安徽工程大学2022年11月至12月政府采购意向-半导体材料及器件制备和表征设备
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安徽工程大学2022年11月至12月政府采购意向-半导体材料及器件制备和表征设备
为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定，现将安徽工程大学2022年11月至12月采购意向公开如下：
| 序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 预算金额（元） | 预计采购时间（填写到月） | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 半导体材料及器件制备和表征设备 | 一、干法去胶机，1台。用来去除光刻胶；刻蚀速率大于0.5 μm/min。等离子源频率 13.56 MHz射频功率0~500 W，调节精度为1W；石英真空腔体 腔体内部尺寸Φ250 * Dept.260；最大尺寸8英寸，可用工艺气体Ar、N?、O?、H?、cf4等。质保期2年。 二、晶圆减薄机，1台。用于硅片陶瓷砷化镓等晶体材料的减薄，磨轮的粒度的选型可根据客户对工艺要求定制，主要由真空吸盘，吸盘主轴，磨轮，磨轮主轴，磨轮进给机构等组成。质保期1年。 三、霍尔效应测量仪，1台。可测变温霍尔效应测量电压：0.1 μV~200 V恒流源自动磁场换向，平滑过零，无断点，自带内置高斯计闭环控制，变温范围：80 K-325 K，测试全自动化。质保期1年。 四、外延厚度自动检测仪，1套。主要测量从几纳米到数百微米厚的透明或半透明薄膜。要求光谱范围370-1000 nm，膜厚测量范围（仅测膜厚时）10 nm-100 μm，光源配置卤钨灯；软件支持建模拟合。质保期1年。 五、 (略) 络分析仪，1套。用于材料以及各种微波芯片的介电常数、品质因数、谐振频率温度系数、介电损耗的测试。频率范围覆盖10 MHz-43.5 GHz，分辨率~1 Hz，配置传输线法、同轴法、谐振腔法测试设备若干套。质保期1年。 | * | 2022年12月 | 按照本办法规定预留采购份额无法确保充分供应、 充分竞争，或者存在可能影响政府采购目标实现的情形 |
| 2 | 半导体材料及器件电学性能测试设备 | 一、高温电阻率测量系统，1套。用来检验各种介质材料的高温电阻和漏导特性。可在25℃-1000 ℃高温范围测试材料电阻，电阻测量范围可达50 ? ~1018 ?，高温电学加热炉内置金属屏蔽罩，有效减小加热丝产生的交流干扰。质保期1年。 二、高温介电温谱测试系统，1套。可测试单晶以及薄膜等材料的高温介电特性，测试温度区间在25 ℃-1250 ℃高温范围，测试频率在20 Hz-20 MHz，阻抗测试范围在25 mΩ-40MΩ。质保期1年。 三、电卡效应测试系统，1台。用于研究薄膜材料的电卡特性。内部带不少于五位半数值采集卡，可以精确到＜0.001 k数值采集，内 (略) 复用器（不少于4线）模块，精准的温度数据采集，实时动态温度显示。质保期3年。 四、介质损耗测试仪，1台。实验室测试各种介电及其半导体材料损耗正切值及电容量的高精度测试仪器。仪器为一体化结构，内置介损测试电桥，可变频调压电源，升压变压器和SF6 高稳定度标准电容器。测试高压源由仪器内部的逆变器产生，经变压器升压后用于被试品测试。质保期3年。 五、气敏电阻特性测试系统，1台。用于研究半导体薄膜材料的气敏电阻特性。可以实现常温、变温、恒温条件下的R-t、S-T、S-C等测量功能。质保期3年。 六、热释电测试系统，1台。用于研究薄膜材料的热释电特性。可测试2 mm＜样品电极＜15 mm，厚度不大于1.0 mm样品的热释电特性以及高阻特性，1k欧姆＜电阻范围＜1018欧姆。质保期3年。 七、极化能量收集测试系统，1台。用于测试半导体薄膜材料能量收集。可测试2 mm＜样品电极＜15 mm，厚度不大于1.0 mm样品的的能量收集特性。质保期2年。 | * | 2022年12月 | 按照本办法规定预留采购份额无法确保充分供应、 充分竞争，或者存在可能影响政府采购目标实现的情形 |
