聚焦电子束光刻系统招标预告
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聚焦电子束光刻系统招标预告
| 聚焦电子束光刻系统 | |
| 项目所在采购意向： | 东北师范大学2022年11月政府采购意向 |
| 采购单位： | 东北师范大学 |
| 采购项目名称： | 聚焦电子束光刻系统 |
| 预算金额： | 640.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A* |
| 采购需求概况 ： | 本设备为电子束光刻系统，可实现高分辨电子束曝光和高分辨成像功能。本系统是一种可控获得纳米级图形的重要工具，适用于3D结构器件加工、 (略) 芯片核心区域加工、高功率芯片精细加工等领域。 关键参数： （1）设备加速电压为20V-30kV； （2）在20kV下，最小束斑直径不大于1.6nm； （3）曝光最小特征尺寸不大于8nm； （4）任意八小时内测量束流稳定性≤±0.5%； （5）写场大小可在0.5μm-2mm的范围内任意设定； （6）工作台的XY方向移动范围为100mm x 100mm，定位精度为1nm； （7）设备最大可承载4英寸样片； |
| 预计采购时间： | 2022-11 |
| 备注： | |
| 聚焦电子束光刻系统 | |
| 项目所在采购意向： | 东北师范大学2022年11月政府采购意向 |
| 采购单位： | 东北师范大学 |
| 采购项目名称： | 聚焦电子束光刻系统 |
| 预算金额： | 640.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A* |
| 采购需求概况 ： | 本设备为电子束光刻系统，可实现高分辨电子束曝光和高分辨成像功能。本系统是一种可控获得纳米级图形的重要工具，适用于3D结构器件加工、 (略) 芯片核心区域加工、高功率芯片精细加工等领域。 关键参数： （1）设备加速电压为20V-30kV； （2）在20kV下，最小束斑直径不大于1.6nm； （3）曝光最小特征尺寸不大于8nm； （4）任意八小时内测量束流稳定性≤±0.5%； （5）写场大小可在0.5μm-2mm的范围内任意设定； （6）工作台的XY方向移动范围为100mm x 100mm，定位精度为1nm； （7）设备最大可承载4英寸样片； |
| 预计采购时间： | 2022-11 |
| 备注： | |
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