A 点击查看>> 电子工业专用生产设备

1.设备需满足如下三种主要工艺需求：a.可用于SU8等有机胶体材料的去胶工艺，b.可用于晶圆上材料表面活性增强等表面改性工艺，c.可用于硅、氧化硅、氮化硅等硅及硅化合物的各向同性刻蚀工艺2.设备等离子体源功率可达到3000W，且连续可调3.设备等离子体源需采用频率为2.45GHz的远端微波等离子体源（RPS），非近端微波磁控管源或频率为 点击查看>> MHz的ICP、CCP等RF源，保证工艺腔内无等离子体产生4.设备具有法拉第网，在去胶工艺、硅及硅化物刻蚀工艺过程中对晶圆材料为纯自由基化学干法腐蚀，无离子物理轰击5.在晶圆进行反应的工艺腔内无离子存在、无微波辐射、无电场分布6.去胶速度在大面积去胶时可大于200um/h（以5片布满SU8胶的6寸片同时去胶为准），小面积样品去胶时速度可达到20um/min（以CD为20um，深100um的金属结构腔内嵌SU8光刻胶的6寸片单片去胶为准）7.设备可实现CD为1um，槽深50um，深宽比1:50的金属结构腔内嵌SU8光刻胶的去除，且可实现2mm以内超厚光刻胶纯干法去除

8.设备可实 (略) 等离子体干法刻蚀减薄，6英寸500um厚表面粗糙度1nm的硅晶圆背减薄400um以内厚度，可保证片内及片间均匀性优于10%，表面粗糙度优于30nm9.设备需兼容4、6、8、12寸 (略) 理能力，且工艺腔可实现同时16片4寸晶圆、或9片6寸晶圆、或4片8寸晶圆、或1片12寸晶圆的工艺进行10. (略) 配真空泵在极限抽速下，工艺腔内压强需达到≤0.2Pa，且真空泵需要为耐腐蚀型真空泵，可耐受氟化碳、氟化硫等工艺气体反应后尾气腐蚀，保证真空泵使用寿命11.样品托盘须具有冷却及加热的恒温控制功能，温度控制范围需包含室温~80℃，保证样品 (略) 于恒定可控的温度下，以避免不同胶膜因温度过高或过低引起的应力形变进而间接对器件产生伤害，同时避免温度直接对晶圆上其余材料如金属的热应力影响而导致的起皮脱落等问题12.工艺腔内需有温度测量传感器，且数量不少于五个，分布于工艺腔内不同区域13.设备须具有终点检测功能，热检测、电检测、光谱检测均可，且对每一个样品托盘上的样品都有独立的终点检测功能14.设备可通入氧气、氮气、四氟化碳气体、六氟化硫气体、压缩空气15.工艺腔内壁及样品托盘材质需为铝材质，且样品托盘需经过表 (略) 理防止金属沾污，不可包含玻璃材质16.去胶工艺时需对铜、镍、金、铝、铂等多种金属电极或互连线等结构没有或有极小损伤，选择比大于500:117.去胶工艺时需对硅及硅化合物没有或有极小损伤，选择比大于500:118.工艺结束后样品表面没有有机残留物，且对非有机残留物有附加的清洁去除功能

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1.设备需满足如下三种主要工艺需求：a.可用于SU8等有机胶体材料的去胶工艺，b.可用于晶圆上材料表面活性增强等表面改性工艺，c.可用于硅、氧化硅、氮化硅等硅及硅化合物的各向同性刻蚀工艺2.设备等离子体源功率可达到3000W，且连续可调3.设备等离子体源需采用频率为2.45GHz的远端微波等离子体源（RPS），非近端微波磁控管源或频率为 点击查看>> MHz的ICP、CCP等RF源，保证工艺腔内无等离子体产生4.设备具有法拉第网，在去胶工艺、硅及硅化物刻蚀工艺过程中对晶圆材料为纯自由基化学干法腐蚀，无离子物理轰击5.在晶圆进行反应的工艺腔内无离子存在、无微波辐射、无电场分布6.去胶速度在大面积去胶时可大于200um/h（以5片布满SU8胶的6寸片同时去胶为准），小面积样品去胶时速度可达到20um/min（以CD为20um，深100um的金属结构腔内嵌SU8光刻胶的6寸片单片去胶为准）7.设备可实现CD为1um，槽深50um，深宽比1:50的金属结构腔内嵌SU8光刻胶的去除，且可实现2mm以内超厚光刻胶纯干法去除

8.设备可实 (略) 等离子体干法刻蚀减薄，6英寸500um厚表面粗糙度1nm的硅晶圆背减薄400um以内厚度，可保证片内及片间均匀性优于10%，表面粗糙度优于30nm9.设备需兼容4、6、8、12寸 (略) 理能力，且工艺腔可实现同时16片4寸晶圆、或9片6寸晶圆、或4片8寸晶圆、或1片12寸晶圆的工艺进行10. (略) 配真空泵在极限抽速下，工艺腔内压强需达到≤0.2Pa，且真空泵需要为耐腐蚀型真空泵，可耐受氟化碳、氟化硫等工艺气体反应后尾气腐蚀，保证真空泵使用寿命11.样品托盘须具有冷却及加热的恒温控制功能，温度控制范围需包含室温~80℃，保证样品 (略) 于恒定可控的温度下，以避免不同胶膜因温度过高或过低引起的应力形变进而间接对器件产生伤害，同时避免温度直接对晶圆上其余材料如金属的热应力影响而导致的起皮脱落等问题12.工艺腔内需有温度测量传感器，且数量不少于五个，分布于工艺腔内不同区域13.设备须具有终点检测功能，热检测、电检测、光谱检测均可，且对每一个样品托盘上的样品都有独立的终点检测功能14.设备可通入氧气、氮气、四氟化碳气体、六氟化硫气体、压缩空气15.工艺腔内壁及样品托盘材质需为铝材质，且样品托盘需经过表 (略) 理防止金属沾污，不可包含玻璃材质16.去胶工艺时需对铜、镍、金、铝、铂等多种金属电极或互连线等结构没有或有极小损伤，选择比大于500:117.去胶工艺时需对硅及硅化合物没有或有极小损伤，选择比大于500:118.工艺结束后样品表面没有有机残留物，且对非有机残留物有附加的清洁去除功能