| 3 | 半导体薄膜材料制备及表征设备 | 一、紫外可见分光光度计，1台。粉末样品、薄膜样品对紫外可见光的吸光度并进行定量的设备。波长范围从大约 200 nm 到 800 nm。质保期1年。 二、自动在线微量气体检测系统，1套。采用模块化设计，由软件及控制单元、全玻 (略) 、自动取样模块、气体循环模块和可定制反应器组成。可进行在负压、常压及微负压条件下各种光/电催化实验。质保期1年。 三、电输运性质测量系统，1套。可以进行霍尔效应、R-H特性、R-T特性和I-V特性的测量，可得出参数：方块电阻、电阻率、霍尔系数、霍尔迁移率、载流子浓度和导电类型，可绘制以上参数随温度或磁场的变化曲线，电阻随着温度变化的特性曲线。质保期1年。 四、数字源表，1台。提供四象限精密电压和电流源/负载，外加直观触摸屏用户界面上的测量。同时提供 10 fA - 10 A 脉冲电流和/或 100 nV-200 V 电压（实现 1000W 脉冲和 100W 直流总功率）并对其进行测量。质保期1年。 五、冷冻干燥机，1台。用于实验样品的冷冻干燥，全不锈钢充气阀门，带样品预冻功能，无需低温冰箱，工作环境温度10-30℃。质保期3年。 六、磁控溅射镀膜系统，1套。用于太阳能电池所需金属薄膜、半导体薄膜、绝缘薄膜等材料的制备。多靶材溅射，具有射频和直流电源，质保期1年。 七、微波反应器（带抽注气配件），1套。将微波作为加热源，可以实现分子的快速振动，功率在0~1000W可调，实现反应速率的精确调控。质保期1年。 八、超声波清洗机器，2台，利用超声波对物体表面进行污垢或残留物的清洗，可用于实验室反应容器的洗涤。质保期1年 | * | 2022年12月 | 按照本办法规定预留采购份额无法确保充分供应、 充分竞争，或者存在可能影响政府采购目标实现的情形 |
| 4 | 半导体材料及器件微加工设备 | 一、光刻机，1台。用于中小规 (略) 、声表面波器件和其它各种半导体元器件制造工艺中的单面对准及曝光，最大兼容4英寸晶圆。质保期5年。 二、高速高端示波器（进口），1台。用于高频电压信号采集，1G带宽，可升级到最高10G带宽，垂直分辨率12位。质保期5年。 三、感应耦合等离子刻蚀机，1台。ICP感应耦合等离子体刻蚀机，1台，达到对Si基样品进行化学物理相结合刻蚀的目的。极限真空度：≤5*10-4 Pa；刻蚀均匀性：≤5%（Φ6英寸）；刻蚀距离自动调节范围40 mm-100 mm，调节精度1 mm。质保期5年。 四、IC贴片机，1套。用于SMD加工工艺，线路板贴片元件表面贴装。包含高精密高精密丝印台、贴片机、精密无铅回流焊炉各一台，质保期5年。 五、金丝球焊线机，1台。主要应用于大功率发光二极管（LED）、激光管（激光）、中小型功率二极管、三极管、 (略) 、传感器和一些特殊半导体器件的内引线焊接，特别适于大功率发光管的焊接。使用超声温功率：两档连续可调，可在60～400 ℃下焊接，视觉系统二档（15-30倍）显微镜。质保期5年。 六、测试分选机，1台。用于教学演示IC芯片分拣流程。自动对IC进行OK/NG的判断区分，自动记录IC的OK和NG数。质保期5年。 七、快速退火炉 1台。用于离子注入损伤的修复，6英寸晶片RTP。质保期5年。 八、电子束蒸发系统，1台。金属的蒸发淀积、电子束镀膜。质保期5年。 九、激光划片机，1台。WTA测试后、封装前的晶圆划片，定位精度±2 μm。质保期5年。 十、平行封焊机，1台。密封封装金属盖板的焊接，半导体激光器封焊。质保期5年。 十一、切筋机，1台。IC塑料封装间的切断，SPM:60-70。质保期5年。 十二、流变仪，1台。用于粉体浆料粘度测试。机器可测浆料的粘度：0~* pa?s，剪切速率调节范围：0.0001-2000 s-1，外形尺寸60 mm*120 mm*70 mm（宽*高*长），重量50Kg。质保期5年。 | * | 2022年12月 | 按照本办法规定预留采购份额无法确保充分供应、 充分竞争，或者存在可能影响政府采购目标实现的情形 |
