感应耦合等离子体刻蚀机项目所在采购意向：东北师范大学2022年11至12月政府采购意向采购单位：东北师范大学采购项目名称：感应耦合等离子体刻蚀机预算金额：300.*万元(人民币)采购品目：
A*采购需求概况 ：
主要功能：ICP干法刻蚀机可实现硅材料、石英、光刻胶以及金属等材料的高深宽比、高速率、高选择比和高刻蚀深度的刻蚀，并可在一定范围内调控刻蚀角度，并可兼容常规氧化硅、氮化硅、硅和部分聚合物材料的刻蚀，为制作纳米材料器件、微电子器件、光电子器件和微机电系统制备等提供了新颖的技术手段。 关键参数： 1、反应腔：真空漏率≤ 2E-4 mbar·l/s； 2、等离子体密度到1E12 cm-3； 3、ICP源射频发生器：频率13.56 MHz，功率≥1100 W；下电极偏置射频发生器：频率13.56 MHz，功率≥600 W； 4、真空系统：涡轮分子泵，抽速≥ 1300 l/s；前级泵采用干泵，抽速≥ 100 m3/h；本底真空≤ 1E-6 mbar； 5、气路系统： (略) 工 (略) ，包括SF6, CHF3, CF4, O2, Ar, Cl2, BCl3等工艺气体； 6、刻蚀工艺指标：以氮化硅为例，刻蚀深度：≥ 1 μm；刻蚀速率（最大）： ≥ 100 nm/min；选择比（Si3N4: 光刻胶） ≥ 1.5:1；刻蚀深度的不均匀性(片内)： ≤ ± 5%；刻蚀深度的重复性(片间)：≤ ± 5% ；陡直度：≥ 80°预计采购时间：2022-12备注：

感应耦合等离子体刻蚀机项目所在采购意向：东北师范大学2022年11至12月政府采购意向采购单位：东北师范大学采购项目名称：感应耦合等离子体刻蚀机预算金额：300.*万元(人民币)采购品目：
A*采购需求概况 ：
主要功能：ICP干法刻蚀机可实现硅材料、石英、光刻胶以及金属等材料的高深宽比、高速率、高选择比和高刻蚀深度的刻蚀，并可在一定范围内调控刻蚀角度，并可兼容常规氧化硅、氮化硅、硅和部分聚合物材料的刻蚀，为制作纳米材料器件、微电子器件、光电子器件和微机电系统制备等提供了新颖的技术手段。 关键参数： 1、反应腔：真空漏率≤ 2E-4 mbar·l/s； 2、等离子体密度到1E12 cm-3； 3、ICP源射频发生器：频率13.56 MHz，功率≥1100 W；下电极偏置射频发生器：频率13.56 MHz，功率≥600 W； 4、真空系统：涡轮分子泵，抽速≥ 1300 l/s；前级泵采用干泵，抽速≥ 100 m3/h；本底真空≤ 1E-6 mbar； 5、气路系统： (略) 工 (略) ，包括SF6, CHF3, CF4, O2, Ar, Cl2, BCl3等工艺气体； 6、刻蚀工艺指标：以氮化硅为例，刻蚀深度：≥ 1 μm；刻蚀速率（最大）： ≥ 100 nm/min；选择比（Si3N4: 光刻胶） ≥ 1.5:1；刻蚀深度的不均匀性(片内)： ≤ ± 5%；刻蚀深度的重复性(片间)：≤ ± 5% ；陡直度：≥ 80°预计采购时间：2022-12备注：