A*半导体器件参数测量仪

(略) 拟采购功率器件静态性能测试系统1套。主要技术指标：功率器件分析仪半导体图示仪具有sub-pA至10kV/1500A的宽测量范围，并可提供精密的μù导通测量功能，其10μs快速脉冲功能能够执行完整的功率器件表征，支持各种模块，包括高电压SMU（HVSMU）、强电流SMU（HCSMU）、超强电流（UHC）模块、超高电压（UHV）模块和高电压中等电流（HVMC）模块，高功率SMU（1A/200V）、中等功率SMU（100mA/100V）、中等电流SMU（1A/30V脉冲，100mA/30V直流）和多频电容测量单元（1kHz–5MHz），并对新功率器件（例如IGBT）和宽带隙材料（例如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）进行测试，高电压偏置（高达3000V）时执行全自动电容测量。交付时间：合同签订或收到发货通知30天内。交付地点：中山大学深圳校区理学园。售后服务要求:3年质保期，对所提供的货物在质保期内，因产品质量而导致的缺陷，必须免费提供包修、包换、包退服务。

A*半导体器件参数测量仪

(略) 拟采购功率器件静态性能测试系统1套。主要技术指标：功率器件分析仪半导体图示仪具有sub-pA至10kV/1500A的宽测量范围，并可提供精密的μù导通测量功能，其10μs快速脉冲功能能够执行完整的功率器件表征，支持各种模块，包括高电压SMU（HVSMU）、强电流SMU（HCSMU）、超强电流（UHC）模块、超高电压（UHV）模块和高电压中等电流（HVMC）模块，高功率SMU（1A/200V）、中等功率SMU（100mA/100V）、中等电流SMU（1A/30V脉冲，100mA/30V直流）和多频电容测量单元（1kHz–5MHz），并对新功率器件（例如IGBT）和宽带隙材料（例如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）进行测试，高电压偏置（高达3000V）时执行全自动电容测量。交付时间：合同签订或收到发货通知30天内。交付地点：中山大学深圳校区理学园。售后服务要求:3年质保期，对所提供的货物在质保期内，因产品质量而导致的缺陷，必须免费提供包修、包换、包退服务。