| 5 | 半导体材料及器件测试设备 | 一、探针台，1台。可测试4英寸及以下样品，温控范围-196 ℃-400 ℃，温控精度+/-0.1℃。带防震，防辐射屏和热沉设计，带4套大手轮真空探针臂。并且具备液氮自动流量控制系统，带触屏式温控器，常温降至极限低温时间优于25 min。质保期5年。 二、宽频大功率PA，1台。可驱动各种类型负载， (略) 校类电子实验测试、材料测试、电磁场驱动测试等。带宽高达100 kHz-20 MHz，输出功率200 W。质保期5年。 三、功率器件测试系统，1套。用于二极管、三极管、 MOS场效应管、结型场效应管、 IGBT、整流桥、可控硅、等十三大类半导体分立器件全静态参数测试。要求测试电压2 kV，电流不小于500 A。质保期5年。 四、光学线宽测量仪1台。PCB专用线宽线距测量设备，用于微纳电子器件制造过程监控测试，精度0.002 mm。质保期5年。 五、半导体参数测试仪，1台。微纳电子器件的参数测试，8个SMU。质保期5年。 六、光谱椭偏仪 1台。介质膜厚度的测量，测量范围0-30 μm。质保期5年。 七、信号源，1台。输出高稳定微波信号，6GHz无 IQ调制。质保期5年。 八、功率计，1台。高灵敏度微波信号测试，传感器50 MHz-40 GHz。质保期5年。 九、超声扫描显微镜，1台。IC芯片贴片空洞的检测，精度50微米。质保期5年。 十、扫描卡尔文探针测试仪1台。半导体界面表征和分析，卡盘6寸。质保期5年。 | * | 2022年12月 | 按照本办法规定预留采购份额无法确保充分供应、 充分竞争，或者存在可能影响政府采购目标实现的情形 |
| 6 | 半导体材料及器件成型设备 | 一、中型高温气氛烧结炉，1套。主要用于半导体AlN基板材料的烧结，亦可用于高合金工、模具钢、高速钢等的真空淬火、回火、退火等。最高温度≦2000 ℃，真空极限度~8.0×10-1 Pa，能通氩气、氮气作保护气氛，占地面积小于3 m×3 m。质保期1年。 二、激光导热仪（进口），1套。主要用于测试半导体封装材料以及其他材料的热扩散系数、热容和热导率的测试，测试温度范围覆盖温度范围：-100 °C-500 °C，热导率测试范围覆盖0.1-2000 W/m?K，热扩散系数测试范围覆盖0.01-2000 mm2/s能测量普通固体样品的导热性能。质保期1年。 三、排胶预烧一体炉，1套。用于流延成型半导体氮化铝基板、以及其他各种基板材料如氧化铝、氧化锆 (略) 封装材料的排胶和预烧结。最高温度~1100 ℃，升温速率0.1-5 ℃/min，外形尺寸≦1270 mm×1298 mm×1638 mm（宽×深×高），配备高精度热电偶。质保期1年。 | * | 2022年12月 | 按照本办法规定预留采购份额无法确保充分供应、 充分竞争，或者存在可能影响政府采购目标实现的情形 |
| 7 | 半导体材料及器件微结构表征设备 | 一、差示扫描量热仪（进口），1台。测定物质在熔融、相变、分解、化合、凝固、脱水、蒸发、升华等特定温度下发生的热量。质保期3年。 二、桌面式微观显微成像系统（进口），1台。可实现高分辨率图像的观察，还可以得到成分等信息，能够对各种半导体材料的物质表面进行微区形貌结构分析观察。质保期3年。 三、多场压电力显微分析系统（进口），1台。通过针尖对样品可以施加高偏压值（上至±220 V），以便对介电及半导体材料（铁电体、多铁性材料以及一些生物材料）进行高灵敏度和无串扰的测量，多种模式可以对静电力、表面电荷、表面电势、压电信号等进行快速高效的表征。质保期3年。 | * | 2022年12月 | 按照本办法规定预留采购份额无法确保充分供应、 充分竞争，或者存在可能影响政府采购目标实现的情形 |
| 8 | 半导体材料及器件综合电学设备 | 一、宽频介电阻抗仪（进口），1台。能实现宽频率范围内（3 μHz-40 MHz）介电及阻抗特性的测试；b.能实现宽温度范围内（-160-400 °C）介电及阻抗特性的测试；c.能实现较低损耗的测试（≤3*10-5）介电及阻抗特性的测试。质保期3年。 二、铁电测试系统（进口），1台。具备铁电、压电、热释电半导体及介电材料所有基本特性测试功能，可与激光干涉仪等微位移传感器联用，可广泛地应用于如各种铁电/压电/热释电薄膜、厚膜、体材料和铁电执行器/信息存储器等领域的研究。质保期3年。 | * | 2022年12月 | 按照本办法规定预留采购份额无法确保充分供应、 充分竞争，或者存在可能影响政府采购目标实现的情形 |
