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该设备需用于在微纳加工中的各种电子电镀，包括铜和镍的电镀。如印制板层间电气互连、印 (略) 图形制作、IC封装技术中封装基板 布线及层间互连、倒装芯片载板上的电极凸点制备等，需满足以下要求：1.该设备需兼容8英寸，6英寸，4英寸样品电镀，并且可以测试不规则样品电镀2.设备需包含真 (略) 理系统，电镀Cu系统，电镀Ni系统，大电流正负脉冲电源系统，真空控制系统，程序控制系统，清洗系统，排风系统，及其余工艺参数相关功能控制系统3.设备可实现电镀Cu RDL工艺、电镀Cu TSV工艺、电镀Ni工艺，且电镀工艺槽具备阳极保护离子膜功能4.设备具有程序控制系统，可以 (略) 有功能控制，包括开关机、参数设置、液位检测、流量控制、PH设定等5.所有电镀槽的阳极和阴极电镀模式均需为倾斜45度 相对摆放，阴极为可旋转电极，转速需包含0-100rpm，精度需达到1rpm，可编程6.大电流正负脉冲电源需可编程实现至少16个台阶，输出电流范围包含0-10A，最小电流5mA，电流精度1mA，波动小于1%，编制程序可存储7.真 (略) 理过程中真空度可即时检测并实时显示

8.设备需有镀液过滤系统， (略) 有1um 以上颗粒9.设备需有镀液循环系统及流速控制系统，可在0-100%范围内设置10.设备需有自动加热和温控系统，控制精度能达到±0.5℃11.设备需有储液槽液位监控系统，实时检测储液槽液位并显示，且具有自动去离子水补液系统，能够保证液位浮动范围在1% 以内12.设备需有pH值检测系统，监控能力1-12pH，精度可达到0.1pH，且具有自动PH值调整系统，配套镍工艺13.设备储液槽需配有排空泵，可以将镀液完全排空至转移容器内14.设备须具有排风系统，可以24h将挥发气 (略) (略) 理系统15.需提供整台设备配套6寸夹具及电镀液16.需提供2年使用量耗材，包括滤芯、pH sensor、离子膜等17.Cu电镀槽和Ni电镀槽在标准6寸晶圆上电镀金属层，3次电镀结果需达到以下标准：电镀厚度均匀性优于4%;电镀厚度重复性优于4%;18.Cu TSV电镀槽，能够实现10X100um的硅深孔内铜无孔隙填充3次以上

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该设备需用于在微纳加工中的各种电子电镀，包括铜和镍的电镀。如印制板层间电气互连、印 (略) 图形制作、IC封装技术中封装基板 布线及层间互连、倒装芯片载板上的电极凸点制备等，需满足以下要求：1.该设备需兼容8英寸，6英寸，4英寸样品电镀，并且可以测试不规则样品电镀2.设备需包含真 (略) 理系统，电镀Cu系统，电镀Ni系统，大电流正负脉冲电源系统，真空控制系统，程序控制系统，清洗系统，排风系统，及其余工艺参数相关功能控制系统3.设备可实现电镀Cu RDL工艺、电镀Cu TSV工艺、电镀Ni工艺，且电镀工艺槽具备阳极保护离子膜功能4.设备具有程序控制系统，可以 (略) 有功能控制，包括开关机、参数设置、液位检测、流量控制、PH设定等5.所有电镀槽的阳极和阴极电镀模式均需为倾斜45度 相对摆放，阴极为可旋转电极，转速需包含0-100rpm，精度需达到1rpm，可编程6.大电流正负脉冲电源需可编程实现至少16个台阶，输出电流范围包含0-10A，最小电流5mA，电流精度1mA，波动小于1%，编制程序可存储7.真 (略) 理过程中真空度可即时检测并实时显示

8.设备需有镀液过滤系统， (略) 有1um 以上颗粒9.设备需有镀液循环系统及流速控制系统，可在0-100%范围内设置10.设备需有自动加热和温控系统，控制精度能达到±0.5℃11.设备需有储液槽液位监控系统，实时检测储液槽液位并显示，且具有自动去离子水补液系统，能够保证液位浮动范围在1% 以内12.设备需有pH值检测系统，监控能力1-12pH，精度可达到0.1pH，且具有自动PH值调整系统，配套镍工艺13.设备储液槽需配有排空泵，可以将镀液完全排空至转移容器内14.设备须具有排风系统，可以24h将挥发气 (略) (略) 理系统15.需提供整台设备配套6寸夹具及电镀液16.需提供2年使用量耗材，包括滤芯、pH sensor、离子膜等17.Cu电镀槽和Ni电镀槽在标准6寸晶圆上电镀金属层，3次电镀结果需达到以下标准：电镀厚度均匀性优于4%;电镀厚度重复性优于4%;18.Cu TSV电镀槽，能够实现10X100um的硅深孔内铜无孔隙填充3次以上