A*显微镜

预采购双球差校正透射电子显微镜一套。主要配置和技术指标如下：1. 球差校正透射电镜主机一台1.1电子枪：场发射电子枪，亮度≥7.5 x 107A/m2/Sr/*@*00kV；1.2束斑/束流： ≥30pA @50pm或≥0.6nA @ 0.136nm；1.3最大束斑漂移：≤0.5nm/min；1.4 加速电压：最高加速电压300KV；1.5 分辨率1.5.1 图像分辨率：≤60pm @300kV；1.5.2 STEM分辨率：≤60pm @300kV；1.6 一体化球差校正器1.6.1 配置有物镜球差校正器；1.6.2 配置有聚光镜球差校正器；1.7 洛仑兹透镜: 配置洛仑兹透镜，保证在无场环境下对磁场结构的观察；1.8真空系统: 镜筒优于2×10-5 Pa，电子枪优于10-8 Pa数量级；1.9 扫描透射系统(STEM): 集明场(BF)、环形明场(ABF)、环形暗场(ADF)、低角环形暗场（LAADF）、高角环形暗场(HAADF) 探头，或全新高角环形暗场探测器（Perfect Sight HAADF）；1.10 样品台及样品杆1.10.1 最大倾斜角度：± 70°；1.10.2 单倾样品杆；1.10.3 大视野低背景双倾样品杆一根，最大倾斜角度：± 30°/ ±27°，；1.10.4 样品移动范围：X/Y：≥1mm；Z：≥0.2mm；1.11 图像记录装置1.11.1 配置TEM一体化底插CMOS相机4,096×4,096像素；像素大小：≥15um×15um；或GATAN Rio1816 相机；2. 一体化能谱仪EDS2.1积靴内可插拔设计，固体角大于4.0或探测器面积≥300mm2 ；2.2 元素分析范围：从B(5)–Am(95)；2.3 能量分辨率：≤136eV（Mn-Ka，10kcps）；2.4 最大输出计数率：≥ 1500kcps；2.5 峰背比≥4000:1 @Ni K peak；3. 制样系统双束电镜主机系统1套；3.1离子束分辨率：≤4.0nm @ 30kV；3.2最佳工作距离电子束分辨率：1.2nm @ 15kV；1.6nm @ 1kV（二次电子）；3.3 电子束加速电压：0.2kV–30 kV；3.4 离子束加速电压：1kV–30 kV；3.5 Ga离子束流强度：1pA – 90nA；3.6 电子束束流强度：1pA-170nA；4. 能量过滤分析系统；4.1基本功能：最新一代的能量过滤系统，包括能量过滤透射电镜成像(Energy Filtered TEM, EFTEM)和电子能量损失谱(EELS)分析。4.2 能量过滤器主机：标配1)高速2k x 2k x 18μm CMOS探测器，2）BF/DF探测器，3）100nS级高速静电快门，4）双EELS探测系统，5)实时零损峰(ZLP)校正，6）自动动态聚焦控制，7）实时STEM EELS面分布等；4.3 STEM和Spectrum Imaging(SI)：将所有STEM探头集成于STEMPack，并达到8000谱/秒的采谱速度；4.4 配置清单：能量过滤器主机(1065)，STEMPack 高级选项及相关的软件；

A*显微镜

预采购双球差校正透射电子显微镜一套。主要配置和技术指标如下：1. 球差校正透射电镜主机一台1.1电子枪：场发射电子枪，亮度≥7.5 x 107A/m2/Sr/*@*00kV；1.2束斑/束流： ≥30pA @50pm或≥0.6nA @ 0.136nm；1.3最大束斑漂移：≤0.5nm/min；1.4 加速电压：最高加速电压300KV；1.5 分辨率1.5.1 图像分辨率：≤60pm @300kV；1.5.2 STEM分辨率：≤60pm @300kV；1.6 一体化球差校正器1.6.1 配置有物镜球差校正器；1.6.2 配置有聚光镜球差校正器；1.7 洛仑兹透镜: 配置洛仑兹透镜，保证在无场环境下对磁场结构的观察；1.8真空系统: 镜筒优于2×10-5 Pa，电子枪优于10-8 Pa数量级；1.9 扫描透射系统(STEM): 集明场(BF)、环形明场(ABF)、环形暗场(ADF)、低角环形暗场（LAADF）、高角环形暗场(HAADF) 探头，或全新高角环形暗场探测器（Perfect Sight HAADF）；1.10 样品台及样品杆1.10.1 最大倾斜角度：± 70°；1.10.2 单倾样品杆；1.10.3 大视野低背景双倾样品杆一根，最大倾斜角度：± 30°/ ±27°，；1.10.4 样品移动范围：X/Y：≥1mm；Z：≥0.2mm；1.11 图像记录装置1.11.1 配置TEM一体化底插CMOS相机4,096×4,096像素；像素大小：≥15um×15um；或GATAN Rio1816 相机；2. 一体化能谱仪EDS2.1积靴内可插拔设计，固体角大于4.0或探测器面积≥300mm2 ；2.2 元素分析范围：从B(5)–Am(95)；2.3 能量分辨率：≤136eV（Mn-Ka，10kcps）；2.4 最大输出计数率：≥ 1500kcps；2.5 峰背比≥4000:1 @Ni K peak；3. 制样系统双束电镜主机系统1套；3.1离子束分辨率：≤4.0nm @ 30kV；3.2最佳工作距离电子束分辨率：1.2nm @ 15kV；1.6nm @ 1kV（二次电子）；3.3 电子束加速电压：0.2kV–30 kV；3.4 离子束加速电压：1kV–30 kV；3.5 Ga离子束流强度：1pA – 90nA；3.6 电子束束流强度：1pA-170nA；4. 能量过滤分析系统；4.1基本功能：最新一代的能量过滤系统，包括能量过滤透射电镜成像(Energy Filtered TEM, EFTEM)和电子能量损失谱(EELS)分析。4.2 能量过滤器主机：标配1)高速2k x 2k x 18μm CMOS探测器，2）BF/DF探测器，3）100nS级高速静电快门，4）双EELS探测系统，5)实时零损峰(ZLP)校正，6）自动动态聚焦控制，7）实时STEM EELS面分布等；4.3 STEM和Spectrum Imaging(SI)：将所有STEM探头集成于STEMPack，并达到8000谱/秒的采谱速度；4.4 配置清单：能量过滤器主机(1065)，STEMPack 高级选项及相关的软件；