| 9 | 半导体材料及器件化学合成设备 | 一、温等静压机，1台。用于半导体多层厚膜及薄膜的制备，提高产品的物理性能和电气性能。外形尺寸≦1.1 m*1 m*2.2 m（长*宽*高），重量≦1.3吨。质保期1年。 二、叠层机，1台。将多片层压膜片进行叠层，并改变温度和压力均匀的作用在多片膜片上，实现多层生坯薄膜的高质量、高效率粘合。外形尺寸≦1 m*1 m*1.96 m（长*宽*高），重量≦1吨。质保期1年。 三、真空搅拌脱泡机，1台。用于粉体浆料的均匀混合及除泡。机器可混浆料的最大容量5000 ml*2，转速150-800 rpm，真空压力精度0.1 Kpa，外形尺寸≦1490*1000*1140（宽*高*长），重量500 Kg。质保期1年。 四、小型行星式球磨机，3台。共有五种运行模式：1、单向运行，不定时停机；2、单向运行，定时停机；3、正、反向交替运行，定时停机；4、单向间隔运行，定时停机；5、正、反向交替间隔运行，定时停机。调速方式：变频调速0～50 Hz，分辨率1 Hz，本机限速0～42 Hz。配一套尼龙球磨罐：容积（单罐容积，500毫升），球磨罐最大装料量：罐容积的四分之三（包括磨球），出料粒度：最小可至0.1 μm。额定转速：公转（大盘）290转/分±10％，自转（球磨罐）：580转/分±10％。质保期5年。 五、中型行星式球磨机，1台。共有五种运行模式：1、单向运行，不定时停机；2、单向运行，定时停机；3、正、反向交替运行，定时停机；4、单向间隔运行，定时停机；5、正、反向交替间隔运行，定时停机。调速方式：变频调速0～50 Hz，分辨率1 Hz，本机限速0～42 Hz。配一套尼龙球磨罐：容积（单罐容积，3000毫升），球磨罐最大装料量：罐容积的四分之三（包括磨球），出料粒度：最小可至0.1 μm。额定转速：公转（大盘）232转/分±10％，自转（球磨罐）：440转/分±10％。质保期5年。 六、高温烧结炉，2台。智能化不少于30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能，腔体体积不小于长150 mm×150 mm×150 mm（长*宽*高），加热元件为硅钼棒，高温烧结炉的体积不小于长500 mm×490 mm×730 mm（长*宽*高），重量不小于120 Kg，每台各配置一个700 mm*700 mm移动炉架，长时间连续工作温度≧1600 ℃，最高烧结温度≧1700 ℃。质保期5年。 七、化学机械抛光机，1套。用于半导体晶圆及基板样品或其它衬底材料的平坦化处理。载样盘直径~Φ103 mm，整机研磨部分采用防腐材料，耐化学腐蚀，配置自动滴料器和精密磨抛控制仪，全自动触摸屏面板，从加工性能和速度上同时满足晶圆等面型加工的需求。质保期1年。 八、高压极化装置，1台。可以对不同材料，厚度的半导体样 (略) 同步极化，多路同时极化时，每路可设置不同的极化电压和电压时间， (略) 极化互不影响;具有安全互锁功能，取样和放样时，高压切断，并采用隔离屏蔽技术，确保实验人员安全;智能化监测，可监测整个极化过程，自动保存测量数据。质保期1年。 九、高精度电子分析天平，3台。用于半导体材料的制备时原料的称量，精度0.1 mg。称量准确可靠、显示快速清晰并且具有自动检测系统、简便的自动校准装置以及超载保护等装置。质保期1年。 十、超声波清洗机，1台。用于半导体材料的清洗。容量>60L，1-99分钟可调，超声波功率：0-900 W可调，室温-95 oC可调，加热功率≥1500 W。质保期1年。 十一、高精度二次元影像测量仪，1台。由高解析度CCD彩色镜头、连续变倍物镜、彩色显示器、视频十字线显示器、精密光栅尺、多功能数据处理器、数据测量软件与高精密工作台结构组成的高精度光学影像测量仪器，用于以二维平面测量为目的的一切应用，包括半导体材料以 (略) 的精密测量。质保期5年。 | * | 2022年12月 | 按照本办法规定预留采购份额无法确保充分供应、 充分竞争，或者存在可能影响政府采购目标实现的情形 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
