A*真空获得设备

刻蚀机的刻蚀深宽比、刻蚀速率和刻蚀粗糙度是深硅刻蚀工艺中最重要的指标，其刻蚀效果对最终器件性能有着决定性的影响。本次拟采购的深硅刻蚀机，需具备Bosch深硅刻蚀功能。主要技术指标：1.1 衬底8英寸或兼容2-8英寸1.2下电极为静电吸盘或机械压环1.3 6英寸片内均匀性≤5%1.4刻蚀深宽比≥30:11.5 刻蚀速率≥2μm/min1.6刻蚀粗糙度≤100nm1.7 刻蚀垂直度≥88°±2°1.8对光刻胶的选择比≥80:11.9 对氧化硅掩膜的选择比≥120:1设备主要配置： 1等离子源:1.1 ICP功率≥5000W1.2 配有LF低频电源≥500W1.3 配有RF射频电源≥300W2 工艺腔体2.1 设备为Al制腔体2.2 腔室带有加热内衬2.3 带有预真空室，且配有独立干泵。2.4 采用机械压环结构或静电吸盘结构2.5 样品台配有背氦冷却。2.6 配备独立水冷机冷却样品台。3 气路系统3.1 可支持下列气体：大流量SF6，C4F8，Ar , O2， CF4；每 (略) 均配置质量流量计MFC、颗粒过滤器和气动截止阀。3.2 采用高速切换阀门和流量计，适用于Bosch工艺3.3 至 (略) 工艺气体4 真空系统4.1 工艺腔体分子泵抽速≥2300L/s，工艺腔体前级干泵抽速≥480m3/h，样品进样室(load-lock)采用独立干泵4.2 腔室极限真空优于3×10-6 Torr5 控制单元5.1配有计算机控制系统5.2配有不同用户权限级别的设备控制软件5.3设备控制配备齐全的软硬件联锁功能

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刻蚀机的刻蚀深宽比、刻蚀速率和刻蚀粗糙度是深硅刻蚀工艺中最重要的指标，其刻蚀效果对最终器件性能有着决定性的影响。本次拟采购的深硅刻蚀机，需具备Bosch深硅刻蚀功能。主要技术指标：1.1 衬底8英寸或兼容2-8英寸1.2下电极为静电吸盘或机械压环1.3 6英寸片内均匀性≤5%1.4刻蚀深宽比≥30:11.5 刻蚀速率≥2μm/min1.6刻蚀粗糙度≤100nm1.7 刻蚀垂直度≥88°±2°1.8对光刻胶的选择比≥80:11.9 对氧化硅掩膜的选择比≥120:1设备主要配置： 1等离子源:1.1 ICP功率≥5000W1.2 配有LF低频电源≥500W1.3 配有RF射频电源≥300W2 工艺腔体2.1 设备为Al制腔体2.2 腔室带有加热内衬2.3 带有预真空室，且配有独立干泵。2.4 采用机械压环结构或静电吸盘结构2.5 样品台配有背氦冷却。2.6 配备独立水冷机冷却样品台。3 气路系统3.1 可支持下列气体：大流量SF6，C4F8，Ar , O2， CF4；每 (略) 均配置质量流量计MFC、颗粒过滤器和气动截止阀。3.2 采用高速切换阀门和流量计，适用于Bosch工艺3.3 至 (略) 工艺气体4 真空系统4.1 工艺腔体分子泵抽速≥2300L/s，工艺腔体前级干泵抽速≥480m3/h，样品进样室(load-lock)采用独立干泵4.2 腔室极限真空优于3×10-6 Torr5 控制单元5.1配有计算机控制系统5.2配有不同用户权限级别的设备控制软件5.3设备控制配备齐全的软硬件联锁功能