A*电子工业专用生产设备

采购目标：以Si为基底的锗硅异质结构是一种新型半导体材料，锗硅材料的载流子迁移率高、能带宽度随Ge的组分变化而连续可调，如果在Si材料上生长SiGe/Si异质结构材料，则可以在Si上灵活地运用能带工程进行能带剪裁，制作新型Si基量子结构器件，同时又可以与成熟的Si微电子工艺相兼容，这将推动Si微电子工业跨上一个新台阶。Ge材料由于其具有比Si材料高的电子和空穴迁移率，与硅工艺兼容等优点，成为研究的热点。硅锗气相外延系统可以在Si衬底上异质外延生长出晶体质量优良的SiGe薄膜材料，并用这类材料研制出高性能双极型异质结晶体管和调制掺杂场效应晶体管以及长波长光电探测器等。为我校锗硅类高端有源电子及光电器件的开发提供硬件支撑。采购数量：1台套采购要求：1、可外延硅、多晶硅、硅锗固溶晶体薄膜；2、超高真空生长腔；3、低温泵，离子泵提供生长腔真空环境：4、具备液氮冷阱；5、高纯 SiC 加热器，样品台长期稳定使用温度 1000℃，最高使用温度1200℃，衬底托盘经过特殊处理避免高温下硅和金属反应6、加热台可旋转：0-30RPM；7、提供原位RHEED；8、提供Si电子束蒸发源；Ge蒸发源；Sn蒸发源；2个掺杂源；9、自动化控制系统；10、具备互锁装置；

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采购目标：以Si为基底的锗硅异质结构是一种新型半导体材料，锗硅材料的载流子迁移率高、能带宽度随Ge的组分变化而连续可调，如果在Si材料上生长SiGe/Si异质结构材料，则可以在Si上灵活地运用能带工程进行能带剪裁，制作新型Si基量子结构器件，同时又可以与成熟的Si微电子工艺相兼容，这将推动Si微电子工业跨上一个新台阶。Ge材料由于其具有比Si材料高的电子和空穴迁移率，与硅工艺兼容等优点，成为研究的热点。硅锗气相外延系统可以在Si衬底上异质外延生长出晶体质量优良的SiGe薄膜材料，并用这类材料研制出高性能双极型异质结晶体管和调制掺杂场效应晶体管以及长波长光电探测器等。为我校锗硅类高端有源电子及光电器件的开发提供硬件支撑。采购数量：1台套采购要求：1、可外延硅、多晶硅、硅锗固溶晶体薄膜；2、超高真空生长腔；3、低温泵，离子泵提供生长腔真空环境：4、具备液氮冷阱；5、高纯 SiC 加热器，样品台长期稳定使用温度 1000℃，最高使用温度1200℃，衬底托盘经过特殊处理避免高温下硅和金属反应6、加热台可旋转：0-30RPM；7、提供原位RHEED；8、提供Si电子束蒸发源；Ge蒸发源；Sn蒸发源；2个掺杂源；9、自动化控制系统；10、具备互锁装置；