安徽工程大学
2022年11月09日为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定，现将安徽工程大学2022年11月至12月采购意向公开如下：
| 序号 | 采购项目名称 | 采购需求概况 | 预算金额（元） | 预计采购时间（填写到月） | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 半导体材料及器件制备和表征设备 | 一、干法去胶机，1台。用来去除光刻胶；刻蚀速率大于0.5 μm/min。等离子源频率 13.56 MHz射频功率0~500 W，调节精度为1W；石英真空腔体 腔体内部尺寸Φ250 * Dept.260；最大尺寸8英寸，可用工艺气体Ar、N?、O?、H?、cf4等。质保期2年。 二、晶圆减薄机，1台。用于硅片陶瓷砷化镓等晶体材料的减薄，磨轮的粒度的选型可根据客户对工艺要求定制，主要由真空吸盘，吸盘主轴，磨轮，磨轮主轴，磨轮进给机构等组成。质保期1年。 三、霍尔效应测量仪，1台。可测变温霍尔效应测量电压：0.1 μV~200 V恒流源自动磁场换向，平滑过零，无断点，自带内置高斯计闭环控制，变温范围：80 K-325 K，测试全自动化。质保期1年。 四、外延厚度自动检测仪，1套。主要测量从几纳米到数百微米厚的透明或半透明薄膜。要求光谱范围370-1000 nm，膜厚测量范围（仅测膜厚时）10 nm-100 μm，光源配置卤钨灯；软件支持建模拟合。质保期1年。 五、 (略) 络分析仪，1套。用于材料以及各种微波芯片的介电常数、品质因数、谐振频率温度系数、介电损耗的测试。频率范围覆盖10 MHz-43.5 GHz，分辨率~1 Hz，配置传输线法、同轴法、谐振腔法测试设备若干套。质保期1年。 | * | 2022年12月 | 按照本办法规定预留采购份额无法确保充分供应、 充分竞争，或者存在可能影响政府采购目标实现的情形 |
| 2 | 半导体材料及器件电学性能测试设备 | 一、高温电阻率测量系统，1套。用来检验各种介质材料的高温电阻和漏导特性。可在25℃-1000 ℃高温范围测试材料电阻，电阻测量范围可达50 ? ~1018 ?，高温电学加热炉内置金属屏蔽罩，有效减小加热丝产生的交流干扰。质保期1年。 二、高温介电温谱测试系统，1套。可测试单晶以及薄膜等材料的高温介电特性，测试温度区间在25 ℃-1250 ℃高温范围，测试频率在20 Hz-20 MHz，阻抗测试范围在25 mΩ-40MΩ。质保期1年。 三、电卡效应测试系统，1台。用于研究薄膜材料的电卡特性。内部带不少于五位半数值采集卡，可以精确到＜0.001 k数值采集，内 (略) 复用器（不少于4线）模块，精准的温度数据采集，实时动态温度显示。质保期3年。 四、介质损耗测试仪，1台。实验室测试各种介电及其半导体材料损耗正切值及电容量的高精度测试仪器。仪器为一体化结构，内置介损测试电桥，可变频调压电源，升压变压器和SF6 高稳定度标准电容器。测试高压源由仪器内部的逆变器产生，经变压器升压后用于被试品测试。质保期3年。 五、气敏电阻特性测试系统，1台。用于研究半导体薄膜材料的气敏电阻特性。可以实现常温、变温、恒温条件下的R-t、S-T、S-C等测量功能。质保期3年。 六、热释电测试系统，1台。用于研究薄膜材料的热释电特性。可测试2 mm＜样品电极＜15 mm，厚度不大于1.0 mm样品的热释电特性以及高阻特性，1k欧姆＜电阻范围＜1018欧姆。质保期3年。 七、极化能量收集测试系统，1台。用于测试半导体薄膜材料能量收集。可测试2 mm＜样品电极＜15 mm，厚度不大于1.0 mm样品的的能量收集特性。质保期2年。 | * | 2022年12月 | 按照本办法规定预留采购份额无法确保充分供应、 充分竞争，或者存在可能影响政府采购目标实现的情形 |
