其他电气设备

2台。1、Ф500×H500mm（以最终设计为准），304优质不锈钢制造，双层水冷结构；2、配有Load-Lock系统，样片室中的气缸驱动式机械手，完成自动/手动送样/取样过程，可负载4吋样品单片；3、溅射室：涡轮分子泵+旋片式机械泵+高真空阀门组合的高真空系统，数显复合真空计；4、Load-lock室：旋片式机械泵+阀门组合的真空系统，数显真空计；5、溅射室极限：4.0×10-5Pa（空载，经烘烤除气后）；6、Load-lock室极限：3.0×10-1Pa（空载，经烘烤除气后）；7、溅射室抽速：（空载）从大气抽至4.0×10-4Pa≤30min；（环境温度≤25℃，环境湿度≤50）8、Load-lock室抽速：从大气抽至3.0×10-1Pa≤20min；（环境温度≤25℃，环境湿度≤50）9、基片台：Φ120mm范围内可装卡各种规格基片；基片旋转：0～30转/分钟；加热:室温～500±1℃，可控可调，日本岛电PID智能温控闭环控温；带有升降功能；10、膜厚不均匀性：≤±5%（基片台Φ100mm范围内）；11、腔体加热：可实现溅射室内环境加热，加热温度室温～150℃；12、磁控溅射靶源：三只3英寸圆形平面靶；（溅射靶角度、高度可调），磁控靶RF、MF、DC兼容，可以溅射磁性材料，磁控靶配有气动挡板结构；13、基片台配有偏压清洗功能，并配有直流脉冲偏压电源；14、磁控溅射电源：1套射频电源，功率：500W，全自动匹配；15、二套直流溅射电源：采用直流脉冲电源，功率：1000W； 16、一套直流脉冲溅射电源：采用直流脉冲电源，功率：1000W；17、配有质量流量 (略) ，供Ar、N2、O2气体使用；18、配备有循环水冷机和空气压缩机；19、PLC+触摸屏人机界面半自动控制系统；报警及保护：对泵、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施；完善的逻辑程序互锁保护系统。

其他电气设备

2台。1、Ф500×H500mm（以最终设计为准），304优质不锈钢制造，双层水冷结构；2、配有Load-Lock系统，样片室中的气缸驱动式机械手，完成自动/手动送样/取样过程，可负载4吋样品单片；3、溅射室：涡轮分子泵+旋片式机械泵+高真空阀门组合的高真空系统，数显复合真空计；4、Load-lock室：旋片式机械泵+阀门组合的真空系统，数显真空计；5、溅射室极限：4.0×10-5Pa（空载，经烘烤除气后）；6、Load-lock室极限：3.0×10-1Pa（空载，经烘烤除气后）；7、溅射室抽速：（空载）从大气抽至4.0×10-4Pa≤30min；（环境温度≤25℃，环境湿度≤50）8、Load-lock室抽速：从大气抽至3.0×10-1Pa≤20min；（环境温度≤25℃，环境湿度≤50）9、基片台：Φ120mm范围内可装卡各种规格基片；基片旋转：0～30转/分钟；加热:室温～500±1℃，可控可调，日本岛电PID智能温控闭环控温；带有升降功能；10、膜厚不均匀性：≤±5%（基片台Φ100mm范围内）；11、腔体加热：可实现溅射室内环境加热，加热温度室温～150℃；12、磁控溅射靶源：三只3英寸圆形平面靶；（溅射靶角度、高度可调），磁控靶RF、MF、DC兼容，可以溅射磁性材料，磁控靶配有气动挡板结构；13、基片台配有偏压清洗功能，并配有直流脉冲偏压电源；14、磁控溅射电源：1套射频电源，功率：500W，全自动匹配；15、二套直流溅射电源：采用直流脉冲电源，功率：1000W； 16、一套直流脉冲溅射电源：采用直流脉冲电源，功率：1000W；17、配有质量流量 (略) ，供Ar、N2、O2气体使用；18、配备有循环水冷机和空气压缩机；19、PLC+触摸屏人机界面半自动控制系统；报警及保护：对泵、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施；完善的逻辑程序互锁保护系统。