变温霍尔效应测试系统招标预告
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变温霍尔效应测试系统招标预告
| 变温霍尔效应测试系统 | |
| 项目所在采购意向： | 东北师范大学2022年11月政府采购意向 |
| 采购单位： | 东北师范大学 |
| 采购项目名称： | 变温霍尔效应测试系统 |
| 预算金额： | 225.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A99 |
| 采购需求概况 ： | 本项目采购设备的主要功能是测量半导体材料：a-Si、？c-Si、na-Si、a-SiGe、Ⅲ-Ⅴ（GaAs, InGaAs, InP, GaN）半导体薄膜材料、ZnO，TiO2、Ga2O3等氧化物半导体薄膜材料和体材料的电学性质，包括掺杂类型、载流子浓度、霍尔系数、载流子迁移率、电阻率及其温度变化曲线. 功能要求： 1、可测量电阻、电阻率、霍尔系数、霍尔迁移率、载流子浓度。 2、可设定在不同的磁场下完成如上参数的测量。 3、可设定在15K-325K下不同温度下完成如上参数的测量及如上参数随温度连续变化的数据和曲线。 4、系统可提供交流磁场和直流磁场两种测试方法 技术指标要求： 1、磁场指标： DC模式下： 室温最大磁场1.6T，变温最大磁场0.8T AC模式下： 室温最大磁场1.1T，变温最大磁场0.6T 2、可测电阻范围： DC模式下：0.5mΩ-200GΩ AC模式下：1Ω- 8GΩ 3、电阻率测量范围：1 × 10^-5Ω·cm — 1 × 10^5Ω·cm 4、迁移率：1×10^-3 — 1×106cm2/Vs（AC模式） 5、载流子浓度：8×10^2 — 8×10^23 cm-3 6、温度范围：15-325K,采用top loading快速换样结构，样品可以迅速换样，不用破坏真空，无需液氦和液氮 7、控温仪采用PID控温，四通道输入，双通道输出，最大加热功率100W |
| 预计采购时间： | 2022-11 |
| 备注： | |
| 变温霍尔效应测试系统 | |
| 项目所在采购意向： | 东北师范大学2022年11月政府采购意向 |
| 采购单位： | 东北师范大学 |
| 采购项目名称： | 变温霍尔效应测试系统 |
| 预算金额： | 225.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A99 |
| 采购需求概况 ： | 本项目采购设备的主要功能是测量半导体材料：a-Si、？c-Si、na-Si、a-SiGe、Ⅲ-Ⅴ（GaAs, InGaAs, InP, GaN）半导体薄膜材料、ZnO，TiO2、Ga2O3等氧化物半导体薄膜材料和体材料的电学性质，包括掺杂类型、载流子浓度、霍尔系数、载流子迁移率、电阻率及其温度变化曲线. 功能要求： 1、可测量电阻、电阻率、霍尔系数、霍尔迁移率、载流子浓度。 2、可设定在不同的磁场下完成如上参数的测量。 3、可设定在15K-325K下不同温度下完成如上参数的测量及如上参数随温度连续变化的数据和曲线。 4、系统可提供交流磁场和直流磁场两种测试方法 技术指标要求： 1、磁场指标： DC模式下： 室温最大磁场1.6T，变温最大磁场0.8T AC模式下： 室温最大磁场1.1T，变温最大磁场0.6T 2、可测电阻范围： DC模式下：0.5mΩ-200GΩ AC模式下：1Ω- 8GΩ 3、电阻率测量范围：1 × 10^-5Ω·cm — 1 × 10^5Ω·cm 4、迁移率：1×10^-3 — 1×106cm2/Vs（AC模式） 5、载流子浓度：8×10^2 — 8×10^23 cm-3 6、温度范围：15-325K,采用top loading快速换样结构，样品可以迅速换样，不用破坏真空，无需液氦和液氮 7、控温仪采用PID控温，四通道输入，双通道输出，最大加热功率100W |
| 预计采购时间： | 2022-11 |
| 备注： | |
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