| 3 | 半导体薄膜材料制备及表征设备 | 一、紫外可见分光光度计，1台。粉末样品、薄膜样品对紫外可见光的吸光度并进行定量的设备。波长范围从大约 200 nm 到 800 nm。质保期1年。 二、自动在线微量气体检测系统，1套。采用模块化设计，由软件及控制单元、全玻 (略) 、自动取样模块、气体循环模块和可定制反应器组成。可进行在负压、常压及微负压条件下各种光/电催化实验。质保期1年。 三、电输运性质测量系统，1套。可以进行霍尔效应、R-H特性、R-T特性和I-V特性的测量，可得出参数：方块电阻、电阻率、霍尔系数、霍尔迁移率、载流子浓度和导电类型，可绘制以上参数随温度或磁场的变化曲线，电阻随着温度变化的特性曲线。质保期1年。 四、数字源表，1台。提供四象限精密电压和电流源/负载，外加直观触摸屏用户界面上的测量。同时提供 10 fA - 10 A 脉冲电流和/或 100 nV-200 V 电压（实现 1000W 脉冲和 100W 直流总功率）并对其进行测量。质保期1年。 五、冷冻干燥机，1台。用于实验样品的冷冻干燥，全不锈钢充气阀门，带样品预冻功能，无需低温冰箱，工作环境温度10-30℃。质保期3年。 六、磁控溅射镀膜系统，1套。用于太阳能电池所需金属薄膜、半导体薄膜、绝缘薄膜等材料的制备。多靶材溅射，具有射频和直流电源，质保期1年。 七、微波反应器（带抽注气配件），1套。将微波作为加热源，可以实现分子的快速振动，功率在0~1000W可调，实现反应速率的精确调控。质保期1年。 八、超声波清洗机器，2台，利用超声波对物体表面进行污垢或残留物的清洗，可用于实验室反应容器的洗涤。质保期1年 | * | 2022年12月 | 按照本办法规定预留采购份额无法确保充分供应、 充分竞争，或者存在可能影响政府采购目标实现的情形 |
| 4 | 半导体材料及器件微加工设备 | 一、光刻机，1台。用于中小规 (略) 、声表面波器件和其它各种半导体元器件制造工艺中的单面对准及曝光，最大兼容4英寸晶圆。质保期5年。 二、高速高端示波器（进口），1台。用于高频电压信号采集，1G带宽，可升级到最高10G带宽，垂直分辨率12位。质保期5年。 三、感应耦合等离子刻蚀机，1台。ICP感应耦合等离子体刻蚀机，1台，达到对Si基样品进行化学物理相结合刻蚀的目的。极限真空度：≤5*10-4 Pa；刻蚀均匀性：≤5%（Φ6英寸）；刻蚀距离自动调节范围40 mm-100 mm，调节精度1 mm。质保期5年。 四、IC贴片机，1套。用于SMD加工工艺，线路板贴片元件表面贴装。包含高精密高精密丝印台、贴片机、精密无铅回流焊炉各一台，质保期5年。 五、金丝球焊线机，1台。主要应用于大功率发光二极管（LED）、激光管（激光）、中小型功率二极管、三极管、 (略) 、传感器和一些特殊半导体器件的内引线焊接，特别适于大功率发光管的焊接。使用超声温功率：两档连续可调，可在60～400 ℃下焊接，视觉系统二档（15-30倍）显微镜。质保期5年。 六、测试分选机，1台。用于教学演示IC芯片分拣流程。自动对IC进行OK/NG的判断区分，自动记录IC的OK和NG数。质保期5年。 七、快速退火炉 1台。用于离子注入损伤的修复，6英寸晶片RTP。质保期5年。 八、电子束蒸发系统，1台。金属的蒸发淀积、电子束镀膜。质保期5年。 九、激光划片机，1台。WTA测试后、封装前的晶圆划片，定位精度±2 μm。质保期5年。 十、平行封焊机，1台。密封封装金属盖板的焊接，半导体激光器封焊。质保期5年。 十一、切筋机，1台。IC塑料封装间的切断，SPM:60-70。质保期5年。 十二、流变仪，1台。用于粉体浆料粘度测试。机器可测浆料的粘度：0~* pa?s，剪切速率调节范围：0.0001-2000 s-1，外形尺寸60 mm*120 mm*70 mm（宽*高*长），重量50Kg。质保期5年。 | * | 2022年12月 | 按照本办法规定预留采购份额无法确保充分供应、 充分竞争，或者存在可能影响政府采购目标实现的情形 |
