A*金属表面处理设备

拟采购的金属干法刻蚀机，具备刻蚀Al，Au，Ti，Pt等金属的能力，Al刻蚀垂直度≥85°，6英寸基片刻蚀不均匀性≤5%，具体如下：1. 设备主要技术指标：1.1具备采用感应耦合等离子刻蚀8英寸或兼容2-8英寸基片上的多种金属薄膜材料（Al、Au、Ti、Cr等）的能力；1.2 极限真空度优于3×10-6Torr，真空度自动可控；1.3系统采用机械样品卡盘固定样片，并配置2英寸、4英寸、6英寸配套石英压环； 1.4 至 (略) 工艺气体；1.5下电极带有水冷机控温，下电极带有加热，温度范围≥0-60℃；1.6 带有背氦冷却；1.7 ICP功率≥2500W，RF功率≥600W；1.8 至少配置SF6，O2，C4F8/CHF3, Ar, C (略) ；1.9 分子泵抽速≥1300L/s; 干泵抽速≥95 m3/h；1.10 Al刻蚀垂直度≥85°；Al刻蚀对光刻胶的选择比≥1.5:1；Al刻蚀速率≥200nm/min；Al刻蚀重复性≤±4%；1.11 Cr刻蚀垂直度≥80°；Cr刻蚀速率≥10nm/min。2. 设备配置要求2.1 反应腔室为Al制2.2 ICP功率≥2500W；2.3 偏压射频频率13.56MHz功率≥600W；2.4 直径≥230mm铝制下电极，电极附带氦气冷却装置2.5分子泵抽速≥1300L/s，干泵抽速≥95 m3/h；2.6传送腔配置独立干泵，抽速>15m3/h；2.7工艺气体至 (略) ；2.8工艺气体流量采用MFC控制；2.9 控制系统2.9.1 Windows计算机操作系统运行环境，含密码权限分级控制； 2.9.2可编程工艺菜单满足所有工艺参数设置；2.9.3 控制系统能检测相关部件的运行状态、存储工艺流程；2.9.4 19寸或以上液晶显示器；

A*金属表面处理设备

拟采购的金属干法刻蚀机，具备刻蚀Al，Au，Ti，Pt等金属的能力，Al刻蚀垂直度≥85°，6英寸基片刻蚀不均匀性≤5%，具体如下：1. 设备主要技术指标：1.1具备采用感应耦合等离子刻蚀8英寸或兼容2-8英寸基片上的多种金属薄膜材料（Al、Au、Ti、Cr等）的能力；1.2 极限真空度优于3×10-6Torr，真空度自动可控；1.3系统采用机械样品卡盘固定样片，并配置2英寸、4英寸、6英寸配套石英压环； 1.4 至 (略) 工艺气体；1.5下电极带有水冷机控温，下电极带有加热，温度范围≥0-60℃；1.6 带有背氦冷却；1.7 ICP功率≥2500W，RF功率≥600W；1.8 至少配置SF6，O2，C4F8/CHF3, Ar, C (略) ；1.9 分子泵抽速≥1300L/s; 干泵抽速≥95 m3/h；1.10 Al刻蚀垂直度≥85°；Al刻蚀对光刻胶的选择比≥1.5:1；Al刻蚀速率≥200nm/min；Al刻蚀重复性≤±4%；1.11 Cr刻蚀垂直度≥80°；Cr刻蚀速率≥10nm/min。2. 设备配置要求2.1 反应腔室为Al制2.2 ICP功率≥2500W；2.3 偏压射频频率13.56MHz功率≥600W；2.4 直径≥230mm铝制下电极，电极附带氦气冷却装置2.5分子泵抽速≥1300L/s，干泵抽速≥95 m3/h；2.6传送腔配置独立干泵，抽速>15m3/h；2.7工艺气体至 (略) ；2.8工艺气体流量采用MFC控制；2.9 控制系统2.9.1 Windows计算机操作系统运行环境，含密码权限分级控制； 2.9.2可编程工艺菜单满足所有工艺参数设置；2.9.3 控制系统能检测相关部件的运行状态、存储工艺流程；2.9.4 19寸或以上液晶显示器；