等离子体增强原子层沉积系统项目所在采购意向：东北师范大学2022年11至12月政府采购意向采购单位：东北师范大学采购项目名称：等离子体增强原子层沉积系统预算金额：320.*万元(人民币)采购品目：
A*采购需求概况 ：
主要功能：等离子体增强原子层沉积系统可沉积几纳米厚的超薄薄膜，并且在等离子增强的加持下，可以使前驱体反应更为充分，使一些稳定性更高的反应前驱体在更低的热预算下发生反应，从而提高了工艺兼容性。沉积系统的特性特别适合半导体器件、CMOS、微机电系统 MEMS 和其他纳米科技的应用。对于三维结构研发、集成化发展、科研教学等方面有着更为深远的运用。 关键参数： 1、反应腔：真空漏率≤ 2E-4 mbar·l/s；上电极（ICP源）：等离子体密度可到1E12 cm-3；射频源：上电极ICP源射频发生器：频率13.56 MHz，功率≥1100 W；本底真空≤ 1E-6 mbar； 2、气路系统： (略) 工 (略) ，包括SF6, CHF3, CF4, O2, Ar, Cl2, BCl3等工艺气体； 3、刻蚀工艺指标：以氮化硅为例，刻蚀深度：≥ 1 μm；刻蚀速率（最大）： ≥ 100 nm/min；选择比（Si3N4: 光刻胶） ≥ 1.5:1；刻蚀深度的不均匀性(片内)： ≤ ± 5%；刻蚀深度的重复性(片间)：≤ ± 5% ；陡直度：≥ 80°预计采购时间：2022-11备注：

等离子体增强原子层沉积系统项目所在采购意向：东北师范大学2022年11至12月政府采购意向采购单位：东北师范大学采购项目名称：等离子体增强原子层沉积系统预算金额：320.*万元(人民币)采购品目：
A*采购需求概况 ：
主要功能：等离子体增强原子层沉积系统可沉积几纳米厚的超薄薄膜，并且在等离子增强的加持下，可以使前驱体反应更为充分，使一些稳定性更高的反应前驱体在更低的热预算下发生反应，从而提高了工艺兼容性。沉积系统的特性特别适合半导体器件、CMOS、微机电系统 MEMS 和其他纳米科技的应用。对于三维结构研发、集成化发展、科研教学等方面有着更为深远的运用。 关键参数： 1、反应腔：真空漏率≤ 2E-4 mbar·l/s；上电极（ICP源）：等离子体密度可到1E12 cm-3；射频源：上电极ICP源射频发生器：频率13.56 MHz，功率≥1100 W；本底真空≤ 1E-6 mbar； 2、气路系统： (略) 工 (略) ，包括SF6, CHF3, CF4, O2, Ar, Cl2, BCl3等工艺气体； 3、刻蚀工艺指标：以氮化硅为例，刻蚀深度：≥ 1 μm；刻蚀速率（最大）： ≥ 100 nm/min；选择比（Si3N4: 光刻胶） ≥ 1.5:1；刻蚀深度的不均匀性(片内)： ≤ ± 5%；刻蚀深度的重复性(片间)：≤ ± 5% ；陡直度：≥ 80°预计采购时间：2022-11备注：