| 5 | 半导体材料及器件测试设备 | 一、探针台，1台。可测试4英寸及以下样品，温控范围-196 ℃-400 ℃，温控精度+/-0.1℃。带防震，防辐射屏和热沉设计，带4套大手轮真空探针臂。并且具备液氮自动流量控制系统，带触屏式温控器，常温降至极限低温时间优于25 min。质保期5年。 二、宽频大功率PA，1台。可驱动各种类型负载， (略) 校类电子实验测试、材料测试、电磁场驱动测试等。带宽高达100 kHz-20 MHz，输出功率200 W。质保期5年。 三、功率器件测试系统，1套。用于二极管、三极管、 MOS场效应管、结型场效应管、 IGBT、整流桥、可控硅、等十三大类半导体分立器件全静态参数测试。要求测试电压2 kV，电流不小于500 A。质保期5年。 四、光学线宽测量仪1台。PCB专用线宽线距测量设备，用于微纳电子器件制造过程监控测试，精度0.002 mm。质保期5年。 五、半导体参数测试仪，1台。微纳电子器件的参数测试，8个SMU。质保期5年。 六、光谱椭偏仪 1台。介质膜厚度的测量，测量范围0-30 μm。质保期5年。 七、信号源，1台。输出高稳定微波信号，6GHz无 IQ调制。质保期5年。 八、功率计，1台。高灵敏度微波信号测试，传感器50 MHz-40 GHz。质保期5年。 九、超声扫描显微镜，1台。IC芯片贴片空洞的检测，精度50微米。质保期5年。 十、扫描卡尔文探针测试仪1台。半导体界面表征和分析，卡盘6寸。质保期5年。 | * | 2022年12月 | 按照本办法规定预留采购份额无法确保充分供应、 充分竞争，或者存在可能影响政府采购目标实现的情形 |
| 6 | 半导体材料及器件成型设备 | 一、中型高温气氛烧结炉，1套。主要用于半导体AlN基板材料的烧结，亦可用于高合金工、模具钢、高速钢等的真空淬火、回火、退火等。最高温度≦2000 ℃，真空极限度~8.0×10-1 Pa，能通氩气、氮气作保护气氛，占地面积小于3 m×3 m。质保期1年。 二、激光导热仪（进口），1套。主要用于测试半导体封装材料以及其他材料的热扩散系数、热容和热导率的测试，测试温度范围覆盖温度范围：-100 °C-500 °C，热导率测试范围覆盖0.1-2000 W/m?K，热扩散系数测试范围覆盖0.01-2000 mm2/s能测量普通固体样品的导热性能。质保期1年。 三、排胶预烧一体炉，1套。用于流延成型半导体氮化铝基板、以及其他各种基板材料如氧化铝、氧化锆 (略) 封装材料的排胶和预烧结。最高温度~1100 ℃，升温速率0.1-5 ℃/min，外形尺寸≦1270 mm×1298 mm×1638 mm（宽×深×高），配备高精度热电偶。质保期1年。 | * | 2022年12月 | 按照本办法规定预留采购份额无法确保充分供应、 充分竞争，或者存在可能影响政府采购目标实现的情形 |
| 7 | 半导体材料及器件微结构表征设备 | 一、差示扫描量热仪（进口），1台。测定物质在熔融、相变、分解、化合、凝固、脱水、蒸发、升华等特定温度下发生的热量。质保期3年。 二、桌面式微观显微成像系统（进口），1台。可实现高分辨率图像的观察，还可以得到成分等信息，能够对各种半导体材料的物质表面进行微区形貌结构分析观察。质保期3年。 三、多场压电力显微分析系统（进口），1台。通过针尖对样品可以施加高偏压值（上至±220 V），以便对介电及半导体材料（铁电体、多铁性材料以及一些生物材料）进行高灵敏度和无串扰的测量，多种模式可以对静电力、表面电荷、表面电势、压电信号等进行快速高效的表征。质保期3年。 | * | 2022年12月 | 按照本办法规定预留采购份额无法确保充分供应、 充分竞争，或者存在可能影响政府采购目标实现的情形 |
| 8 | 半导体材料及器件综合电学设备 | 一、宽频介电阻抗仪（进口），1台。能实现宽频率范围内（3 μHz-40 MHz）介电及阻抗特性的测试；b.能实现宽温度范围内（-160-400 °C）介电及阻抗特性的测试；c.能实现较低损耗的测试（≤3*10-5）介电及阻抗特性的测试。质保期3年。 二、铁电测试系统（进口），1台。具备铁电、压电、热释电半导体及介电材料所有基本特性测试功能，可与激光干涉仪等微位移传感器联用，可广泛地应用于如各种铁电/压电/热释电薄膜、厚膜、体材料和铁电执行器/信息存储器等领域的研究。质保期3年。 | * | 2022年12月 | 按照本办法规定预留采购份额无法确保充分供应、 充分竞争，或者存在可能影响政府采购目标实现的情形 |
