆尺寸：单片晶圆承载台，最大支持8英寸晶圆，向下兼容2、3、4寸工艺。5.传输系统：使用步进电机移动手臂，支持8英寸以内多种尺寸的传输。6.下电极尺寸不小于240mm，电极适用于３00W RF Bias功率。7. (略) ：5路（ (略) ），5路Non-T (略) 。8.气体类型：O2,Ar,CF4,CHF3,SF6。8. 均匀性+/-5%. |
| 预计采购时间： | 2022-07 |
| 备注： | |
| DRIE深硅刻蚀系统 | |
| (略) 在采购意向： | (略) 2022年7月政府采购意向 |
| 采购单位： | (略) |
| 采购项目名称： | DRIE深硅刻蚀系统 |
| 预算金额： | 点击查看>> 00万元(人民币) |
| 采购品目： | A 点击查看>> 其他专用仪器仪表 |
| 采购需求概况： | 购置1台。1. 8寸，设备功能：主要用于材料或衬底表面的氧化硅、氮化硅介质薄膜的刻蚀工艺。2.设备采用工艺腔体+进样室双腔体真空结构。3.刻蚀工艺腔体由整块铝锭加工制成、无焊缝；漏率1.0 × 10-5 torr?l/s 4.晶圆尺寸：单片晶圆承载台，最大支持8英寸晶圆，向下兼容2、3、4寸工艺。5.传输系统：使用步进电机移动手臂，支持8英寸以内多种尺寸的传输。6.下电极尺寸不小于240mm，电极适用于３00W RF Bias功率。7. (略) ：5路（ (略) ），5路Non-T (略) 。8.气体类型：O2,Ar,CF4,CHF3,SF6。8. 均匀性+/-5%. |
| 预计采购时间： | 2022-07 |
| 备注： | |
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