A*显微镜

聚焦离子束双束电子显微镜数量：1套；该设备用途：科研；用于微纳加工、微纳结构观察及分析、高质量定点TEM样品制备、三维重构分析。技术要求：1 设备名称: 聚焦离子束双束电子显微镜2 设备用途：用于微纳加工、微纳结构观察及分析、高质量定点TEM样品制备、三维重构分析。3 工作条件3.1电压：230V (-6%, +10%)3.2频率：50Hz (+/-1%)3.3环境温度：20°C (+/- 3°C)3.4相对湿度： < 80% RH（无冷凝）3.5残余交流磁场：&lt;75nT 异步 &lt;300nT 同步3.6噪音：&lt; 50dBC4技术要求及参数4.1 离子束及辅助气体注入系统技术要求4.1.1 离子束系统：4.1.1.1 离子源种类：液态Ga离子源；▲4.1.1.2交叉点分辨率：≤ 2.5nm @ 30kV4.1.1.3加速电压：最低加速电压500V, 最高加速电压为30 kV★4.1.1.4束流强度：1pA~100nA 4.1.1.5束流密度：最大值可达60A/cm24.1.1.6离子源寿命：不低于1500小时4.1.2 辅助气体注入系统：4.1.2.1拥有独立的分离式气体注入系统，可重新配置；4.1.2.2具备金属沉积系统，可在离子束、电子束诱导下进行W等金属的沉积4.1.2.3可增加至5种气体注入系统，拥有10种以上备选过程方案；4.1.2.4每种气体配备独立的气体注入器，防止不同气体交叉污染。4.1.3 具备可直接导入Bitmap/CAD文件，按照预先设定的间距，进行离子束沉积，加工复杂图形的能力；4.1.4 软件具备切片的三维重构能力。4.1.5 具备离子束飞行时间(TOF)校正功能，确保高速、高质量纳米图案加工★4.1.6 TEM样品纳米机械取出手软件和双束显微镜软件一体化设计4.2 电子束技术要求4.2.1 电子枪类型：肖特基（ZrO/W）场发射灯丝★4.2.1.1分辨率：在最佳工作距离：≤ 0.6nm @ 15kV；≤ 1.0nm @ 1kV(非减速模式);0.*@*kV(减速模式)在束交叉点分辨率：≤ 0.6nm @ 15kV；≤ 2.5nm @ 1kV4.2.1.2在束交叉点和大倾转角时，能有优异的图像质量(样品加工后，能快速切换到电子束检查与成像)4.2.1.3 束交叉点工作距离：4－5mm4.2.1.4 加速电压：加速电压200V－30KV★4.2.1.5 束流强度：0.8pA~176nA4.3 可用探头：二次电子探测器、极靴下背散射电子探测器，镜筒内二次电子探测器，镜筒内两个背散射电子探测器▲4.4 样品台交付时间要求：2023.5.31；交付地点要求：E102；售后服务要求：保修两年。

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聚焦离子束双束电子显微镜数量：1套；该设备用途：科研；用于微纳加工、微纳结构观察及分析、高质量定点TEM样品制备、三维重构分析。技术要求：1 设备名称: 聚焦离子束双束电子显微镜2 设备用途：用于微纳加工、微纳结构观察及分析、高质量定点TEM样品制备、三维重构分析。3 工作条件3.1电压：230V (-6%, +10%)3.2频率：50Hz (+/-1%)3.3环境温度：20°C (+/- 3°C)3.4相对湿度： < 80% RH（无冷凝）3.5残余交流磁场：&lt;75nT 异步 &lt;300nT 同步3.6噪音：&lt; 50dBC4技术要求及参数4.1 离子束及辅助气体注入系统技术要求4.1.1 离子束系统：4.1.1.1 离子源种类：液态Ga离子源；▲4.1.1.2交叉点分辨率：≤ 2.5nm @ 30kV4.1.1.3加速电压：最低加速电压500V, 最高加速电压为30 kV★4.1.1.4束流强度：1pA~100nA 4.1.1.5束流密度：最大值可达60A/cm24.1.1.6离子源寿命：不低于1500小时4.1.2 辅助气体注入系统：4.1.2.1拥有独立的分离式气体注入系统，可重新配置；4.1.2.2具备金属沉积系统，可在离子束、电子束诱导下进行W等金属的沉积4.1.2.3可增加至5种气体注入系统，拥有10种以上备选过程方案；4.1.2.4每种气体配备独立的气体注入器，防止不同气体交叉污染。4.1.3 具备可直接导入Bitmap/CAD文件，按照预先设定的间距，进行离子束沉积，加工复杂图形的能力；4.1.4 软件具备切片的三维重构能力。4.1.5 具备离子束飞行时间(TOF)校正功能，确保高速、高质量纳米图案加工★4.1.6 TEM样品纳米机械取出手软件和双束显微镜软件一体化设计4.2 电子束技术要求4.2.1 电子枪类型：肖特基（ZrO/W）场发射灯丝★4.2.1.1分辨率：在最佳工作距离：≤ 0.6nm @ 15kV；≤ 1.0nm @ 1kV(非减速模式);0.*@*kV(减速模式)在束交叉点分辨率：≤ 0.6nm @ 15kV；≤ 2.5nm @ 1kV4.2.1.2在束交叉点和大倾转角时，能有优异的图像质量(样品加工后，能快速切换到电子束检查与成像)4.2.1.3 束交叉点工作距离：4－5mm4.2.1.4 加速电压：加速电压200V－30KV★4.2.1.5 束流强度：0.8pA~176nA4.3 可用探头：二次电子探测器、极靴下背散射电子探测器，镜筒内二次电子探测器，镜筒内两个背散射电子探测器▲4.4 样品台交付时间要求：2023.5.31；交付地点要求：E102；售后服务要求：保修两年。