| 9 | 半导体材料及器件化学合成设备 | 一、温等静压机，1台。用于半导体多层厚膜及薄膜的制备，提高产品的物理性能和电气性能。外形尺寸≦1.1 m*1 m*2.2 m（长*宽*高），重量≦1.3吨。质保期1年。 二、叠层机，1台。将多片层压膜片进行叠层，并改变温度和压力均匀的作用在多片膜片上，实现多层生坯薄膜的高质量、高效率粘合。外形尺寸≦1 m*1 m*1.96 m（长*宽*高），重量≦1吨。质保期1年。 三、真空搅拌脱泡机，1台。用于粉体浆料的均匀混合及除泡。机器可混浆料的最大容量5000 ml*2，转速150-800 rpm，真空压力精度0.1 Kpa，外形尺寸≦1490*1000*1140（宽*高*长），重量500 Kg。质保期1年。 四、小型行星式球磨机，3台。共有五种运行模式：1、单向运行，不定时停机；2、单向运行，定时停机；3、正、反向交替运行，定时停机；4、单向间隔运行，定时停机；5、正、反向交替间隔运行，定时停机。调速方式：变频调速0～50 Hz，分辨率1 Hz，本机限速0～42 Hz。配一套尼龙球磨罐：容积（单罐容积，500毫升），球磨罐最大装料量：罐容积的四分之三（包括磨球），出料粒度：最小可至0.1 μm。额定转速：公转（大盘）290转/分±10％，自转（球磨罐）：580转/分±10％。质保期5年。 五、中型行星式球磨机，1台。共有五种运行模式：1、单向运行，不定时停机；2、单向运行，定时停机；3、正、反向交替运行，定时停机；4、单向间隔运行，定时停机；5、正、反向交替间隔运行，定时停机。调速方式：变频调速0～50 Hz，分辨率1 Hz，本机限速0～42 Hz。配一套尼龙球磨罐：容积（单罐容积，3000毫升），球磨罐最大装料量：罐容积的四分之三（包括磨球），出料粒度：最小可至0.1 μm。额定转速：公转（大盘）232转/分±10％，自转（球磨罐）：440转/分±10％。质保期5年。 六、高温烧结炉，2台。智能化不少于30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能，腔体体积不小于长150 mm×150 mm×150 mm（长*宽*高），加热元件为硅钼棒，高温烧结炉的体积不小于长500 mm×490 mm×730 mm（长*宽*高），重量不小于120 Kg，每台各配置一个700 mm*700 mm移动炉架，长时间连续工作温度≧1600 ℃，最高烧结温度≧1700 ℃。质保期5年。 七、化学机械抛光机，1套。用于半导体晶圆及基板样品或其它衬底材料的平坦化处理。载样盘直径~Φ103 mm，整机研磨部分采用防腐材料，耐化学腐蚀，配置自动滴料器和精密磨抛控制仪，全自动触摸屏面板，从加工性能和速度上同时满足晶圆等面型加工的需求。质保期1年。 八、高压极化装置，1台。可以对不同材料，厚度的半导体样 (略) 同步极化，多路同时极化时，每路可设置不同的极化电压和电压时间， (略) 极化互不影响;具有安全互锁功能，取样和放样时，高压切断，并采用隔离屏蔽技术，确保实验人员安全;智能化监测，可监测整个极化过程，自动保存测量数据。质保期1年。 九、高精度电子分析天平，3台。用于半导体材料的制备时原料的称量，精度0.1 mg。称量准确可靠、显示快速清晰并且具有自动检测系统、简便的自动校准装置以及超载保护等装置。质保期1年。 十、超声波清洗机，1台。用于半导体材料的清洗。容量>60L，1-99分钟可调，超声波功率：0-900 W可调，室温-95 oC可调，加热功率≥1500 W。质保期1年。 十一、高精度二次元影像测量仪，1台。由高解析度CCD彩色镜头、连续变倍物镜、彩色显示器、视频十字线显示器、精密光栅尺、多功能数据处理器、数据测量软件与高精密工作台结构组成的高精度光学影像测量仪器，用于以二维平面测量为目的的一切应用，包括半导体材料以 (略) 的精密测量。质保期5年。 | * | 2022年12月 | 按照本办法规定预留采购份额无法确保充分供应、 充分竞争，或者存在可能影响政府采购目标实现的情形 |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
安徽工程大学
2022年11月09日招投标大数据
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