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采购标的名称：少数载流子寿命测试仪采购标的需实现的主要功能或者目标：本设备采用高频光电导衰减测量方法，适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，由于对样块体形无严格要求，寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。 （1）仪器测量范围：少子寿命测量范围：0.25μS～10ms；晶体样品（研磨面）电阻率下限≥0.3Ω·cm，尚未发现电阻率测量上限。型号：N型或P型单晶或铸造多晶。（2）光脉冲发生装置重复频率＞15次/S脉宽≥10μs 红外光源长波长：1.06～1.08μm 脉冲电流：5A～16A红外光源短波长：0.904～0.905μm 脉冲电流：5A～16A（3）高频源 频率：30MHZ 低输出阻抗输出功率＞1W（4）放大器和检波器 频率响应：2HZ～2MHZ放大倍数：30倍（约）（5）仪器所配置的光源电极台既可测纵向放置的单晶，亦可测量竖放单晶横截面的寿命。配置增加了测量低阻样片用的升降台以及装有特殊弹形电极的光源电极台。（6）读数方式：可选配载流子寿命专用测试软件系统或专用数字示波器读数，软件系统测试操作简单，点击“测量”即可，自动保存数据及相应测试点衰减波形到数据库，可进行查询历史数据和导出历史数据等操作。

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采购标的名称：少数载流子寿命测试仪采购标的需实现的主要功能或者目标：本设备采用高频光电导衰减测量方法，适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，由于对样块体形无严格要求，寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。 （1）仪器测量范围：少子寿命测量范围：0.25μS～10ms；晶体样品（研磨面）电阻率下限≥0.3Ω·cm，尚未发现电阻率测量上限。型号：N型或P型单晶或铸造多晶。（2）光脉冲发生装置重复频率＞15次/S脉宽≥10μs 红外光源长波长：1.06～1.08μm 脉冲电流：5A～16A红外光源短波长：0.904～0.905μm 脉冲电流：5A～16A（3）高频源 频率：30MHZ 低输出阻抗输出功率＞1W（4）放大器和检波器 频率响应：2HZ～2MHZ放大倍数：30倍（约）（5）仪器所配置的光源电极台既可测纵向放置的单晶，亦可测量竖放单晶横截面的寿命。配置增加了测量低阻样片用的升降台以及装有特殊弹形电极的光源电极台。（6）读数方式：可选配载流子寿命专用测试软件系统或专用数字示波器读数，软件系统测试操作简单，点击“测量”即可，自动保存数据及相应测试点衰减波形到数据库，可进行查询历史数据和导出历史数据等操作。