单晶外延薄膜高分辨X射线衍射仪招标预告
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单晶外延薄膜高分辨X射线衍射仪招标预告
| 单晶外延薄膜高分辨X射线衍射仪 | |
| 项目所在采购意向： | 东北师范大学2022年11月政府采购意向 |
| 采购单位： | 东北师范大学 |
| 采购项目名称： | 单晶外延薄膜高分辨X射线衍射仪 |
| 预算金额： | 290.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A* |
| 采购需求概况 ： | 本设备为高分辨率之薄膜X-射线衍射仪，主要用途为测量Si, Ge, SiC, GaN, InGaN, AlGaN, GaAs, InP, AlN, GaSb …等化合半导体材料之单晶和外延层材料的结晶完整性，外延层及相应半导体器件结构（如超晶格、多量子阱、LED结构等）的组分、厚度、弛豫度等参数的测定，外延结构的晶格失配及应变状态分析。 进行半导体外延分析包括五轴欧拉样品台，高强度高分辨四晶单色器及混合单色器，可以进行Rocking Curve和超快速倒易空间Mapping分析，配置相应的外延分析软件。 |
| 预计采购时间： | 2022-11 |
| 备注： | |
| 单晶外延薄膜高分辨X射线衍射仪 | |
| 项目所在采购意向： | 东北师范大学2022年11月政府采购意向 |
| 采购单位： | 东北师范大学 |
| 采购项目名称： | 单晶外延薄膜高分辨X射线衍射仪 |
| 预算金额： | 290.*万元(人民币) |
| 采购品目： | A* |
| 采购需求概况 ： | 本设备为高分辨率之薄膜X-射线衍射仪，主要用途为测量Si, Ge, SiC, GaN, InGaN, AlGaN, GaAs, InP, AlN, GaSb …等化合半导体材料之单晶和外延层材料的结晶完整性，外延层及相应半导体器件结构（如超晶格、多量子阱、LED结构等）的组分、厚度、弛豫度等参数的测定，外延结构的晶格失配及应变状态分析。 进行半导体外延分析包括五轴欧拉样品台，高强度高分辨四晶单色器及混合单色器，可以进行Rocking Curve和超快速倒易空间Mapping分析，配置相应的外延分析软件。 |
| 预计采购时间： | 2022-11 |
| 备注： | |
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